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マルチシーン 20V モスフェット 低電圧 5Gベースステーション 低電源トランジスタ

  • Multiscene 20V Mosfet Low Voltage , 5G Base Station Low Power Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
抵抗 低いRDS （） 構造プロセス トレンチ/SGT
製品名 低電圧MOSFET トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
電力消費量 低い電力の損失 トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
EAS機能 高い EAS 機能 SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
ハイライト

多場面モスフェット 低電圧

,

20V モスフェット 低電圧

,

ベースステーション低電源トランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

5Gベースステーション低電圧MOSFETとSGTプロセスの低電力損失

製品説明:

低電圧MOSFETは,低電源損失と高いEAS能力を備えた電源半導体装置の一種である.通常,低電圧アプリケーションで使用され,溝プロセスの利点により,より小さなRSPを持ち,自由に組み合わせ,並列構成の両方を利用することができます.SGTプロセスの利点はさらに突破的なFOM最適化とより多くのアプリケーションをカバーします.低電圧 MOSFET は,効率的で信頼性の高い電源制御のための理想的な選択です.

 

技術パラメータ:

製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
EAS能力 高いEAS能力
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
SGT プロセス 適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
トレンチプロセス 適用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
電力消費量 低電力損失
効率性 高効率 で 信頼 できる
トレンチプロセスの利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
抵抗力 低Rds ((ON)
 

応用:

低電圧トランジスタの一種である低電圧MOSFETは,低ゲート電圧,低電阻,並列構成の両方で,信頼性と高効率の半導体装置です.ワイヤレス充電などの様々なアプリケーションで広く使用されています.,高速充電,モータードライバ,DC/DCコンバーター,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線合意された価格で利用可能防塵・防水・防静的管状のパッケージで 総量に応じて 2~30日以内に配達できます支払条件は100%T/T (EXW) 前払いで 月5KKの供給能力があります.
 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧MOSFET製品に包括的な技術サポートとサービスを提供します. 私たちの専門家のチームは,あなたのプロジェクトのすべてのステップであなたを助けることができます.設計とプロトタイプから生産とポスト生産まで. チュートリアル,オンラインドキュメント,ウェブセミナーなど,幅広いリソースがあります. 必要に応じて顧客に現場でのサポートも提供しています.

当社の技術サポートとサービスチームは,ご質問に応答するために24時間/24時間利用可能です.また,当社の製品が最新であることを保証するために,継続的なメンテナンスとアップグレードも提供しています.顧客に最高の品質の製品とサービスを提供することにコミットしています.

もし質問や支援が必要な場合はいつでもご連絡ください.ご連絡をお待ちしています.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFET製品は,静電電から保護するために,静電放電 (ESD) の袋に包装され,静電防止の箱に輸送されるべきです.

 

FAQ:

低電圧MOSFETに関するQ&A
  • Q: その通りこの低電圧MOSFETのブランド名は?
    A: その通りこの低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
  • Q: その通り商品の原産地は?
    A: その通り商品の原産地は,CNの広東.
  • Q: その通りこの低電圧MOSFETの価格は?
    A: その通りこの低電圧MOSFETの価格は 製品によって確認されます
  • Q: その通りこの低電圧MOSFETはどのようにパッケージ化されますか?
    A: その通りこの低電圧MOSFETは 防塵・防水・防静的管状のパッケージで 紙箱に詰め込まれます
  • Q: その通りこの低電圧MOSFETの配達にはどれくらい時間がかかりますか?
    A: その通りこの低電圧MOSFETの配達時間は,総量に依存し,通常2~30日かかります.
  • Q: その通りどんな支払い条件を提案しますか.
    A: その通り支払条件として100%T/Tを事前に提供します.
  • Q: その通りこの低電圧MOSFETの供給能力は?
    A: その通りこの低電圧MOSFETの供給能力は 月5KKです
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET