Eingebettete FRD-Hochspannungs-MOSFET mit neuer seitlicher variabler Dopingtechnologie für industrielle Schaltanlage

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
Typ N Technologie MOSFET
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Hervorheben

Eingebettete Hochspannungs-MOSFET

,

Eingebettete FRD Hochspannungs-MOSFET

Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
Hinterlass eine Nachricht
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) mit ultrahoher Spannungsfähigkeit und hervorragender Leistung.Das Hochspannungs-MOSFET ist speziell für Motoren entwickelt, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen, LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteil, Wechselrichter, intelligenter Zähler, Schrankenstromversorgung und elektrisches Stromsystem.Hochspannungs-MOSFET verfügt über eine FRD HV-MOSFET-Konstruktion, die eine hervorragende thermische Leistung gewährleistetEs bietet außerdem eine hervorragende Schaltleistung, niedrige EMI und eine geringe Gate-Ladung.Hochspannungs-MOSFET bietet in verschiedenen Anwendungen eine überlegene Leistung. Hochspannungs-MOSFET ist eine gute Wahl für industrielle Anwendungen, die eine hohe Spannung, geringe Wärmebeständigkeit und hohe Leistungsfähigkeit erfordern.Mit seiner hervorragenden Leistung und hochen Spannungsfähigkeit, Hochspannungs-MOSFET ist die ideale Lösung für Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücke / Vollbrücke Schaltkreis Anwendungen, LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteil, Wechselrichter, Smart-Meter,Kabinettstromversorgung, und Stromversorgungssystem.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Typ N
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Technologie MOSFET
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
 

Anwendungen:

Die Anwendung von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET

REASUNOS' High Voltage MOSFET ist ein beliebtes Transistorgerät, das für verschiedene Anwendungen verwendet wird.Der Preis der Ware richtet sich nach dem Erzeugnis selbst. Das Produkt ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt werden.Die Lieferzeit des Produktes hängt von der Gesamtmenge ab und dauert in der Regel zwischen 2 und 30 Tagen. Zahlungsbedingungen für das Produkt sind 100% T / T im Voraus ((EXW). Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK / Monat. Das Produkt hat viele Vorteile wie neue seitliche variable Doping-Technologie,spezielle Leistung MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen, geringe Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen, große Wärmeableitung und eine hohe Spannung/ultrahohe Spannung.Die Anwendungen dieses Produkts umfassen LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter usw.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen, um Ihnen zu helfen, das Beste aus unseren Hochspannungs-MOSFET-Produkten und -Lösungen herauszuholen.Einführung und Fehlerbehebung von Hochspannungs-MOSFET-Anwendungen, so dass sie die perfekte Ressource für alle technischen Fragen sind.

Unser technisches Team steht Ihnen zur Verfügung, um Fragen wie:

  • Wie wählt man das richtige Hochspannungs-MOSFET für eine bestimmte Anwendung?
  • Welche Parameter sind bei der Konzeption mit Hochspannungs-MOSFET zu berücksichtigen?
  • Wie kann das Hochspannungs-MOSFET verwendet werden, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen?
  • Wie lösen Sie Probleme mit Hochspannungs-MOSFET?

Wir bieten auch Design-Dienstleistungen an, um Ihnen bei spezifischen Anwendungsbedürfnissen zu helfen.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:

Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden sicher mit Blasenfolie und/oder Schaumfolie verpackt, um sicherzustellen, dass die Produkte während des Versands nicht beschädigt werden.Die Pakete werden dann in eine robuste Kartonbox gelegt und während des Transports mit Klebeband versiegelt, um sie zusätzlich zu schützenAlle Bestellungen werden über eine seriöse Spediteurgesellschaft versandt.

 

Häufige Fragen:

F: Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprung von Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Ursprung des Hochspannungs-MOSFET liegt in Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.
F: Wie sind die Verpackungsdetails von Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Verpackungsdetails von Hochspannungs-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt wird.
F: Wie lange dauert die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).