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Stromversorgung Hochspannung MOSFET praktisch niedrig auf Widerstand für Adapter
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Hochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
|---|---|---|---|
| Technologie | MOSFET | Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand |
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen | Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Typ | N |
| Hervorheben | Stromversorgung Hochspannungs-MOSFET,Hochspannungs-MOSFET praktisch,Adapter Mosfet in Serie Hochspannung |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Hochspannungs-MOSFET-Transistor für Adapter Anwendungstechnologie
Beschreibung des Produkts:
Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art von MOSFET-Transistor, der für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.,Industrielle Schaltnetzteile, Wechselrichter und andere Anwendungen. Das Hochspannungs-MOSFET ist von N-Typ, mit geringer Leckage und geringem Widerstand. Es kann weniger als 1μA Leckage erreichen,was im Vergleich zu anderen MOSFET-Transistoren sehr niedrig istDieses Produkt ist sehr zuverlässig und für Hochspannungsanwendungen geeignet.
Technische Parameter:
| Eigentum | Wert |
|---|---|
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Typ | N |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Technologie | MOSFET |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
Anwendungen:
REASUNOS Ultra-Hochspannungs-MOSFET
Markenbezeichnung: REASUNOS
Herkunftsort: Guangdong, KN
Preis: Preis nach Produkt bestätigt
Verpackungsdetails: Staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung, in Kartons
Lieferzeit: 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen: 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsfähigkeit: 5KK/Monat
REASUNOS Embedded FRD Ultra-High Voltage MOSFET ist für Smart Meter, Schrankenstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, Stromversorgungssystem usw. entwickelt.Seine Vorteile sind die neue seitliche variable Doping-Technologie, spezielle Leistungs-MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen und geringe Leckage können weniger als 1 μ A erreichen. Es hat auch eine breite Spannungsbewertung von Hochspannung oder Ultra-Hochspannung.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET
Unser Team von Ingenieuren bietet technische Unterstützung für Hochspannungs-MOSFET-Produkte, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendungen erfolgreich sind und Ihre Produkte zuverlässig sind.
Wir bieten eine Vielzahl von Dienstleistungen an, darunter:
- Unterstützung der Konstruktion
- Produktauswahl und -bewertung
- Test und Analyse von Prototypen
- Anwendungsausbildung
- Ausfallanalyse
- Qualitätssicherung
Wir verpflichten uns, unseren Kunden den besten technischen Support und Kundenservice zu bieten.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:
Das Hochspannungs-MOSFET wird in einem antistatischen Beutel verpackt und in einer Versandbox versiegelt, um das Produkt vor Schocks und anderen Schäden während des Versands zu schützen.Die Versandbox ist mit Blasenfolie und/oder Schaumstoff gesichert, um zusätzlichen Schutz zu bietenDas Produkt wird mit einer Nachverfolgungsnummer versendet und für Schäden, die während des Transports auftreten können, versichert.
Häufige Fragen:
F1: Wie lautet der Markenname des Hochspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A2: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für das Hochspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.
F4: Wie wird das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
A4: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasserdichten und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
A5: Abhängig von der Gesamtmenge dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFETs 2-30 Tage.
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