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Multi-scène basse tension MOSFET P canal pour le stockage de l'énergie

  • Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel For Energy Storage SGT Process
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Nom du produit MOSFET basse tension l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Consommation d'électricité Perte de puissance faible
Capacité EAS Capacité EAS élevée Processus de structuration Tranchée/SGT
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Résistance Le bas RDS (DESSUS)
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MOSFET à basse tension à plusieurs scènes

,

Chaîne P du MOSFET à basse tension

,

SGT Basse tension P Mosfet du canal
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension avec faible perte de puissance pour le stockage d'énergie

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est une technologie de transistor à faible perte de puissance avancée, qui a une tension de seuil basse, une faible consommation d'énergie et un faible Rds ((ON).il convient à un large éventail d'applications, y compris la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote moteur, le convertisseur CC/CC, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.Le MOSFET basse tension est une solution idéale pour ceux qui ont besoin de basse tension, faible perte de puissance et haut rendement.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Caractéristiques
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de creusement RSP plus petit
Les configurations série et parallèle peuvent être combinées et utilisées librement.
Procédure SGT Optimisation FOM de pointe
couvrant plus d'application.
Efficacité Très efficace et fiable
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
résistance Rds bas ((ON)
Processus de la structure Traînée/SGT
Voltage de seuil MOSFET à basse tension de seuil
Voltage de la porte MOSFET à basse tension de sortie
 

Applications:

Le MOSFET à basse tension, de marque REASUNOS, est fabriqué à Guangdong, en Chine, et le prix sera basé sur le produit.placés dans une boîte en carton dans des cartonsLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW). La capacité de production est de 5KK/mois, et elle est très efficace et fiable.Il a deux types de processus de structureLe procédé SGT est applicable au pilote moteur, à la station de base 5G, au stockage d'énergie, à l'interrupteur haute fréquence et à la rectification synchrone, et il présente une faible perte de puissance.Le procédé Trench présente les avantages d'un RSP plus petit et les deux configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.
 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Notre équipe est composée de professionnels expérimentés qui sont prêts à répondre à toutes vos questions.

Notre personnel de support technique peut vous aider dans la sélection, l'installation, le dépannage et la maintenance des produits.Nous pouvons également offrir des conseils sur les meilleures pratiques et fournir les ressources nécessaires pour assurer la mise en œuvre réussie de nos produits.

Nous fournissons également des services de réparation et d'entretien sur place. Nos techniciens sont hautement qualifiés et compétents dans l'exploitation et le fonctionnement de nos produits MOSFET basse tension.Ils peuvent rapidement diagnostiquer et réparer tout problème que vous pourriez avoir avec votre système..

Si vous avez des questions ou des préoccupations concernant nos produits MOSFET basse tension, n'hésitez pas à nous contacter.Notre équipe est là pour vous aider et fournir le plus haut niveau de support technique et de service..

 

Emballage et expédition

Les produits MOSFET basse tension sont emballés dans un sac en plastique scellé, qui est ensuite placé dans une boîte en carton solide pour protéger le produit de tout dommage pendant l'expédition.La boîte est ensuite scellée avec du ruban adhésif et étiquetée pour faciliter l'identification.La boîte est ensuite expédiée par un transporteur réputé tel que FedEx, UPS ou DHL.

 

FAQ:

Questions et réponses sur le MOSFET basse tension

Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R1: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2: Où se trouve le lieu d'origine du MOSFET basse tension?
R2: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est Guangdong, CN.

Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R3: Le prix du MOSFET basse tension est le prix confirmé basé sur le produit.

Q4: Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET basse tension?
A4: Les détails de l'emballage du MOSFET basse tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5: Quel est le délai de livraison et les conditions de paiement du MOSFET basse tension?
R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale) et les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance ((EXW).

Q6: Quelle est la capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension?
R6: La capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension est de 5KK/mois.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base