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डीसी डीसी कनवर्टर के लिए एसजीटी स्थिर कम गेट सीमा वोल्टेज मोस्फेट

  • SGT Stable Low Gate Threshold Voltage Mosfet For DC DC Converter
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
बिजली की खपत कम बिजली हानि ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
प्रमुखता देना

एसजीटी कम गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज मोस्फेट

,

स्थिर कम गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज मोस्फेट

,

कनवर्टर कम वीजीएस थ्रेशोल्ड मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

ट्रेंच/एसजीटी संरचना प्रक्रिया में डीसी/डीसी कनवर्टर के लिए उच्च ईएएस क्षमता के साथ कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET - आपकी बिजली आवश्यकताओं के लिए आदर्श समाधान!

क्या आप अपने इलेक्ट्रॉनिक्स को पावर देने के लिए एक कुशल और विश्वसनीय समाधान की तलाश कर रहे हैं? कम वोल्टेज MOSFET से आगे नहीं देखें। इसके कम वोल्टेज और कम प्रतिरोध (Rds(ON) के साथ,यह एकल-द्वार ट्रांजिस्टर अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श है, जिसमें वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन शामिल हैं।

और भी अधिक दक्षता और प्रदर्शन के लिए, निम्न वोल्टेज MOSFET दो प्रक्रियाओं में भी उपलब्ध हैः ट्रेंच और SGT। ट्रेंच प्रक्रिया वायरलेस चार्जिंग,तेजी से चार्ज करना, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। दूसरी ओर, एसजीटी प्रक्रिया मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण,उच्च आवृत्ति स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

जब यह अपने इलेक्ट्रॉनिक्स को बिजली देने के लिए आता है, निम्न वोल्टेज MOSFET सही, विश्वसनीय समाधान है। अपने कम VGS MOSFET और SGT निम्न वोल्टेज MOSFET प्रक्रियाओं के साथ,आप सुनिश्चित हो सकते हैं कि आपके इलेक्ट्रॉनिक्स को सुरक्षित और कुशलता से संचालित किया जाएगा.

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
खाई प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
कम वीजीएस मोस्फेट कम वोल्टेज FET
एसजीटी कम वोल्टेज मोस्फेट अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई फ्रीक्वेंसी स्विच,और इसके विश्वसनीय और उच्च दक्षता के कारण सिंक्रोनस rectificationयह विशेष रूप से कम गेट वोल्टेज के लिए डिज़ाइन किया गया है और इसमें उत्कृष्ट धूलरोधी, जलरोधी और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग है।वितरण के दौरान अधिकतम सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए सभी पैकेज एक कार्डबोर्ड बॉक्स और कार्टन के अंदर रखे जाते हैंइस उत्पाद के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है। भुगतान की शर्तें 100% टी / टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं। पूरी उत्पादन प्रक्रिया गुआंग्डोंग, सीएन में की जाती है।आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है और इसमें उच्च EAS क्षमता है।इसमें एक अनूठा खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग भी है जो छोटे आरएसपी प्रदान करता है, श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन दोनों को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।यह भी एक सफलता FOM अनुकूलन है कि अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है.

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए पेशेवर तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। विशेषज्ञों की हमारी टीम आपके पास किसी भी मुद्दे के साथ आपकी मदद करने के लिए यहां है।हमारे अनुभवी तकनीशियन स्थापना में मदद कर सकते हैं, समस्या निवारण, और अपने कम वोल्टेज MOSFET प्रणाली के रखरखाव.

हम आपको प्रशिक्षण और शैक्षिक संसाधन भी प्रदान करते हैं ताकि आप प्रौद्योगिकी को बेहतर ढंग से समझ सकें और इसका उपयोग कैसे करें। हम ट्यूटोरियल, मैनुअल,और वीडियो आप अपने कम वोल्टेज MOSFET प्रणाली से सबसे बाहर पाने में मदद करने के लिए.

यदि आपके कोई प्रश्न हैं या सहायता की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।हमारी ग्राहक सेवा टीम आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने और जरूरत पड़ने पर सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है।.

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET पैकेजिंग और शिपिंग

पैकेजिंगः कम वोल्टेज MOSFET को एक बॉक्स में सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा जिसमें फोम सुरक्षा होगी ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि यह परिवहन के दौरान संरक्षित है।

शिपिंग: लो वोल्टेज एमओएसएफईटी को एक विश्वसनीय कूरियर सेवा जैसे यूपीएस, फेडएक्स या डीएचएल के माध्यम से शिप किया जाएगा और यात्रा के दौरान ट्रैक किया जाएगा।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम REASUNOS है।

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का मूल स्थान कहाँ है?
उत्तर: कम वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, CN है।

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट की कीमत क्या है?
उत्तर: उत्पाद के आधार पर निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत की पुष्टि की जानी चाहिए।

प्रश्न: निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग विवरण क्या है?
उत्तर: निम्न वोल्टेज मोस्फेट के लिए पैकेजिंग विवरण धूलरोधी, जलरोधी और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा गया है।

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट के लिए डिलीवरी का समय कितना है?
उत्तर: कम वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) ।

प्रश्न: निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए भुगतान की शर्तें क्या हैं?
A: निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% T/T हैं।

प्रश्न: प्रति माह कितने निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी की आपूर्ति की जा सकती है?
उत्तर: निम्न वोल्टेज मोस्फेट के लिए आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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