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MOSFET de baja tensión de conmutador HF práctico para rectificación síncrona

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Proceso de estructura Trinchera/SGT
eficiencia Alta eficiencia y confiable Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resaltar

MOSFET de baja tensión

,

MOSFET sincrónico de bajo voltaje

,

MOSFET práctico de baja VGS
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de baja VGS para rectificación síncrona con baja pérdida de potencia

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un mosfet de potencia que funciona a bajo voltaje permitiendo un bajo consumo de energía.interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona y más. Sus principales ventajas se deben a su proceso de zanja, que resulta en un menor RDS ((ON) y RSP,y también permite que las configuraciones en serie y paralelas se utilicen de forma libre y eficienteAdemás, las aplicaciones del proceso SGT también se utilizan para el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

El MOSFET de bajo voltaje se utiliza ampliamente en varias aplicaciones debido a su baja pérdida de energía, bajo RDS ((ON) y pequeño RSP. Es perfecto para soluciones que requieren alta eficiencia y rendimiento.Con su capacidad de baja tensión y alta corriente, se está volviendo cada vez más popular para una conversión de energía eficiente y confiable.

 

Parámetros técnicos:

Propiedad MOSFET de baja tensión
Proceso En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona, estación base 5G, almacenamiento de energía
Ventajas Optimización de FOM innovadora, que cubre más aplicaciones, RSP más pequeño, ambas configuraciones en serie y paralelas se pueden combinar y utilizar libremente
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS puede proporcionar soluciones de alta eficiencia y fiabilidad basadas en su proceso SGT.puede reducir eficazmente la pérdida de potencia y asegurarse de que es adecuado para el conductor de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia, rectificación síncrona y otras aplicaciones relacionadas.y envases tubulares antistaticosEl precio es competitivo y se confirmará en función de la cantidad. El tiempo de entrega varía de 2 a 30 días dependiendo de la cantidad total, mientras que la capacidad de suministro es de hasta 5KK / mes.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Estamos aquí para proporcionar a nuestros clientes el más alto nivel de soporte técnico y servicio para productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros experimentados está a su disposición para responder a cualquier pregunta que pueda tener y para proporcionar orientación sobre la mejor utilización de nuestros productos.

Proporcionamos una amplia gama de servicios, incluyendo apoyo de instalación y mantenimiento, solución de problemas y reparación, y capacitación técnica.incluidos los manuales del productoNuestro equipo está disponible para brindarle asesoramiento y apoyo personalizados para su solicitud específica.

Si tiene alguna pregunta o inquietud sobre nuestros productos MOSFET de bajo voltaje, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de baja tensión

Los MOSFET de bajo voltaje se empaquetan y envían utilizando métodos estándar para garantizar la seguridad y la calidad.para evitar daños durante el transporteLos paquetes son sellados y etiquetados con un número de seguimiento para facilitar el seguimiento y la entrega.

Los paquetes se envían al cliente utilizando el servicio de envío de su elección. Las opciones de envío varían según el tipo de producto, destino de envío y otros factores.Los clientes pueden esperar que sus pedidos lleguen dentro del tiempo de entrega estimado.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿ Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?

A1: ¿Qué es esto?La marca de MOSFET de Bajo Voltado es REASUNOS.

P2: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?

A2: ¿Qué es esto?El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

A3: ¿Qué es eso?El precio del MOSFET de bajo voltaje es el precio de confirmación basado en el producto.

P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?

A4: No hay más.El MOSFET de bajo voltaje está empaquetado con embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P5: ¿Cuánto tiempo se tarda en entregar el MOSFET de bajo voltaje?

A5: No se puedeSe tarda 2-30 días en entregar el MOSFET de bajo voltaje, dependiendo de la cantidad total.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base