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एचएफ स्विच कम वोल्टेज एमओएसएफईटी सिंक्रोनस सुधार के लिए व्यावहारिक

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
बिजली की खपत कम बिजली हानि संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
प्रमुखता देना

स्विच कम वोल्टेज MOSFET

,

सिंक्रोन कम वोल्टेज MOSFET

,

व्यावहारिक कम वीजीएस मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

कम शक्ति हानि के साथ सिंक्रोनस सुधार के लिए कम वीजीएस एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज मोस्फेट एक पावर मोस्फेट है जो कम वोल्टेज पर काम करता है जिससे कम बिजली की खपत होती है। इसका उपयोग मुख्य रूप से वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर,उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन और अधिक। इसके मुख्य फायदे इसकी खाई प्रक्रिया के कारण हैं, जिसके परिणामस्वरूप कम आरडीएस ((ओएन) और आरएसपी,और यह भी दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से और कुशलता से इस्तेमाल किया जा करने के लिए अनुमति देता हैइसके अतिरिक्त, एसजीटी प्रक्रिया अनुप्रयोगों का उपयोग मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए भी किया जाता है।

कम वोल्टेज MOSFET का उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों में इसकी कम शक्ति हानि, कम RDS ((ON) और छोटे RSP के कारण व्यापक रूप से किया जाता है। यह उन समाधानों के लिए एकदम सही है जिनके लिए उच्च दक्षता और प्रदर्शन की आवश्यकता होती है।अपने निम्न वोल्टेज और उच्च वर्तमान क्षमता के साथ, यह कुशल और विश्वसनीय बिजली रूपांतरण के लिए तेजी से लोकप्रिय हो रहा है।

 

तकनीकी मापदंडः

संपत्ति कम वोल्टेज MOSFET
प्रक्रिया खाई/एसजीटी
आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेन्सी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण
लाभ सफलता FOM अनुकूलन, अधिक आवेदन को कवर, छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता है
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS का कम वोल्टेज MOSFET अपनी SGT प्रक्रिया के आधार पर उच्च दक्षता और विश्वसनीय समाधान प्रदान कर सकता है।यह प्रभावी ढंग से शक्ति हानि को कम कर सकते हैं और यह सुनिश्चित करें कि यह मोटर चालक के लिए उपयुक्त है, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन और अन्य संबंधित अनुप्रयोग। उत्पाद उच्च गुणवत्ता का है और धूल प्रतिरोधी, जल प्रतिरोधी,और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग. कीमत प्रतिस्पर्धी है और मात्रा के आधार पर पुष्टि की जाएगी। कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिनों से लेकर है, जबकि आपूर्ति क्षमता 5KK/महीने तक है।भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी हैं ((EXW).

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने ग्राहकों को निम्न वोल्टेज मोस्फेट उत्पादों के लिए उच्चतम स्तर की तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए यहां हैं।अनुभवी इंजीनियरों की हमारी टीम आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने और हमारे उत्पादों का सर्वोत्तम उपयोग करने के लिए मार्गदर्शन प्रदान करने के लिए तैयार है.

हम स्थापना और रखरखाव समर्थन, समस्या निवारण और मरम्मत, और तकनीकी प्रशिक्षण सहित सेवाओं की एक व्यापक श्रृंखला प्रदान करते हैं। हम ऑनलाइन संसाधनों की एक श्रृंखला भी प्रदान करते हैं,उत्पाद पुस्तिकाओं सहितहमारी टीम आपके विशिष्ट आवेदन के लिए व्यक्तिगत सलाह और सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है।

हम सर्वोत्तम संभव ग्राहक अनुभव प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं। यदि आपके पास हमारे निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के बारे में कोई प्रश्न या चिंताएं हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग

निम्न वोल्टेज MOSFET को सुरक्षा और गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए मानक तरीकों का उपयोग करके पैक और शिप किया जाता है। उत्पादों को सुरक्षात्मक सामग्री में सुरक्षित रूप से पैक किया जाता है, जैसे कि बुलबुला लपेट या फोम,शिपिंग के दौरान क्षति को रोकने के लिएपैकेज को फिर सील कर दिया जाता है और आसानी से ट्रैक करने और डिलीवरी के लिए ट्रैकिंग नंबर के साथ लेबल किया जाता है।

पैकेज को उसके बाद ग्राहक को उनकी पसंद की शिपिंग सेवा का उपयोग करके भेज दिया जाता है। शिपिंग विकल्प उत्पाद के प्रकार, शिपिंग गंतव्य और अन्य कारकों के आधार पर भिन्न होते हैं।ग्राहक अपने आदेशों के अनुमानित वितरण समय के भीतर आने की उम्मीद कर सकते हैं.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड क्या है?

A1:निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड REASUNOS है।

Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

A2:निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।

Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

A3:निम्न वोल्टेज मोस्फेट की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि मूल्य है।

Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET को कैसे पैक किया जाता है?

A4:निम्न वोल्टेज मोस्फेट को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5: निम्न वोल्टेज MOSFET को वितरित करने में कितना समय लगता है?

A5:कुल मात्रा के आधार पर निम्न वोल्टेज MOSFET देने में 2-30 दिन लगते हैं।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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