전원 공급 고전압 MOSFET 어댑터에 대한 저항에 실질적으로 낮은

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
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제품 상세 정보
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
기술 MOSFET 저항 낮은 온 저항
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 제품 이름 고전압 MOSFET
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 종류
강조하다

전원 공급 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 실용

,

어댑터 모스페트 시리즈 고전압

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

어댑터용 고전압 MOSFET 트랜지스터 응용 기술

제품 설명:

고전압 MOSFET는 고전압 애플리케이션을 위해 설계된 MOSFET 트랜지스터의 일종이다. 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 애플리케이션, LED 드라이버, 어댑터에 적합하다.,산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 및 기타 응용 프로그램. 고전압 MOSFET는 N 유형이며 누출량이 낮고 저항이 낮습니다. 누출량이 1μA 미만까지 도달 할 수 있습니다.이것은 다른 MOSFET 트랜지스터에 비해 매우 낮습니다.이 제품은 매우 신뢰할 수 있으며 고전압 애플리케이션에 적합합니다.

 

기술 매개 변수:

재산 가치
저항력 낮은 전원 저항
열 분산 큰 열 분산
종류 N
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
제품 이름 고전압 MOSFET
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
기술 MOSFET
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
전압 등급 고전압/극대고전압
 

응용 프로그램:

REASUNOS 초고전압 MOSFET

브랜드 이름: REASUNOS
원산지: 광둥, CN
가격: 제품 기준으로 확인된 가격
포장 세부 사항: 먼지, 물, 반 정적 인 유관형 포장, 고리 박스 안 에 포장
배송시간: 2~30일 (총량에 따라)
결제 조건: 100% T/T 사전 (EXW)
공급 능력: 5KK/개월

REASUNOS 임베디드 FRD 초고전압 MOSFET는 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템 등을 위해 설계되었습니다.장점으로는 새로운 변동성 부변 도핑 기술입니다, 특별한 전력 MOS 구조, 고온에서 우수한 특성, 낮은 누출은 1 μ A 이하에 도달 할 수 있습니다. 또한 높은 전압 또는 초고전압의 넓은 전압 등급을 가지고 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

저희 엔지니어팀은 고전압 MOSFET 제품에 대한 기술 지원을 제공하여 여러분의 애플리케이션이 성공적이고 여러분의 제품이 신뢰할 수 있도록 합니다.

우리는 다음과 같은 다양한 서비스를 제공합니다.

  • 디자인 지원
  • 제품 선택 및 평가
  • 프로토타입 시험 및 분석
  • 응용 교육
  • 장애 분석
  • 품질 보장

우리는 고객에게 최고의 기술 지원과 고객 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET의 포장 및 운송:

고전압 MOSFET는 항 정적 가방에 포장되어 배송 상자에 봉인되어 운송 중에 충격 및 기타 손상으로부터 제품을 보호합니다.운송 상자는 추가 보호를 제공하기 위해 거품 포장 및/또는 거품으로 고정됩니다.상자에는 또한 제품에 대한 필요한 문서가 포함되어 있습니다. 제품은 추적 번호와 함께 배송되며 운송 중에 발생할 수있는 모든 손상에 대한 보험이 있습니다.

 

FAQ:

Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 고전압 MOSFET는 어디서 만들어집니다?

A2: 고전압 MOSFET는 중국 광둥에서 만들어집니다.

Q3: 고전압 MOSFET의 가격은 무엇입니까?

A3: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q4: 고전압 MOSFET는 어떻게 포장될까요?

A4: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 고전압 MOSFET를 배달하는 데 얼마나 걸릴까요?

A5: 전체 수량에 따라 고전압 MOSFET를 배달하는 데 2-30일이 걸릴 것입니다.