Semua produk
Kontak Person : Anita Yin
Nomor telepon : +86 13712219843
Ada apa : +8613712219843

HF Switch MOSFET Tegangan Rendah Praktis Untuk Rektifisasi Sinkron

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
Tempat asal Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Kemasan rincian Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran 100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan 5KK/bulan

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah Proses struktur Parit/SGT
efisiensi Efisiensi Tinggi Dan Andal Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Keuntungan proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. Aplikasi proses SGT Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron.
Perlawanan Rds Rendah (AKTIF) Keuntungan proses parit RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas.
Menyoroti

Switch MOSFET Tegangan Rendah

,

MOSFET Tegangan Rendah Sinkron

,

MOSFET VGS Rendah yang Praktis
Anda dapat mencentang produk yang Anda butuhkan dan berkomunikasi dengan kami di papan pesan.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Tinggalkan pesan
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Deskripsi Produk

MOSFET VGS rendah untuk rectifikasi sinkron dengan kehilangan daya rendah

Deskripsi produk:

Low Voltage MOSFET adalah power mosfet yang bekerja pada tegangan rendah yang memungkinkan konsumsi daya yang rendah.saklar frekuensi tinggiKeuntungan utamanya adalah karena proses paritnya, yang menghasilkan RDS ((ON) dan RSP yang lebih rendah,dan juga memungkinkan kedua seri dan konfigurasi paralel untuk digunakan dengan bebas dan efisienSelain itu, aplikasi proses SGT juga digunakan untuk pengemudi motor, stasiun basis 5G, penyimpanan energi, saklar frekuensi tinggi dan rectifikasi sinkron.

MOSFET Tegangan Rendah digunakan secara luas dalam berbagai aplikasi karena kehilangan daya rendah, RDS (ON) rendah dan RSP kecil.Dengan tegangan rendah dan kemampuan arus tinggi, semakin populer untuk konversi daya yang efisien dan dapat diandalkan.

 

Parameter teknis:

Properti MOSFET Tegangan Rendah
Proses Trench/SGT
Aplikasi Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, switch frekuensi tinggi, koreksi sinkron, stasiun dasar 5G, penyimpanan energi
Keuntungan Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi, RSP yang Lebih Kecil, Konfigurasi Seri dan Paralel Bisa Digabungkan Dan Digunakan Secara Bebas
Konsumsi Daya Kerugian Daya Rendah
Kemampuan EAS Kemampuan EAS yang tinggi
Resistensi Rds rendah ((ON)
Efisiensi Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
 

Aplikasi:

MOSFET Tegangan Rendah dari REASUNOS dapat memberikan efisiensi tinggi dan solusi yang dapat diandalkan berdasarkan proses SGT-nya.itu dapat secara efektif mengurangi kehilangan daya dan memastikan itu cocok untuk pengemudi motor, 5G base station, penyimpanan energi, switch frekuensi tinggi, rektifisasi sinkron dan aplikasi terkait lainnya.dan kemasan tabung anti-statis. Harga yang kompetitif dan akan dikonfirmasi berdasarkan jumlah. rentang waktu pengiriman dari 2-30 hari tergantung pada jumlah total, sementara kemampuan pasokan adalah hingga 5KK / bulan.Syarat pembayaran adalah 100% T / T di muka ((EXW).

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Tegangan Rendah

Kami di sini untuk menyediakan pelanggan kami dengan tingkat tertinggi dukungan teknis dan layanan untuk produk MOSFET Tegangan Rendah.Tim insinyur berpengalaman kami siap menjawab pertanyaan Anda dan memberikan panduan tentang cara terbaik untuk menggunakan produk kami.

Kami menyediakan berbagai layanan, termasuk dukungan instalasi dan pemeliharaan, pemecahan masalah dan perbaikan, dan pelatihan teknis.termasuk manual produkTim kami tersedia untuk memberikan saran dan dukungan yang dipersonalisasi untuk aplikasi spesifik Anda.

Kami berkomitmen untuk memberikan pengalaman pelanggan yang terbaik. Jika Anda memiliki pertanyaan atau kekhawatiran tentang produk MOSFET Tegangan Rendah kami, jangan ragu untuk menghubungi kami.

 

Kemasan dan Pengiriman:

Kemasan dan Pengiriman untuk MOSFET Tegangan Rendah

MOSFET Tegangan Rendah dikemas dan dikirim menggunakan metode standar untuk memastikan keamanan dan kualitas.untuk mencegah kerusakan selama pengirimanPaket kemudian disegel dan diberi label dengan nomor pelacakan untuk pelacakan dan pengiriman yang mudah.

Paket kemudian dikirim ke pelanggan menggunakan layanan pengiriman pilihan mereka. Pilihan pengiriman bervariasi tergantung pada jenis produk, tujuan pengiriman, dan faktor lainnya.Pelanggan dapat mengharapkan pesanan mereka tiba dalam waktu pengiriman yang diperkirakan.

 

FAQ:

T1: Apa merek MOSFET Tegangan Rendah?

A1:Merek MOSFET Tegangan Rendah adalah REASUNOS.

T2: Di mana tempat asal MOSFET Tegangan Rendah?

A2:Tempat asal MOSFET Tegangan Rendah adalah Guangdong, Cina.

T3: Berapa harga MOSFET Tegangan Rendah?

A3:Harga MOSFET Tegangan Rendah adalah harga konfirmasi berdasarkan produk.

T4: Bagaimana MOSFET Tegangan Rendah dikemas?

A4:MOSFET Tegangan Rendah dikemas dengan kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.

T5: Berapa lama waktu yang dibutuhkan untuk mengirimkan MOSFET Tegangan Rendah?

A5:Dibutuhkan 2-30 hari untuk mengirimkan MOSFET Tegangan Rendah, tergantung pada jumlah total.

Tag:

N Saluran Mosfet Tegangan Sempadan Rendah

Stabil Low Power P Channel Mosfet

MOSFET tegangan rendah stasiun dasar