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Transistor de Superjunção estável industrial, Dissipação de calor Mosfet discreto

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Margem do IEM Grande EMI Margin Aplicação Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem
Tipo N Vantagens É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti
Pacote Pacote ultra pequeno Capacidade Ultra-baixa capacidade de junção
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos do poder Nome do produto Junção super MOSFET/SJ MOSTET
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Transistores industriais de superjunção

,

Transistor de Superjunção Estável

,

Dissipação de calor Mosfet discreto
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Dispositivos discretos de potência de superjunção MOSFET/SJ MOSTET de resistência interna ultra pequena

Descrição do produto:

O Super Junction Metal Oxide Semiconductor Transistor (sj mosfet) é um tipo de diodo avançado de Superjunction projetado para oferecer melhor desempenho e recursos do que dispositivos convencionais.Este dispositivo tem uma Resistência Interna Ultra Pequena e é ideal para aplicações como LED DriverO dispositivo também possui uma capacidade de junção ultra-baixa.o que significa que pode lidar com frequências de comutação muito mais altas do que outros tipos de transistoresAlém disso, possui uma grande margem de EMI, o que significa que pode proteger efetivamente contra EMI e correntes de surto.que é mais eficiente do que o processo de trincheira e oferece excelentes capacidades anti-EMI e anti-surge.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto Superjunção MOSFET/SJ MOSTET
Capacidade Capacidade de junção ultra-baixa
Resistência interna Resistência interna ultra pequena
Vantagens Comparado com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge.
Pacote Pacote ultra pequeno
Margem do IME Margem de EMI elevada
Tipo N
Aplicação Dirigente LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova energia, etc.
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energia
 

Aplicações:

OTransistores semicondutores de óxido metálico de superjunção (MOSFET de superjunção de Si)Produzido pela renomada empresa electrónica chinesaRazõesé um dispositivo discreto de potência de alto desempenho que foi desenvolvido para atender à demanda de aplicações de energia modernas.É feito de materiais de alta qualidade e foi projetado com os mais altos padrões de segurança e confiabilidadeÉ fabricado em Guangdong, China e está disponível a um preço competitivo.

O MOSFET de super junção de Si apresenta umembalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticasOs termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW) e tem uma capacidade de abastecimento de 5KK/mês.O produto está disponível emembalagem ultra pequenae tem um projeto tipo N com umbaixa resistência interna.

O Super Junction MOSFET pode ser usado em uma variedade de aplicações, como drivers LED, circuitos PFC, fontes de alimentação de comutação, UPS de sistemas de alimentação contínua e equipamentos de energia nova.Este produto é ideal para aqueles que procuram uma solução de energia confiável e eficiente para o seu dispositivo.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço do MOSFET Super Junction

Fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para nossos produtos MOSFET Super Junction.A nossa equipa de engenheiros experientes especializa-se em ajudar os clientes a encontrar a solução certa para as suas necessidadesOs nossos serviços incluem:

  • Assistência e consultoria em matéria de conceção
  • Selecção e avaliação dos produtos
  • Solução de problemas e personalização de aplicativos
  • Revisão das fichas de dados
  • Apoio e formação de produtos

Estamos empenhados em proporcionar aos nossos clientes a melhor experiência possível, e a nossa equipa de serviço ao cliente está disponível para responder a perguntas e prestar apoio.

 

Embalagem e transporte:

A embalagem e o transporte do Super Junction MOSFET são tratados com o máximo de cuidado para garantir que o seu produto chegue em segurança e a tempo.Todos os produtos são inspecionados para controlo de qualidade antes da embalagem e do envioOs materiais de embalagem, tais como bolhas, espumas e outros materiais de proteção, são utilizados para garantir a segurança do produto durante o transporte.Todos os pacotes são enviados usando transportadores confiáveis e números de rastreamento são fornecidos ao cliente para fácil rastreamento.

 

Perguntas frequentes:

P1: O que é o MOSFET de Super Junção?
A1: O MOSFET de Superjunção é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET) com uma estrutura melhorada,que melhora o seu desempenho e o torna adequado para aplicações de alta potência.
P2: Qual é a marca do Super Junction MOSFET?
R2: O MOSFET de Super Junção é da marca REASUNOS.
P3: Onde é fabricado o MOSFET de Super Junção?
A3: O Super Junction MOSFET é fabricado em Guangdong, China.
P4: Qual é a embalagem do MOSFET de Super Junção?
A4: O Super Junction MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
P5: Qual é o prazo de entrega do MOSFET de Super Junção?
R5: O prazo de entrega do MOSFET de Super Junção é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Etiquetas:

Transistores de Superjunção de Óxido Metálico

MOSFET de superjunção do circuito PFC

MOSFET de Superjunção de Fornecimento de Energia