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Canali MOSFET P a bassa tensione multiscene per lo stoccaggio dell'energia

  • Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel For Energy Storage SGT Process
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione efficienza Alta efficienza e affidabilità
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Consumo di energia Perdita di potere basso
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Processo di struttura Trincea/SGT
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Resistenza RDS basso (SOPRA)
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione multiscene

,

Canali MOSFET P a bassa tensione

,

SGT Basso Voltaggio P Canale Mosfet
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET di potenza a bassa tensione con bassa perdita di potenza per l'applicazione del processo SGT di stoccaggio dell'energia

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è una tecnologia avanzata di transistor a bassa perdita di potenza, che ha una tensione di soglia bassa, un basso consumo di potenza e un basso Rds ((ON).è adatto a una vasta gamma di applicazioni, inclusa la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.Il MOSFET a bassa tensione è una soluzione ideale per chi ha bisogno di bassa tensione, bassa perdita di potenza e elevata efficienza.

 

Parametri tecnici:

Parametro Caratteristiche
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di trincea RSP più piccolo
Sia le configurazioni in serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Processo SGT Ottimizzazione FOM
che coprono più applicazioni.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
resistenza Basso Rds ((ON)
Processo di struttura Fossa/SGT
Voltaggio di soglia MOSFET a bassa tensione di soglia
Voltaggio della porta MOSFET a bassa tensione
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione, marchio REASUNOS, è prodotto nel Guangdong, in Cina, e il prezzo sarà basato sul prodotto.contenenti, in peso, 0,25% o più, ma non più di 0,25% di acido acido, e può essere consegnato in 2-30 giorni, a seconda della quantità totale. I termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo (EXW). La capacità di produzione è di 5KK / mese, ed è altamente efficiente e affidabile.Ha due tipi di processi di strutturaIl processo SGT è applicabile per il driver motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona, e presenta una bassa perdita di potenza.Il processo di trench ha i vantaggi di RSP più piccoli e sia serie e configurazioni parallele possono essere liberamente combinati e utilizzati.
 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Siamo impegnati a fornire supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione. Il nostro team è composto da professionisti esperti che sono pronti a rispondere a qualsiasi domanda che potete avere.

Il nostro staff di supporto tecnico può aiutarvi con la selezione del prodotto, l'installazione, la risoluzione dei problemi e la manutenzione.Possiamo anche offrire consulenza sulle migliori pratiche e fornire le risorse necessarie per garantire l'implementazione di successo dei nostri prodotti.

Forniamo anche servizi di riparazione e manutenzione in loco. I nostri tecnici sono altamente qualificati e esperti nel funzionamento e nel funzionamento dei nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Possono diagnosticare e riparare rapidamente qualsiasi problema che possiate avere con il vostro sistema.

Se avete domande o dubbi sui nostri prodotti MOSFET a bassa tensione, non esitate a contattarci.Il nostro team è qui per aiutare e fornire il più alto livello di supporto tecnico e servizio.

 

Imballaggio e trasporto:

I prodotti MOSFET a bassa tensione vengono confezionati in un sacchetto di plastica sigillato, che viene poi inserito in una scatola di cartone resistente per proteggere il prodotto da eventuali danni durante la spedizione.La scatola viene quindi sigillata con nastro adesivo e contrassegnata per un'identificazione facileLa scatola viene quindi spedita tramite un corriere affidabile come FedEx, UPS o DHL.

 

FAQ:

Domande e risposte sul MOSFET a bassa tensione

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
R1: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?
A2: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.

D3: Che ne dici del prezzo del MOSFET a bassa tensione?
A3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è il prezzo confermato in base al prodotto.

D4: Quali sono i dettagli dell'imballaggio del MOSFET a bassa tensione?
A4: I dettagli di imballaggio del MOSFET a bassa tensione è un imballaggio tubolare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5: Qual è il tempo di consegna e i termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione?
R5: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale) e i termini di pagamento sono 100% T/T in anticipo ((EXW).

Q6: Qual è la capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione?
R6: La capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione è di 5KK/mese.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base