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MOSFET P de baja tensión de múltiples escenas para almacenamiento de energía

  • Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel For Energy Storage SGT Process
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje eficiencia Alta eficiencia y confiable
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Proceso de estructura Trinchera/SGT
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Resaltar

MOSFET de baja tensión de escenas múltiples

,

Canal P del MOSFET de baja tensión

,

SGT Canal de baja tensión P Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de baja tensión con baja pérdida de potencia para el almacenamiento de energía Aplicación del proceso SGT

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es una tecnología avanzada de transistores de baja pérdida de potencia que tiene un voltaje umbral bajo, un bajo consumo de energía y un bajo Rds ((ON).es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluida la carga inalámbrica, la carga rápida, el controlador del motor, el convertidor DC / DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.El MOSFET de baja tensión es una solución ideal para aquellos que necesitan baja tensión, baja pérdida de energía y alta eficiencia.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro Características
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de zanja RSP más pequeño
Tanto las configuraciones en serie como las paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente.
Proceso SGT Optimización de FOM de avance
La aplicación de más.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
la resistencia Bajo Rds ((ON)
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Voltado de umbral MOSFET de voltaje de umbral bajo
Voltado de la puerta MOSFET de baja tensión de puerta
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje, de marca REASUNOS, se produce en Guangdong, China, y el precio se basará en el producto.colocados dentro de una caja de cartón en cartonesLa capacidad de producción es de 5KK / mes, y es altamente eficiente y confiable.Tiene dos tipos de procesos de estructuraEl proceso SGT es aplicable para el conductor de motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona, y presenta una baja pérdida de potencia.El proceso Trench tiene las ventajas de un RSP más pequeño y tanto las configuraciones en serie como en paralelo pueden combinarse y utilizarse libremente.
 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Nuestro equipo está formado por profesionales experimentados que están listos para responder a cualquier pregunta que pueda tener.

Nuestro personal de soporte técnico puede ayudarle con la selección del producto, la instalación, la solución de problemas y el mantenimiento.También podemos ofrecer asesoramiento sobre las mejores prácticas y proporcionar los recursos necesarios para garantizar la implementación exitosa de nuestros productos.

También ofrecemos servicios de reparación y mantenimiento in situ. Nuestros técnicos están altamente capacitados y conocedores en la operación y el funcionamiento de nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Pueden diagnosticar y reparar rápidamente cualquier problema que pueda tener con su sistema.

Si tiene alguna pregunta o inquietud acerca de nuestros productos MOSFET de bajo voltaje, no dude en ponerse en contacto con nosotros.Nuestro equipo está aquí para ayudar y proporcionar el más alto nivel de soporte técnico y servicio.

 

Embalaje y envío:

Los productos MOSFET de bajo voltaje vienen empaquetados en una bolsa de plástico sellada, que luego se coloca en una caja de cartón fuerte para proteger el producto de cualquier daño durante el envío.La caja es sellada con cinta adhesiva y etiquetada para facilitar su identificaciónLa caja se envía a través de un transportista de buena reputación como FedEx, UPS o DHL.

 

Preguntas frecuentes:

Preguntas y respuestas sobre el MOSFET de baja tensión

P1: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje?
R1: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P2: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?
A2: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P3: ¿Qué tal el precio del MOSFET de bajo voltaje?
A3: El precio del MOSFET de bajo voltaje es el precio confirmado basado en el producto.

P4: ¿Cuáles son los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje?
A4: Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega y los términos de pago del MOSFET de bajo voltaje?
R5: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2-30 días (depende de la cantidad total) y los términos de pago son 100% T / T por adelantado ((EXW).

P6: ¿Cuál es la capacidad de suministro del MOSFET de bajo voltaje?
R6: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK/mes.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base