FRD متضمنة MOSFET عالية الجهد مع تكنولوجيا الدوبينغ المتغيرة الجانبية الجديدة لمصادر الطاقة التبديلية الصناعية
مكان المنشأ | قوانغدونغ ، CN |
---|---|
اسم العلامة التجارية | REASUNOS |
الأسعار | Confirm price based on product |
تفاصيل التغليف | عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب |
وقت التسليم | 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية) |
شروط الدفع | 100% T/T مقدمًا (EXW) |
القدرة على العرض | 5 مليون/شهر |

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتطبيق MOSFET فائق الجهد | العداد الذكي، مصدر طاقة الخزانة، مصدر طاقة التحويل الصناعي، نظام الطاقة الكهربائية، إلخ. | جزءا لا يتجزأ من تطبيق FRD HV MOSFET | سلسلة المحركات، العاكس، تطبيقات دائرة نصف الجسر/الجسر الكامل، إلخ. |
---|---|---|---|
النوع | ن | تكنولوجيا | موسفيت |
مزايا | تقنية المنشطات الجانبية المتغيرة الجديدة، وهيكل MOS ذو القدرة الخاصة، وخصائص ممتازة في درجات الحرارة | اسم المنتج | موسفيت الجهد العالي |
تسرب | يمكن أن يصل التسرب المنخفض إلى أقل من 1 ميكرو أمبير | القوة الكهربائية | الجهد العالي/الجهد العالي للغاية |
إبراز | مزود بالجهد العالي MOSFET,مزود FRD MOSFET عالي الجهد,Embedded FRD High Voltage MOSFET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
وصف المنتج:
MOSFET عالي الجهد هو نوع من ترانزستور تأثير المجال الأكسيد المعدني شبه الموصل (MOSFET) مع القدرة على الجهد العالي للغاية والأداء الممتاز. مع اسم المنتج من النوع N عالية الجهد ،مصممة خصيصا لمجموعة المحركات، عاكس، نصف الجسر / كامل الجسر الدوائر التطبيقات، مدفع LED، محولات، التحول الصناعي مصدر الطاقة، عاكس، عداد الذكاء، مصدر الطاقة الخزانة، ونظام الطاقة الكهربائية.يحتوي MOSFET عالي الجهد على بناء FRD HV MOSFET الذي يضمن أداءً حراريًا ممتازًا، مقاومة RDS ((ON) منخفضة للغاية ، وقدرة التيار الكهربائي عالية النبض. كما يوفر أداءً ممتازًا للتبديل ، وانخفاض EMI ، وانخفاض شحنة البوابة. مع هذه الميزات ، يمكن أن يكون هذا الجهاز قادرًا على تشغيل أجهزة التشغيل الخاصة بك.توفر MOSFET عالية الجهد أداءً متفوقًا في تطبيقات مختلفة. الجهد العالي MOSFET هو خيار رائع للتطبيقات الصناعية التي تتطلب جهد عال، والمقاومة الحرارية المنخفضة، وقدرة الطاقة العالية.مع أدائها الممتازة وقدرتها على الجهد العالي، MOSFET الجهد العالي هو الحل المثالي لسلسلة المحركات، المحول، نصف الجسر / كامل الجسر الدوائر التطبيقات، مدفع LED، المكيفات، التحول الصناعي مصدر الطاقة، المحولات، العداد الذكي،إمدادات الطاقة للخزانةو نظام الطاقة الكهربائية
المعلمات التقنية:
المعلم | القيمة |
---|---|
النوع | ن |
تسرب | تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أيه |
المزايا | تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، هيكل MOS خاص القوة، خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية. |
اسم المنتج | MOSFET عالية الجهد |
تبديد الحرارة | تبديد الحرارة الكبير |
تطبيق HV Mosfet | محركات LED ، المكيفات ، مصدر الطاقة الصناعي ، المحولات ، الخ |
التكنولوجيا | MOSFET |
تطبيق FRD HV MOSFET المدمج | سلسلة المحركات ، المحولات ، نصف الجسر / تطبيقات الدوائر الكاملة ، الخ. |
تصنيف الجهد | الجهد العالي / الجهد العالي للغاية |
تطبيق MOSFET فوق الصوتي | العدادات الذكية ، إمدادات الطاقة للخزانة ، إمدادات الطاقة الصناعية ، نظام الطاقة الكهربائية ، الخ. |
التطبيقات:
MOSFET عالي الجهد من REASUNOS هو جهاز ترانزستور شائع يستخدم لتطبيقات مختلفة. المنتج يحمل اسم تجاري من REASUNOS ومكان المنشأ هو قوانغدونغ ، الصين.سعر المنتج يعتمد على المنتج نفسهيتم تعبئة المنتج مع عبوة أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية ، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.مدة تسليم المنتج تعتمد على الكمية الإجمالية وعادة ما تستغرق ما بين 2-30 يوم. شروط الدفع للمنتج هي 100٪ T / T مقدما ((EXW). القدرة على التوريد هي 5KK / الشهر. المنتج لديه العديد من المزايا مثل تكنولوجيا الارتباط المتغيرة الجانبية الجديدة،هيكل MOS للطاقة الخاصة، خصائص ممتازة في درجة حرارة عالية، تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أكسيد، وانبعاث الحرارة العظيم، وتصنيف الجهد العالي / الجهد العالي للغاية.تطبيقات هذا المنتج تشمل محرك LED، أجهزة تحويل الكهرباء، مصادر الطاقة الصناعية، والعاكسات، الخ
الدعم والخدمات:
نحن نقدم الدعم التقني والخدمات لمساعدتك على الحصول على أقصى استفادة من منتجاتنا وحلول MOSFET عالية الجهد. فريقنا التقني يتكون من خبراء لديهم خبرة في التصميم،تطبيقات MOSFET عالية الجهد وإصلاح الأخطاء، مما يجعلهم المورد المثالي لأي أسئلة تقنية قد يكون لديك.
فريقنا الفني متاح للإجابة على أسئلة مثل:
- كيفية اختيار MOSFET الجهد العالي الصحيح لتطبيق معين؟
- ما هي المعلمات التي يجب مراعاتها عند تصميم MOSFET عالي الجهد؟
- كيفية استخدام MOSFET عالي الجهد لتحقيق النتائج المرجوة؟
- كيفية معالجة المشاكل المتعلقة بـ High Voltage MOSFET؟
نحن نقدم أيضا خدمات تصميم لمساعدتك في احتياجات التطبيقات المحددة. اتصل بنا للحصول على أقصى استفادة من منتجاتنا وحلول MOSFET عالية الجهد.
التعبئة والشحن:
التعبئة والشحن من MOSFET عالي الجهد:
يتم تعبئة منتجات MOSFET عالية الجهد بأمان مع غلاف فقاعة و / أو غطاء رغوة لضمان عدم تلف المنتجات أثناء الشحن.ثم يتم وضع العبوات في صندوق من الورق المقوى وتختم مع الشريط لحماية إضافية أثناء الشحنجميع الطلبات يتم شحنها من خلال شركة شحن ذات سمعة طيبة مع رقم تتبع المقدمة.
الأسئلة الشائعة:
- س: ما هو اسم العلامة التجارية لـ MOSFET عالي الجهد؟
- الجواب: الاسم التجاري لـ MOSFET عالي الجهد هو REASUNOS.
- س: أين هو أصل موزفيت عالية الجهد؟
- الجواب: أصل موزفيت عالية الجهد في قوانغدونغ، الصين.
- س: ما هو سعر MOSFET عالي الجهد؟
- ج: سعر MOSFET عالي الجهد هو تأكيد السعر على أساس المنتج.
- س: كيف هي تفاصيل التعبئة والتغليف من MOSFET الجهد العالي؟
- ج: تفاصيل التعبئة والتغليف من MOSFET الجهد العالي هو مقاوم للغبار، مضاد للماء، ومكافحة التثبيت التعبئة والتغليف الأنبوبية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
- س: ما هو وقت تسليم MOSFET عالية الجهد؟
- ج: وقت التسليم من MOSFET الجهد العالي هو 2-30 يوما (يعتمد على الكمية الإجمالية).