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Interruttore HF MOSFET a bassa tensione pratico per rettifica sincrona

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Consumo di energia Perdita di potere basso Processo di struttura Trincea/SGT
efficienza Alta efficienza e affidabilità Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Resistenza RDS basso (SOPRA) Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione

,

MOSFET sincrono a bassa tensione

,

MOSFET pratico a bassa VGS
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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Descrizione di prodotto

Low VGS MOSFET per rettifica sincrona con bassa perdita di potenza

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un mosfet di potenza che funziona a bassa tensione consentendo un basso consumo di energia.interruttore ad alta frequenzaI suoi principali vantaggi sono dovuti al suo processo di trincea, che si traduce in un RDS ((ON) e RSP più bassi,e consente anche di utilizzare sia le configurazioni in serie che quelle parallele in modo libero ed efficienteInoltre, le applicazioni di processo SGT sono utilizzate anche per il driver del motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Il MOSFET a bassa tensione è ampiamente utilizzato in varie applicazioni a causa della sua bassa perdita di potenza, bassa RDS ((ON) e piccola RSP. È perfetto per soluzioni che richiedono elevata efficienza e prestazioni.Con la sua capacità di bassa tensione e alta corrente, sta diventando sempre più popolare per una conversione di potenza efficiente e affidabile.

 

Parametri tecnici:

Immobili MOSFET a bassa tensione
Processo Fossa/SGT
Applicazione Ricarica wireless, ricarica veloce, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona, stazione base 5G, accumulo di energia
Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, copre più applicazioni, RSP più piccolo, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Resistenza Basso Rds ((ON)
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione di REASUNOS può fornire soluzioni di alta efficienza e affidabilità basate sul suo processo SGT.può ridurre efficacemente la perdita di potenza e assicurarsi che sia adatto per il conducente di un veicolo, stazione base 5G, stoccaggio di energia, interruttore ad alta frequenza, rettificazione sincrona e altre applicazioni correlate.e imballaggi tubulari antistaticiIl prezzo è competitivo e sarà confermato in base alla quantità. Il tempo di consegna varia da 2-30 giorni a seconda della quantità totale, mentre la capacità di fornitura è fino a 5KK / mese.Termini di pagamento: 100% T/T in anticipo (EXW).

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Siamo qui per fornire ai nostri clienti il più alto livello di supporto tecnico e servizio per i prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di ingegneri esperti è a disposizione per rispondere a qualsiasi domanda e fornire indicazioni su come utilizzare al meglio i nostri prodotti.

Forniamo una gamma completa di servizi, tra cui supporto per l'installazione e la manutenzione, risoluzione e riparazione dei problemi e formazione tecnica.compresi i manuali del prodottoIl nostro team è disponibile per fornire consulenza e supporto personalizzati per la vostra applicazione specifica.

Ci impegniamo a fornire la migliore esperienza possibile al cliente. Se avete domande o dubbi sui nostri prodotti MOSFET a bassa tensione, non esitate a contattarci.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione

I MOSFET a bassa tensione sono confezionati e spediti utilizzando metodi standard per garantire la sicurezza e la qualità.per evitare danni durante la spedizioneI pacchetti vengono quindi sigillati e etichettati con un numero di tracciamento per un facile tracciamento e consegna.

I pacchetti vengono quindi spediti al cliente utilizzando il servizio di spedizione di sua scelta.I clienti possono aspettarsi che i loro ordini arrivino entro il tempo di consegna stimato.

 

FAQ:

D1: Qual è la marca del MOSFET a bassa tensione?

A1:Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?

A2:Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, Cina.

Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3:Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è il prezzo confermato in base al prodotto.

Q4: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?

A4:Il MOSFET a bassa tensione è confezionato con un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo ci vuole per consegnare il MOSFET a bassa tensione?

A5:Ci vogliono da 2 a 30 giorni per consegnare il MOSFET a bassa tensione, a seconda della quantità totale.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base