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MOSFET de baixa voltagem prático para retificação síncrona

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
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Detalhes do produto
Consumo de energia Perda de baixa potência processo de estrutura Trincheira/SGT
eficiência Alta eficiência e confiável Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Resistência Baixo RDS (SOBRE) Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
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MOSFET de baixa tensão

,

MOSFET de baixa tensão síncrono

,

MOSFET prático com baixo VGS
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixo VGS para retificação síncrona com baixa perda de energia

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um mosfet de potência que funciona a baixa tensão, permitindo um baixo consumo de energia.Comutador de alta frequência, retificação síncrona e muito mais. Suas principais vantagens são devido ao seu processo de trincheira, que resulta em RDS mais baixo ((ON) e RSP,e também permite que as configurações em série e paralelas sejam usadas de forma livre e eficienteAlém disso, as aplicações do processo SGT também são utilizadas para motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

O MOSFET de baixa tensão é amplamente usado em várias aplicações devido à sua baixa perda de energia, baixa RDS ((ON) e pequeno RSP. É perfeito para soluções que exigem alta eficiência e desempenho.Com a sua capacidade de baixa tensão e alta corrente, está a tornar-se cada vez mais popular para uma conversão de energia eficiente e fiável.

 

Parâmetros técnicos:

Imóveis MOSFET de baixa tensão
Processo Tranche/SGT
Aplicação Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona, estação base 5G, armazenamento de energia
Vantagens Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações, RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente
Consumo de energia Baixa perda de potência
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixa Rds ((ON)
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão da REASUNOS pode fornecer soluções de alta eficiência e confiabilidade com base em seu processo SGT.pode reduzir eficazmente a perda de energia e certifique-se de que é adequado para motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona e outras aplicações relacionadas.e embalagens tubulares antiestáticasO preço é competitivo e será confirmado com base na quantidade. O tempo de entrega varia de 2-30 dias dependendo da quantidade total, enquanto a capacidade de fornecimento é de até 5KK / mês.Termos de pagamento: 100% T/T adiantado (EXW).

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Estamos aqui para fornecer aos nossos clientes o mais alto nível de suporte técnico e serviço para produtos MOSFET de baixa tensão.Nossa equipe de engenheiros experientes está disponível para responder a qualquer pergunta que você possa ter e para fornecer orientação sobre a melhor utilização de nossos produtos.

Oferecemos uma gama abrangente de serviços, incluindo suporte de instalação e manutenção, solução de problemas e reparação, e formação técnica.Incluindo os manuais do produtoA nossa equipa está disponível para fornecer aconselhamento e apoio personalizados para a sua candidatura específica.

Se você tiver quaisquer dúvidas ou preocupações sobre nossos produtos MOSFET de baixa tensão, não hesite em entrar em contato conosco.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão

Os MOSFETs de baixa tensão são embalados e enviados utilizando métodos padrão para garantir a segurança e a qualidade.Para evitar danos durante o transporteOs pacotes são então selados e rotulados com um número de rastreamento para facilitar o rastreamento e a entrega.

As opções de envio variam dependendo do tipo de produto, destino de envio e outros fatores.Os clientes podem esperar que as suas encomendas cheguem dentro do prazo de entrega estimado.

 

Perguntas frequentes:

P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?

A1:A marca do MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.

P2: Onde está o local de origem do MOSFET de baixa tensão?

A2:O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, China.

P3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?

A3:O preço do MOSFET de baixa tensão é o preço confirmado com base no produto.

Q4: Como é o MOSFET de baixa tensão embalado?

A4:O MOSFET de baixa tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

P5: Quanto tempo demora a entrega do MOSFET de baixa tensão?

A5:Demora 2-30 dias para entregar o MOSFET de baixa tensão, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base