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मोटर ड्राइवर उच्च आवृत्ति स्विच के लिए कम वोल्टेज Fet स्थिर

  • Motor Driver Low Voltage Fet Stable For High Frequency Switch
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
बिजली की खपत कम बिजली हानि उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
प्रमुखता देना

मोटर चालक कम वोल्टेज Fet

,

कम वोल्टेज स्थिर

,

स्विच लो पावर फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

उच्च आवृत्ति स्विच अनुप्रयोग के लिए उच्च ईएएस क्षमता कम आरडीएस ((ऑन) एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक क्रांतिकारी उत्पाद है जो विभिन्न अनुप्रयोगों में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है, जैसे वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर,उच्च आवृत्ति स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। इसमें उत्कृष्ट कम गेट वोल्टेज और कम Rds ((ON) है, जो कम बिजली हानि और उच्च ईएएस क्षमता को सक्षम करता है।यह भी सफलता FOM अनुकूलन को अपनाता है और खाई प्रक्रिया और SGT प्रक्रिया की मदद से अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है.

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम पैरामीटर
कम वोल्टेज MOSFET एसजीटी प्रक्रिया के फायदे: फोरम अनुकूलन में सफलता, अधिक अनुप्रयोगों को कवर करना।
कम वोल्टेज MOSFET दक्षताः उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
कम वोल्टेज MOSFET ट्रेंच प्रोसेस एप्लिकेशनः वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
कम वोल्टेज MOSFET ट्रेंच प्रक्रिया के फायदे: छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
कम वोल्टेज MOSFET प्रतिरोधः कम Rds ((ON)
कम वोल्टेज MOSFET संरचना प्रक्रियाः ट्रेंच/एसजीटी
कम वोल्टेज MOSFET ईएएस क्षमताः उच्च ईएएस क्षमता
कम वोल्टेज MOSFET बिजली की खपतः कम बिजली की हानि
कम वोल्टेज MOSFET एसजीटी प्रक्रिया अनुप्रयोगः मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार
 

अनुप्रयोग:

कारण निम्न वोल्टेज मोस्फेट

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन का एक अनूठा और शक्तिशाली उपकरण है। यह अपने कम गेट वोल्टेज, कम बिजली हानि और उच्च ईएएस क्षमता के कारण विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।इसमें एक ट्रेंच/एसजीटी संरचना प्रक्रिया भी है, जो इसे वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए उपयुक्त बनाता है।उत्पाद की कीमत उत्पाद के आधार पर निर्धारित की जाती है. यह धूलरोधी, जलरोधी और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, और कार्टन में एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा जाता है। कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिनों के बीच होता है।भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम हैंआपूर्ति क्षमता 5 करोड़ रुपये प्रतिमाह तक है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवा की एक व्यापक श्रृंखला प्रदान करते हैं।अनुभवी इंजीनियरों की हमारी टीम किसी भी प्रश्न का उत्तर देने और उत्पाद चयन के साथ सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है, डिजाइन और समस्या निवारण।

तकनीकी सहायता

हमारे इंजीनियरों की टीम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के बारे में आपके पास हो सकता है किसी भी तकनीकी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है। हम उत्पाद चयन, डिजाइन सलाह,आवेदन सहायता, और समस्या निवारण सहायता।

उत्पाद चयन सहायता

हम आपके आवेदन के लिए सही कम वोल्टेज MOSFET चुनने में आपकी सहायता कर सकते हैं। हमारे इंजीनियर भाग चयन, डिजाइन विचार, और प्रदर्शन आवश्यकताओं पर मार्गदर्शन प्रदान कर सकते हैं।

डिजाइन मार्गदर्शन

हम आपके आवेदन के लिए इष्टतम डिजाइन बनाने में मदद करने के लिए डिजाइन सहायता प्रदान कर सकते हैं। हमारे इंजीनियर सर्किट डिजाइन, घटक चयन और लेआउट पर सलाह दे सकते हैं।

समस्या निवारण सहायता

यदि आप अपने कम वोल्टेज MOSFET के साथ समस्या का अनुभव कर रहे हैं, तो हमारे इंजीनियर समस्या निवारण सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध हैं। हम आपको किसी भी समस्या की पहचान करने और हल करने में मदद कर सकते हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET पैकेजिंग और शिपिंगः

इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज से क्षति को रोकने के लिए निम्न वोल्टेज MOSFET को एक एंटी-स्टेटिक बैग में पैक किया जाना चाहिए।फिर बैग को एक मजबूत कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाना चाहिए जिसमें शिपिंग के दौरान झटके और धमाके से बचने के लिए सुरक्षात्मक पैडिंग होबॉक्स पर उत्पाद का नाम, प्राप्तकर्ता का पता और शिपिंग पता स्पष्ट रूप से लिखा होना चाहिए।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

  • प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET क्या है?
  • A: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET एक धातु ऑक्साइड अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (MOSFET) घटक है जो कम वोल्टेज पर काम करता है।
  • प्रश्न: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET का निर्माण कहाँ किया जाता है?
  • उत्तर: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET का निर्माण चीन के गुआंग्डोंग में किया जाता है।
  • प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
  • A: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर आधारित है। विवरण के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
  • प्रश्न: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET को कैसे पैक किया जाता है?
  • A: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा जाता है।
  • प्रश्न: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कितना है?
  • A: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET के लिए वितरण का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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