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MOSFET de carga rápida de baja tensión N canal multipropósito para conductor de motor

  • Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose For Motor Driver
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Proceso de estructura Trinchera/SGT Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Resaltar

MOSFET de baja tensión de carga rápida

,

MOSFET de baja tensión canal N

,

MOSFET de bajo rendimiento de canal N multiuso
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de bajo voltaje RSP más pequeño con ventajas del proceso de zanja

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET) de alto rendimiento y bajo umbral de voltaje, que está diseñado específicamente para aplicaciones de baja potencia.Se fabrica con un proceso especial de SGT, que garantiza unas características eléctricas superiores, como una baja resistencia Rds ((ON) y una alta capacidad EAS (Energy Accumulation System).incluido el conductor, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.que le permita ofrecer un rendimiento y una fiabilidad excelentesOfrece un bajo VGS (Gate-to-Source Voltage) y un excelente rendimiento de conmutación, lo que lo hace ideal para aplicaciones de baja potencia.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto Características
MOSFET de baja tensión RSP más pequeño, alta eficiencia y fiabilidad, baja Rds ((ON), baja pérdida de energía
Proceso Ventajas/aplicación
En la zanja RSP más pequeño, ambas configuraciones de serie y paralela pueden combinarse y utilizarse libremente, carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC, interruptor de alta frecuencia,Rectificación sincrónica.
SGT Optimización de FOM innovadora, que cubre más aplicaciones, controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
 

Aplicaciones:

REASUNOS Low Voltage MOSFET es un dispositivo semiconductor de alto rendimiento con bajo voltaje y bajo Rds ((ON).y conmutador de alta frecuenciaEl producto está hecho de materiales de alta calidad, y su embalaje es a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático. Se coloca en un embalaje tubular y luego en una caja de cartón y cartones.El producto está disponible con un precio competitivo y un tiempo de entrega cortoAdemás, el producto se fabrica en Guangdong, China, y una capacidad de suministro de 5KK / mes está disponible.

Reasonos Low Voltage MOSFET también es conocido por su optimización FOM innovadora y cubre más aplicaciones que nunca.que permite un RSP más pequeño y permite que las configuraciones en serie y paralelas se combinen y utilicen librementeAdemás, el proceso de trinchera también está disponible, ofreciendo ventajas tales como RSP más pequeño y configuraciones tanto en serie como en paralelo.

REASUNOS Low Voltage MOSFET es su mejor opción por su excelente rendimiento y precio competitivo. Los clientes pueden elegir los términos de pago adecuados, como 100% T/T por adelantado ((EXW),según sus necesidades.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

En XYZ Corporation, estamos comprometidos a proporcionar el mejor soporte técnico y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros altamente capacitados está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre nuestros productos.

Nos esforzamos por asegurarnos de que nuestros productos cumplan con los más altos estándares de calidad y rendimiento.que cubre cualquier defecto de material o de mano de obra.

Si tiene alguna pregunta o necesita ayuda con nuestros productos MOSFET de bajo voltaje, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

Los productos MOSFET de bajo voltaje se empaquetarán en material antistatico y se enviarán en cajas de cartón selladas.El producto debe ser manipulado con cuidado por el cliente y no debe estar expuesto a ningún tipo de, descarga eléctrica o térmica.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?

A1: MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor, que está diseñado para aplicaciones de bajo voltaje.

P2: ¿Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?

R2: La marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P3: ¿Dónde se fabrica el MOSFET de bajo voltaje?

R3: El MOSFET de bajo voltaje se fabrica en Guangdong, China.

P4: ¿Cuánto cuesta el MOSFET de bajo voltaje?

R4: El precio del MOSFET de bajo voltaje se confirma en función del producto.

P5: ¿Cuál es el embalaje del MOSFET de bajo voltaje?

R5: El MOSFET de bajo voltaje está envasado con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base