ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
MOSFET ความดันสูง FRD ที่ติดตั้งด้วยเทคโนโลยีการด๊อปปิ้งแบบแปรปรวนข้างใหม่สําหรับอุตสาหกรรม Switching Power Supply
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
|---|---|---|---|
| ประเภท | เอ็น | เทคโนโลยี | มอสเฟต |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส | ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | คะแนนแรงดันไฟฟ้า | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ |
| เน้น | MOSFET ความดันสูงที่ติดตั้ง,MOSFET ความดันสูง FRD ที่ติดตั้ง |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายสินค้า:
MOSFET ความดันสูง เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประสาท (MOSFET) ที่มีความสามารถความดันสูงสุดและมีผลงานที่ดีเยี่ยมMOSFET ความดันสูงถูกออกแบบโดยเฉพาะสําหรับชุดมอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม, ไดรเวอร์ LED, แอดป์เตอร์, พลังงานสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์, เครื่องวัดสมาธิ, พลังงานประกอบกระเป๋า, และระบบพลังงานไฟฟ้าMOSFET ความดันสูงมีโครงสร้าง FRD HV MOSFET ที่รับประกันผลงานทางความร้อนที่ดี, ความต้านทาน RDS ((ON) ที่ต่ํามาก และความสามารถในกระแสไฟฟ้าแรงกระแทกสูง. มันยังให้ผลงานการสลับที่ดีเยี่ยม, EMI ต่ํา, และการชาร์จประตูต่ํา. ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้,MOSFET ความดันสูง ให้ผลงานที่ดีกว่าในการใช้งานต่าง ๆ. MOSFET ความดันสูง เป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรมที่ต้องการความดันสูง ความต้านทานทางความร้อนต่ํา และความสามารถในการใช้พลังงานสูงด้วยผลงานที่ดีและความสามารถความดันสูง, MOSFET ความดันสูงเป็นทางออกที่เหมาะสมสําหรับชุดมอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม, คนขับ LED, ตัวปรับเปลี่ยน, พลังงานสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์, เมตรสมาร์ทพลังงานไฟฟ้ากระเป๋าและระบบพลังงานไฟฟ้า
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | มูลค่า |
|---|---|
| ประเภท | N |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| ชื่อสินค้า | MOSFET ความดันสูง |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| HV Mosfet การใช้งาน | ไดรฟ์ LED, อดอปเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ เป็นต้น |
| เทคโนโลย | MOSFET |
| การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง | เครื่องยนต์ชุด อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
| ระดับความกระชับกําลัง | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
| การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องไฟฟ้ากระบวนการ เครื่องไฟฟ้าเปลี่ยนอุตสาหกรรม เครื่องไฟฟ้าระบบไฟฟ้า เป็นต้น |
การใช้งาน:
การใช้งานของ REASUNOS MOSFET ความดันสูง
REASUNOS' High Voltage MOSFET เป็นอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ที่นิยมใช้สําหรับการใช้งานต่าง ๆ ผลิตภัณฑ์มีชื่อแบรนด์ของ REASUNOS และสถานที่กําเนิดคือกวางตอง, จีนราคาของสินค้าขึ้นอยู่กับสินค้าเองผลิตภัณฑ์นี้ถูกบรรจุด้วยบรรจุท่อที่กันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่องระยะเวลาการจัดส่งของสินค้าขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดและโดยทั่วไปใช้เวลาระหว่าง 2-30 วัน. เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับผลิตภัณฑ์คือ 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW). ความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน. ผลิตภัณฑ์มีข้อดีมากมาย เช่น เทคโนโลยีการดอปปิ้งแบบแปรปรวนด้านใหม่โครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษ, คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง, การรั่วไหลที่ต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A, การระบายความร้อนที่ดี, และความดันสูง / ความดันสูงสุดการใช้งานของผลิตภัณฑ์นี้รวมถึง LED ไดรฟ์, อดอปเตอร, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, และอินเวอร์เตอร์, ฯลฯ
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันสูง
เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ เพื่อช่วยให้คุณได้รับประโยชน์มากที่สุด จากผลิตภัณฑ์และคําตอบ MOSFET ความดันสูงของเรา ทีมงานทางเทคนิคของเราประกอบด้วยผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์ในการออกแบบการดําเนินการและแก้ไขปัญหาของแอพลิเคชั่น MOSFET ความดันสูง, ทําให้พวกเขาเป็นแหล่งที่สมบูรณ์แบบสําหรับ คําถามทางเทคนิคที่คุณอาจมี
ทีมงานเทคนิคของเราพร้อมตอบคําถาม เช่น
- วิธีการเลือก MOSFET ความดันสูงที่ถูกต้องสําหรับการใช้งานเฉพาะเจาะจง
- ปริมาตรอะไรที่ต้องพิจารณาตอนออกแบบ MOSFET ความดันสูง
- วิธีการใช้ MOSFET ความดันสูงเพื่อบรรลุผลที่ต้องการ
- วิธีแก้ไขปัญหาที่เกี่ยวข้องกับ MOSFET ความดันสูง
เรายังให้บริการการออกแบบเพื่อช่วยคุณกับความต้องการการใช้งานเฉพาะเจาะจง ติดต่อเราเพื่อได้รับส่วนมากที่สุดของผลิตภัณฑ์และคําตอบ MOSFET ความดันสูงของเรา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง:
ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุไว้อย่างมั่นคงด้วยผนังกระโปรงและ / หรือผืนฟองเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์จะไม่เสียหายระหว่างการขนส่งจากนั้น แพ็คเกจจะถูกใส่ในกล่องกระดาษแข็งแรง และปิดด้วยเทปเพื่อป้องกันเพิ่มเติมระหว่างการขนส่งสั่งซื้อทั้งหมดถูกส่งผ่านบริษัทขนส่งที่มีชื่อเสียง ด้วยหมายเลขการติดตามที่ให้
FAQ:
- คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
- A: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคือ REASUNOS
- คําถาม: สาเหตุของ MOSFET ความดันสูงมาจากไหน?
- ตอบ: สาเหตุของ MOSFET ความดันสูง คือ กวางดง ประเทศจีน
- Q: ราคาของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
- ตอบ: ราคาของ MOSFET ความดันสูงคือ ราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
- Q: รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET ความดันสูงเป็นอย่างไร?
- ตอบ: รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET ความดันสูง เป็นบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตตติก วางอยู่ในกล่องกระดาษกล่อง
- คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
- A: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันสูงคือ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด)
แนะนำผลิตภัณฑ์
