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औद्योगिक टिकाऊ कम वीजीएस मोस्फेट, छोटे आरएसपी कम वोल्टेज स्विचिंग ट्रांजिस्टर

  • Industrial Durable Low Vgs Mosfet , Small RSP Low Voltage Switching Transistor
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। बिजली की खपत कम बिजली हानि
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
प्रमुखता देना

औद्योगिक कम वीजीएस मोस्फेट

,

टिकाऊ कम वीजीएस मोस्फेट

,

छोटा आरएसपी कम वोल्टेज स्विचिंग ट्रांजिस्टर
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

उच्च ईएएस क्षमता और छोटे आरएसपी के साथ कम पावर हानि ट्रेंच प्रक्रिया एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

निम्न वोल्टेज MOSFET को विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए बेहतर दक्षता और विश्वसनीयता प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।ट्रेंच लो वोल्टेज एमओएसएफईटी एक कम वोल्टेज क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) है जिसमें कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज और उच्च दक्षता है, जो इसे विभिन्न बिजली प्रबंधन अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श समाधान बनाता है। इसमें कम बिजली का नुकसान है और वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी / डीसी कनवर्टर,उच्च आवृत्ति स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। अपनी उच्च ईएएस क्षमता और एसजीटी प्रक्रिया अनुप्रयोग के साथ, यह कम वोल्टेज एमओएसएफईटी मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच के लिए उपयुक्त है,यह निम्न वोल्टेज MOSFET विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए बेहतर दक्षता, विश्वसनीय प्रदर्शन और कम बिजली हानि प्रदान करता है।

 

तकनीकी मापदंडः

संपत्ति विवरण
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
निम्न सीमा वोल्टेज एमओएसएफईटी
एसजीटी प्रक्रिया के फायदे फोरम अनुकूलन में सफलता, अधिक अनुप्रयोगों को कवर करना
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
कम वोल्टेज पावर MOSFET कम शक्ति हानि
खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेन्सी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
खाई प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता है
निम्न वोल्टेज MOSFET ड्राइवर कम आरडीएस (ऑन)
 

अनुप्रयोग:

कारण निम्न वोल्टेज मोस्फेट

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन का एक उच्च प्रदर्शन वाला उत्पाद है जिसमें कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज और कम बिजली हानि है।यह एक कम Rds ((ON) प्रतिरोध की विशेषता है जो इसे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श बनाता है, जैसे मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET भी श्रृंखला और समानांतर विन्यास दोनों प्रदान करता है जो स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता है.

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET ऑटोमोटिव, एयरोस्पेस, औद्योगिक और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स सहित विभिन्न उद्योगों के लिए एक आदर्श विकल्प है।इसकी कीमत प्रतिस्पर्धी है और उत्पाद आवश्यकताओं के आधार पर आगे चर्चा की जा सकती हैउत्पाद को धूल, पानी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जिसे फिर एक कार्डबोर्ड बॉक्स में डाल दिया जाता है।आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है और कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिनों के बीच है।भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं।

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं।हमारी तकनीकी सहायता टीम अनुभवी पेशेवरों से बनी है जो हमारे कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों की प्रौद्योगिकी और संचालन में अच्छी तरह से वाकिफ हैं.

हम ग्राहकों को अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों का अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए सेवाओं की एक व्यापक श्रृंखला प्रदान करते हैं। हमारी सेवाओं में समस्या निवारण, स्थापना, रखरखाव,और उत्पाद प्रशिक्षणहम निम्न वोल्टेज मोस्फेट उत्पादों के प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए तकनीकी सलाह और सहायता भी प्रदान करते हैं।

हम अपने तकनीकी समर्थन और सेवा के साथ सर्वोत्तम ग्राहक अनुभव प्रदान करने का प्रयास करते हैं। हम सभी ग्राहक पूछताछ का शीघ्रता से और बहुत सटीकता के साथ उत्तर देने का प्रयास करते हैं।हमारी ग्राहक सेवा टीम सहायता प्रदान करने और आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए 24/7 उपलब्ध है.

हम अपने ग्राहकों को असाधारण तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए समर्पित हैं।ग्राहक संतुष्टि के प्रति हमारी प्रतिबद्धता नवीनतम उत्पाद अद्यतन और सॉफ्टवेयर रिलीज़ प्रदान करने की हमारी प्रतिबद्धता में परिलक्षित होती हैहम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए सर्वोत्तम तकनीकी सहायता और सेवा के साथ आपकी सेवा जारी रखने के लिए तत्पर हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग
  • उत्पादों को सुरक्षित रूप से एंटी-स्टेटिक बैग या एंटी-स्टेटिक बक्से में पैक किया जाता है।
  • पैकेज एक कार्डबोर्ड बॉक्स या कार्टन में रखा जाता है।
  • पैकेज को स्थानांतरित होने से रोकने के लिए फोम से सुरक्षित किया जाता है।
  • हवाई या समुद्री परिवहन द्वारा शिपिंग।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
प्रश्न: उत्पाद का निर्माण कहाँ किया जाता है?
उत्तर: निम्न वोल्टेज MOSFET का निर्माण चीन के गुआंग्डोंग में किया जाता है।
प्रश्न: उत्पाद की कीमत क्या है?
उत्तर: उत्पाद की कीमत स्वयं उत्पाद पर आधारित है। अधिक जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
प्रश्न: उत्पाद की पैकेजिंग कैसे की जाती है?
उत्तरः उत्पाद को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा जाता है।
प्रश्न: डिलीवरी का समय कितना है?
उत्तर: कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिन है।
प्रश्न: आप किस प्रकार के भुगतान की शर्तें स्वीकार करते हैं?
एकः हम अग्रिम में 100% टी/टी (एक्सडब्ल्यू) स्वीकार करते हैं।
प्रश्न: आपूर्ति की क्षमता क्या है?
एकः हम 5KK/माह की आपूर्ति करने में सक्षम हैं।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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