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Carregamento rápido MOSFET de baixa tensão N-Channel Multipurpose para motorista

  • Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose For Motor Driver
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Consumo de energia Perda de baixa potência Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
processo de estrutura Trincheira/SGT Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Nome do produto MOSFET de baixa tensão
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MOSFET de baixa tensão de carregamento rápido

,

MOSFET de baixa tensão N canal

,

Mosfet de baixo consumo multifuncional
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão RSP menor com vantagens do processo de trincheira

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor de baixa tensão (MOSFET) de alto desempenho, projetado especificamente para aplicações de baixa potência.É fabricado com um processo especial de SGT, que assegura características eléctricas superiores, tais como baixa resistência Rds ((ON) e elevada capacidade EAS (Energy Accumulation System).Incluindo motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.permitindo-lhe proporcionar um excelente desempenho e fiabilidadeOferece baixo VGS (Gate-to-Source Voltage) e excelente desempenho de comutação, tornando-o ideal para aplicações de baixa potência.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto Características
MOSFET de baixa tensão RSP menor, alta eficiência e fiabilidade, baixo Rds ((ON), baixa perda de energia
Processo Vantagens/Aplicação
Trilha RSP menor, ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas, carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência,Rectificação sincrónica.
SGT Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações, motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
 

Aplicações:

REASUNOS MOSFET de baixa tensão é um dispositivo semicondutor de alto desempenho com baixa tensão e baixa Rds ((ON).e interruptor de alta frequênciaO produto é feito de materiais de alta qualidade, e sua embalagem é à prova de poeira, à prova de água e antiestática.O produto está disponível com preço competitivo e curto prazo de entregaAlém disso, o produto é fabricado em Guangdong, na China, e uma capacidade de fornecimento de 5KK / mês está disponível.

O MOSFET de baixa tensão REASUNOS é também conhecido pela sua otimização FOM inovadora e abrange mais aplicações do que nunca.que permite um RSP menor e permite que as configurações em série e paralelas sejam combinadas e utilizadas livrementeAlém disso, o processo de trincheira também está disponível, oferecendo vantagens como RSP menor e configurações em série e paralelas.

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é a sua melhor escolha pelo seu excelente desempenho e preço competitivo. Os clientes podem escolher os termos de pagamento adequados, como 100% T/T antecipadamente ((EXW),De acordo com as suas necessidades.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Na XYZ Corporation, estamos comprometidos em fornecer o melhor suporte técnico e serviço para nossos produtos MOSFET de baixa tensão.Nossa equipe de engenheiros altamente treinados está disponível para responder a qualquer pergunta que você possa ter sobre nossos produtos.

Procuramos garantir que os nossos produtos cumpram os mais elevados padrões de qualidade e desempenho.que cobre quaisquer defeitos de material ou de fabrico.

Se você tiver alguma dúvida ou precisar de assistência com nossos produtos MOSFET de baixa voltagem, não hesite em entrar em contato conosco.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

Os produtos MOSFET de baixa tensão serão embalados em material antiestático e enviados em caixas de papelão seladas.O produto deve ser manuseado com cuidado pelo cliente e não deve ser exposto a quaisquer, choque elétrico ou térmico.

 

Perguntas frequentes:

P1: O que é um MOSFET de baixa tensão?

A1: O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor, projetado para aplicações de baixa tensão.

P2: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?

R2: A marca do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.

P3: Onde é fabricado o MOSFET de baixa tensão?

A3: O MOSFET de baixa tensão é fabricado em Guangdong, China.

Q4: Quanto custa o MOSFET de baixa tensão?

R4: O preço do MOSFET de baixa tensão é confirmado com base no produto.

Q5: Qual é a embalagem do MOSFET de baixa tensão?

A5: O MOSFET de Baixa Tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base