MOSFET a bassa tensione di ricarica rapida multiuso per autisti

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Consumo di energia Perdita di potere basso Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Processo di struttura Trincea/SGT Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Resistenza RDS basso (SOPRA)
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione di ricarica rapida

,

MOSFET a bassa tensione canale N

,

Mosfet multiuso a bassa potenza

Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione RSP più piccolo con vantaggi del processo di trincea

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un transistor a effetto campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) ad alta prestazione e a bassa soglia di tensione, specificamente progettato per applicazioni a bassa potenza.È realizzato con uno speciale processo SGT, che garantisce caratteristiche elettriche superiori, come una bassa resistenza Rds ((ON) e un'elevata capacità EAS (Energy Accumulation System).compresi i conducenti, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza e rettificazione sincrona.che gli consentano di fornire prestazioni e affidabilità eccellentiOffre basse VGS (Gate-to-Source Voltage) ed eccellenti prestazioni di commutazione, rendendolo ideale per applicazioni a bassa potenza.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto Caratteristiche
MOSFET a bassa tensione RSP più piccolo, elevata efficienza e affidabilità, bassa Rds ((ON), bassa perdita di potenza
Processo Vantaggi/applicazione
Trincea RSP più piccolo, sia in serie che in parallelo, può essere combinato e utilizzato liberamente, ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza,Rettifica sincrona.
SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, coprendo più applicazioni, driver motore, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un dispositivo semiconduttore ad alte prestazioni con bassa tensione e basso Rds ((ON).e interruttore ad alta frequenza. Il prodotto è realizzato con materiali di alta qualità e il suo imballaggio è a prova di polvere, impermeabile e antistatico.Il prodotto è disponibile a prezzi competitivi e tempi di consegna breviInoltre, il prodotto è fabbricato a Guangdong, in Cina, e è disponibile una capacità di approvvigionamento di 5KK/mese.

REASUNOS Low Voltage MOSFET è anche noto per la sua ottimizzazione FOM rivoluzionaria e copre più applicazioni che mai.che consente una RSP più piccola e consente di combinare e utilizzare liberamente sia le configurazioni in serie che quelle paralleleInoltre, è disponibile anche il processo di trincea, che offre vantaggi quali RSP più piccoli e configurazioni sia in serie che in parallelo.

REASUNOS Low Voltage MOSFET è la scelta migliore per le sue eccellenti prestazioni e il prezzo competitivo.secondo le loro esigenze.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

In XYZ Corporation, ci impegniamo a fornire il miglior supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di ingegneri altamente qualificati è disponibile per rispondere a tutte le domande che potreste avere sui nostri prodotti.

Ci sforziamo di garantire che i nostri prodotti soddisfino i più alti standard di qualità e prestazioni.che copre eventuali difetti di materiale o di fabbricazione.

Se avete domande o avete bisogno di assistenza con i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione, non esitate a contattarci.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

I prodotti MOSFET a bassa tensione saranno confezionati in materiale antistatico e spediti in scatole di cartone sigillate.Il prodotto deve essere manipolato con cura dal cliente e non deve essere esposto a alcun effetto meccanico, scosse elettriche o termiche.

 

FAQ:

Q1: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?

A1: Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido metallico, progettato per applicazioni a bassa tensione.

D2: Qual è la marca del MOSFET a bassa tensione?

R2: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D3: Dove viene fabbricato il MOSFET a bassa tensione?

A3: Il MOSFET a bassa tensione è prodotto a Guangdong, in Cina.

Q4: Quanto costa il MOSFET a bassa tensione?

R4: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto.

Q5: Qual è la confezione del MOSFET a bassa tensione?

A5: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato con un imballaggio tubulare antirughe, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.