पावर सप्लाई उच्च वोल्टेज MOSFET एडाप्टर के लिए व्यावहारिक रूप से कम प्रतिरोध पर

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि
तकनीकी MOSFET प्रतिरोध कम प्रतिरोध
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि। उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। प्रकार एन
प्रमुखता देना

बिजली की आपूर्ति उच्च वोल्टेज MOSFET

,

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी व्यावहारिक

,

एडेप्टर मोस्फेट उच्च वोल्टेज श्रृंखला में

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

एडेप्टर के लिए उच्च वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर अनुप्रयोग प्रौद्योगिकी

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का MOSFET ट्रांजिस्टर है जिसे उच्च वोल्टेज अनुप्रयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज / फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोगों, एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर के लिए उपयुक्त है,औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर और अन्य अनुप्रयोग। उच्च वोल्टेज MOSFET N प्रकार का है, जिसमें कम रिसाव और कम प्रतिरोध है। यह रिसाव के 1μA से कम तक पहुंच सकता है,जो अन्य MOSFET ट्रांजिस्टर की तुलना में बहुत कम हैयह उत्पाद अत्यधिक विश्वसनीय है और उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

 

तकनीकी मापदंडः

संपत्ति मूल्य
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
प्रकार एन
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS अल्ट्रा-हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी

ब्रांड नामः REASUNOS
उत्पत्ति का स्थान: गुआंग्डोंग, CN
मूल्यः उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें
पैकेजिंग विवरण: धूल, पानी और अस्थिरता के प्रतिरोधी नलिका पैकेजिंग
वितरण समयः 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान की शर्तेंः अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति क्षमताः 5KK/माह

REASUNOS एम्बेडेड FRD अल्ट्रा-हाई वोल्टेज MOSFET को स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि के लिए डिज़ाइन किया गया है।इसके फायदे नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक हैं, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं, और कम रिसाव 1 μ A से कम तक पहुंच सकता है। इसमें उच्च वोल्टेज या अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज का एक व्यापक वोल्टेज रेटिंग भी है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाएं

इंजीनियरों की हमारी टीम आपके अनुप्रयोगों को सफल बनाने और आपके उत्पादों को विश्वसनीय बनाने के लिए उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता प्रदान करती है।

हम विभिन्न प्रकार की सेवाएं प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • डिजाइन सहायता
  • उत्पाद चयन और मूल्यांकन
  • प्रोटोटाइप परीक्षण और विश्लेषण
  • अनुप्रयोग प्रशिक्षण
  • विफलता विश्लेषण
  • गुणवत्ता आश्वासन

हम अपने ग्राहकों को सर्वोत्तम तकनीकी सहायता और ग्राहक सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी को एक एंटी-स्टेटिक बैग में पैक किया जाता है और शिपिंग के दौरान झटकों और अन्य क्षति से उत्पाद की रक्षा के लिए शिपिंग बॉक्स में सील किया जाता है।शिपिंग बॉक्स अतिरिक्त सुरक्षा प्रदान करने के लिए बुलबुला लिपटे और/या फोम के साथ सुरक्षित हैबक्से में उत्पाद के लिए आवश्यक दस्तावेज भी शामिल हैं। उत्पाद को ट्रैकिंग नंबर के साथ भेज दिया जाता है और शिपमेंट के दौरान होने वाले किसी भी नुकसान के लिए बीमा किया जाता है।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम क्या है?

A1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

प्रश्न 2: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी कहां बनाया जाता है?

A2: हाई वोल्टेज MOSFET चीन के गुआंग्डोंग में बनाया गया है।

Q3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

A3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि मूल्य है।

प्रश्न 4: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी को कैसे पैक किया जाएगा?

A4: हाई वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाएगा, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाएगा।

प्रश्न 5: हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी की डिलीवरी में कितना समय लगेगा?

A5: कुल मात्रा के आधार पर हाई वोल्टेज MOSFET देने में 2-30 दिन लगेंगे।

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