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MOSFET P de baixa tensão para armazenamento de energia

  • Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel For Energy Storage SGT Process
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Nome do produto MOSFET de baixa tensão eficiência Alta eficiência e confiável
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Consumo de energia Perda de baixa potência
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS processo de estrutura Trincheira/SGT
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Destacar

MOSFET de baixa tensão multi-escena

,

Canal MOSFET P de baixa tensão

,

SGT Mosfet de canal P de baixa tensão
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de potência de baixa tensão com baixa perda de potência para armazenamento de energia Aplicação do processo SGT

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é uma tecnologia avançada de transistores de baixa perda de potência, que tem uma tensão de limiar baixa, baixo consumo de energia e baixa Rds ((ON).é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.MOSFET de baixa tensão é uma solução ideal para aqueles que precisam de baixa tensão, baixa perda de energia e alta eficiência.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Características
Consumo de energia Baixa perda de potência
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de trincheira RSP menor
As configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Processo SGT Optimização FOM avançada
que abrange Mais Aplicação.
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
resistência Baixa Rds ((ON)
Processo de estrutura Tranche/SGT
Tensão de limiar MOSFET de baixa tensão de limiar
Voltagem da porta MOSFET de baixa tensão
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão, marca REASUNOS, é produzido em Guangdong, China, e o preço será baseado no produto.colocados dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelãoA capacidade de produção é de 5KK/mês, e é altamente eficiente e confiável.Tem dois tipos de processos de estruturaO processo SGT é aplicável ao condutor motorizado, à estação base 5G, ao armazenamento de energia, ao interruptor de alta frequência e à retificação síncrona, e apresenta baixas perdas de energia.O processo de Trench tem as vantagens de RSP menor e tanto série e configurações paralelas podem ser livremente combinados e utilizados.
 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Estamos empenhados em fornecer suporte técnico e serviço para nossos produtos MOSFET de baixa tensão.

Nossa equipe de suporte técnico pode ajudá-lo na seleção, instalação, solução de problemas e manutenção do produto.Também podemos oferecer aconselhamento sobre as melhores práticas e fornecer os recursos necessários para garantir a implementação bem sucedida dos nossos produtos.

Também fornecemos serviços de reparação e manutenção no local. Nossos técnicos são altamente treinados e experientes na operação e funcionamento de nossos produtos MOSFET de baixa tensão.Eles podem diagnosticar e reparar rapidamente quaisquer problemas que você possa estar tendo com o seu sistema.

Se tiver quaisquer dúvidas ou preocupações sobre os nossos produtos MOSFET de baixa tensão, não hesite em contactar-nos.A nossa equipa está aqui para ajudar e fornecer o mais alto nível de apoio técnico e serviço.

 

Embalagem e transporte:

Os produtos MOSFET de baixa tensão são embalados em sacos de plástico selados, que são colocados numa caixa de papelão resistente para proteger o produto de qualquer dano durante o transporte.A caixa é então selada com fita adesiva e rotulada para fácil identificaçãoA caixa é então enviada através de uma transportadora respeitável, como FedEx, UPS ou DHL.

 

Perguntas frequentes:

Perguntas e respostas sobre MOSFET de baixa tensão

P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?
R1: A marca do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.

Q2: Onde está o local de origem do MOSFET de baixa tensão?
A2: O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, CN.

P3: Que tal o preço do MOSFET de baixa tensão?
A3: O preço do MOSFET de baixa tensão é o preço confirmado com base no produto.

Q4: Quais são os detalhes da embalagem do MOSFET de baixa tensão?
A4: Os Detalhes da Embalagem do MOSFET de Baixa Tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Qual é o prazo de entrega e os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão?
A5: O tempo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias (depende da quantidade total) e os termos de pagamento são 100% T / T antecipadamente ((EXW).

Q6: Qual é a capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão?
A: A capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão é de 5KK/mês.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base