Все продукты
Встроенный FRD высоковольтный MOSFET с новой технологией латерального переменного допинга для промышленного питания
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et | Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
|---|---|---|---|
| Тип | N | Технологии | MOSFET |
| Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе | Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET |
| Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a | Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
| Выделить | Встроенный высоковольтный MOSFET,Встроенный FRD высоковольтный MOSFET |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Характер продукции
Описание продукта:
Высоковольтный MOSFET - это вид металлического оксида-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET) с ультравысокой напряженностью и отличными характеристиками.Высоковольтный MOSFET специально разработан для серийных двигателей, инвертор, полумостовые/полные мостовые схемы, светодиодный драйвер, адаптеры, промышленное переключающее питание, инверторы, умные счетчики, электроснабжение кабинетов и система электропитания.Высоковольтный MOSFET имеет конструкцию FRD HV MOSFET, которая обеспечивает отличную тепловую производительность, сверхнизкое сопротивление RDS ((ON) и высокая импульсная мощность тока. Он также обеспечивает отличную производительность переключения, низкий EMI и низкий заряд шлюза.Высоковольтный MOSFET обеспечивает превосходную производительность в различных приложениях. Высоковольтный MOSFET является отличным выбором для промышленных приложений, требующих высокого напряжения, низкого теплового сопротивления и высокой мощности.С его превосходными характеристиками и высоким напряжением, Высоковольтное MOSFET является идеальным решением для серии двигателей, инверторов, приложений полного моста / полного моста, светодиодного драйвера, адаптеров, промышленного коммутационного источника питания, инверторов, умного счетчика,электроснабжение шкафа, и электроэнергетической системы.
Технические параметры:
| Параметр | Стоимость |
|---|---|
| Тип | N |
| Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
| Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
| Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
| Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
| Применение HV Mosfet | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
| Технологии | MOSFET |
| Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge схемы, и т.д. |
| Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
| Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
Применение:
Применение высоковольтного MOSFET REASUNOS
REASUNOS' High Voltage MOSFET является популярным транзисторным устройством, используемым для различных приложений.Цена продукта основана на самом продуктеПродукт упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.Время доставки продукта зависит от общего количества и обычно составляет от 2 до 30 дней.. Условия оплаты продукта 100% T / T вперед ((EXW). Способность поставки составляет 5KK / месяц. Продукт имеет много преимуществ, таких как новая боковая переменная технология допинга,специальная мощность MOS структура, отличные характеристики при высоких температурах, низкая утечка может достигать менее 1 мк А, большая теплораспределение, и высокое напряжение / ультравысокое напряжение.Приложения этого продукта включают светодиодный драйвер, адаптеры, промышленные коммутаторы питания и инверторы и т.д.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и обслуживание высоковольтных MOSFET
Мы предоставляем техническую поддержку и услуги, чтобы помочь вам получить максимальную отдачу от наших высоковольтных MOSFET продуктов и решений.внедрение и устранение неполадок в высоковольтных приложениях MOSFET, что делает их идеальным ресурсом для любых технических вопросов.
Наша техническая команда готова ответить на такие вопросы:
- Как выбрать правильный высоковольтный MOSFET для конкретного приложения?
- Какие параметры следует учитывать при проектировании высоковольтного MOSFET?
- Как использовать высоковольтный MOSFET для достижения желаемых результатов?
- Как решить проблемы, связанные с высоковольтным MOSFET?
Мы также предлагаем услуги по проектированию, чтобы помочь вам с конкретными потребностями приложения.
Упаковка и перевозка:
Упаковка и перевозка высоковольтных MOSFET:
Высоковольтные MOSFET-продукты надежно упаковываются пузырькой и/или пеной, чтобы гарантировать, что продукты не повреждаются во время транспортировки.Затем упаковки помещают в прочную картонную коробку и запечатывают лентой для дополнительной защиты во время перевозкиВсе заказы отправляются через авторитетный перевозчик с предоставленным номером отслеживания.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос: Каково торговое название высоковольтного MOSFET?
- Ответ: торговое наименование высоковольтного MOSFET - REASUNOS.
- Вопрос: Где происхождение высоковольтного MOSFET?
- Ответ: Происхождение высоковольтного MOSFET - Гуандун, Китай.
- Вопрос: Какова цена высоковольтного MOSFET?
- О: Цена высоковольтного MOSFET подтверждена на основе продукта.
- Вопрос: Какова упаковка высоковольтного MOSFET?
- Ответ: Подробная информация о упаковке высоковольтного MOSFET - это пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
- Вопрос: Каково время поставки высоковольтного MOSFET?
- О: Время доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней (зависит от общего количества).
Порекомендованные продукты
