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低電圧 MOSFET Nチャネル 自動車運転手のための多目的

  • Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose For Motor Driver
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
電力消費量 低い電力の損失 EAS機能 高い EAS 機能
構造プロセス トレンチ/SGT SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 抵抗 低いRDS （）
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 製品名 低電圧MOSFET
ハイライト

低電圧MOSFETの高速充電

,

低電圧MOSFET Nチャネル

,

多目的低電源 Nチャネルモスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

トレンチプロセスの利点を持つより小さなRSP低電圧MOSFET

製品説明:

低電圧MOSFETは,低電源アプリケーションのために特別に設計された高性能低電圧金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) である.特殊なSGTプロセスで作られています低Rds ((ON) 抵抗と高いEAS (エネルギー蓄積システム) 能力などの優れた電気特性を提供します.この製品はさまざまな用途に適しています.自動車運転手を含む5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチと同期直線.低電圧MOSFETは,トレントとSGT構造プロセスの両方で利用できます.優れた性能と信頼性を提供できるようにする低VGS (Gate-to-Source Voltage) と優れたスイッチング性能を提供し,低電力アプリケーションに最適です.

 

技術パラメータ:

製品名 特徴
低電圧MOSFET RSPが小さい,高効率で信頼性がある,Rdsは低 (ON),電力の損失は低い
プロセス 利点/適用
溝 小型のRSP, 連続型と並行型の両方を自由に組み合わせて利用できます 無線充電,高速充電,モータードライバー,DC/DC変換器,高周波スイッチ,同期修正.
SGT 突破的なFOM最適化,より多くのアプリケーションをカバーする モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期修正
EAS 能力 高いEAS能力
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは,低電圧と低Rds(ONの高性能半導体装置である.モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ. 製品は高品質の材料ででき,そのパッケージは防塵,防水,抗静的です. 管状のパッケージに入れて,その後,紙箱と箱に入れます.この製品は競争力のある価格と短い配達期間で入手できますさらに,この製品は中国広東で製造されており,月5KKの供給能力が利用可能である.

REASUNOS低電圧MOSFETは,突破的なFOM最適化で知られており,これまで以上に多くのアプリケーションをカバーしています.新しいSGTプロセスは採用されています.RSP のサイズが小さく,並列設定と連続設定の両方を自由に組み合わせて利用できるさらに,溝処理も利用可能で,RSPが小さく,並列配置も可能です.

REASUNOS低電圧MOSFETは,優れた性能と競争力のある価格のためにあなたの最良の選択です.顧客は,100%T/Tを事前に選択することができます.ニーズに応じて.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧MOSFET製品に 最良の技術サポートとサービスを提供することに コミットしています製品に関する質問に答えるために利用可能です..

製品が最高品質と性能の基準に 準拠することを目指しています また,製品に全面的な保証も提供しています材料や工芸の欠陥をカバーする.

低電圧 MOSFET 製品について質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

低電圧 MOSFET 製品は,反静的素材で包装され,密閉された紙箱に送られます. 送料は信頼性の高い宅配サービスを使用して行われます.商品は,お客様が慎重に扱わなければならないし,機械的電気ショックや熱ショックです

 

FAQ:

Q1:低電圧MOSFETとは何か?

A1:低電圧MOSFETは,低電圧アプリケーションのために設計された金属酸化半導体フィールド効果トランジスタの一種である.高電流をオン/オフに切り替えるために使用される電力MOSFETである.

Q2:低電圧MOSFETのブランドは何ですか?

A2:低電圧MOSFETのブランドは REASUNOSです

Q3:低電圧MOSFETはどこで製造されていますか?

A3:Low Voltage MOSFETは中国の広東で製造されています

Q4:低電圧MOSFETのコストは?

A4:低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます.

Q5:低電圧MOSFETのパッケージは?

A5: 低電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.

札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET