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Multiscene Niederspannungs-MOSFET-P-Kanal für die Energiespeicherung

  • Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel For Energy Storage SGT Process
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Prozess strukturieren Graben/SGT
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Widerstand Niedriges RDS (AN)
Hervorheben

MOSFET mit mehreren Szenen

,

Niederspannungs-MOSFET-P-Kanal

,

SGT Niederspannungs-P-Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

MOSFET mit niedrigem Leistungsverlust für die Speicherung von Energie

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET ist eine fortschrittliche Transistortechnologie mit geringem Leistungsverlust, die eine niedrige Schwellenspannung, einen geringen Stromverbrauch und einen niedrigen Rds ((ON) aufweist.für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich drahtlosem Laden, Schnellladen, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumwandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Niedrigspannungs-MOSFET ist eine ideale Lösung für diejenigen, die eine niedrige Spannung benötigen, geringer Stromverlust und hoher Wirkungsgrad.

 

Technische Parameter:

Parameter Eigenschaften
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Schützprozess Kleinere RSP
Sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
SGT-Verfahren Durchbruch bei der FOM-Optimierung
Siehe Abschnitt "Weitere Anwendung".
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Strukturprozess Graben/SGT
Schwellenspannung MOSFET mit niedriger Schwellenspannung
Torspannung Niedrigspannungs-MOSFET
 

Anwendungen:

Niederspannungs-MOSFET, Marke REASUNOS, wird in Guangdong, China, hergestellt, und der Preis wird auf dem Produkt basieren.in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die Produktionskapazität beträgt 5KK/Monat und ist sehr effizient und zuverlässig.Es hat zwei Arten von StrukturprozessenDas SGT-Verfahren ist für Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung anwendbar und weist einen geringen Leistungsverlust auf.Das Trenchverfahren hat die Vorteile kleinerer RSP und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Unser Team besteht aus erfahrenen Fachleuten, die bereit sind, alle Fragen zu beantworten.

Unser technisches Supportpersonal kann Ihnen bei der Produktauswahl, Installation, Fehlerbehebung und Wartung helfen.Wir können auch Beratung über bewährte Verfahren anbieten und die notwendigen Ressourcen bereitstellen, um eine erfolgreiche Umsetzung unserer Produkte zu gewährleisten.

Wir bieten auch Reparatur- und Wartungsleistungen vor Ort an. Unsere Techniker sind hochqualifiziert und wissen über den Betrieb und die Funktionsweise unserer Niederspannungs-MOSFET-Produkte Bescheid.Sie können schnell Probleme mit Ihrem System diagnostizieren und beheben..

Wenn Sie Fragen oder Bedenken zu unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.Unser Team ist hier, um zu helfen und bietet das höchste Niveau an technischer Unterstützung und Service.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte werden in einem versiegelten Plastikbeutel verpackt, der dann in eine robuste Kartonbox gelegt wird, um das Produkt vor Schäden während des Versands zu schützen.Die Kiste wird dann mit Klebeband versiegelt und leicht zu identifizieren gekennzeichnetDie Box wird dann über einen seriösen Spediteur wie FedEx, UPS oder DHL versandt.

 

Häufige Fragen:

Fragen und Antworten zu Niederspannungs-MOSFET

F1: Wie heißt der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET?
A2: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.

F3: Wie wäre es mit dem Preis von Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.

F4: Was sind die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET?
A4: Die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einem Karton in Kartons aufbewahrt wird.

F5: Wie sind die Lieferzeiten und Zahlungsbedingungen für Niederspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

F6: Was ist die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET?
A6: Die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET