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Transistor de súper unión industrial estable, disipación de calor Mosfet discreto

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Margen de la EMI EMI Margin grande Aplicación Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi
El tipo N Ventajas Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An
paquete Paquete ultra pequeño Capacitancia Capacitancia de empalme ultrabaja
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos del poder Nombre del producto Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET
Resaltar

Transistores industriales de súper unión

,

Transistor de súper unión estable

,

Disposición de calor Mosfet discreto
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Dispositivos discretos de MOSFET/SJ MOSTET de súper unión de resistencia interna ultrapequeña

Descripción del producto:

El transistor de semiconductores de óxido metálico de súper unión (sj mosfet) es un tipo de diodo de súper unión avanzado que está diseñado para ofrecer un mejor rendimiento y características que los dispositivos convencionales.Este dispositivo tiene una resistencia interna ultra pequeña y es ideal para aplicaciones como LED DriverEl dispositivo también cuenta con una capacidad de unión ultra-baja.lo que significa que puede manejar frecuencias de conmutación mucho más altas que otros tipos de transistoresAdemás, tiene un gran margen EMI, lo que significa que puede protegerse eficazmente contra EMI y corrientes de sobretensiones.que es más eficiente que el proceso de trinchera y ofrece excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET/SJ MOSTET de súper unión
Capacidad Capacidad de unión ultrabaja
Resistencia interna Resistencia interna muy pequeña
Ventajas Se hace por proceso de epitaxia de múltiples capas. Comparado con el proceso de trinchera, tiene excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge
Paquete Paquete muy pequeño
Margen del IME Gran margen de IEM
El tipo No
Aplicación El conductor LED, el circuito PFC, el suministro de energía de conmutación, el sistema UPS de suministro de energía continua, el equipo de energía de nueva energía, etc.
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energía
 

Aplicaciones:

ElTransistor de superunión de óxido metálico semiconductor (MOSFET de superunión de Si)Producido por la reconocida empresa electrónica chinaLas razoneses un dispositivo discreto de alta potencia que ha sido desarrollado para satisfacer la demanda de aplicaciones de energía modernas.Está hecho de materiales de alta calidad y ha sido diseñado con los más altos estándares de seguridad y fiabilidadSe fabrica en Guangdong, China y está disponible a un precio competitivo.

El MOSFET de súper unión de Si presenta unaembalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones, y se entrega dentro de 2-30 días, dependiendo de la cantidad total.El producto viene en unEnvase muy pequeñoy tiene un diseño de tipo N con unbaja resistencia interna.

El Super Junction MOSFET se puede utilizar en una variedad de aplicaciones, como controladores LED, circuitos PFC, fuentes de alimentación de conmutación, UPS de sistemas de suministro de energía continua y equipos de energía de nueva energía..Este producto es ideal para aquellos que buscan una solución de energía confiable y eficiente para su dispositivo.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio del MOSFET de Super Junction

Proporcionamos soporte técnico y servicio integral para nuestros productos MOSFET de Super Junction.Nuestro equipo de ingenieros experimentados se especializa en ayudar a los clientes a encontrar la solución adecuada para sus necesidadesNuestros servicios incluyen:

  • Asistencia en el diseño y consultoría
  • Selección y evaluación del producto
  • Solución de problemas y personalización de aplicaciones
  • Revisión de las fichas de datos
  • Apoyo y formación de productos

Nos comprometemos a proporcionar a nuestros clientes la mejor experiencia posible, y nuestro equipo de servicio al cliente está disponible para responder preguntas y brindar apoyo.

 

Embalaje y envío:

El embalaje y el envío de Super Junction MOSFET se manejan con el máximo cuidado para garantizar que su producto llegue a tiempo y con seguridad.Todos los productos se inspeccionan para el control de calidad antes del embalaje y envíoLos materiales de embalaje, tales como envoltura de burbujas, inserciones de espuma y otros materiales de protección se utilizan para garantizar que el producto esté seguro durante el transporte.Todos los paquetes se envían utilizando transportistas confiables y los números de seguimiento se proporcionan al cliente para facilitar el seguimiento.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Qué es el MOSFET de súper unión?
A1: El MOSFET de súper unión es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) con una estructura mejorada.que mejora su rendimiento y lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.
P2: ¿Qué marca es el Super Junction MOSFET?
R2: El Super Junction MOSFET es de la marca REASUNOS.
P3: ¿Dónde se fabrica el MOSFET de súper unión?
R3: El Super Junction MOSFET se fabrica en Guangdong, China.
P4: ¿Cuál es el embalaje del MOSFET de súper unión?
A4: El Super Junction MOSFET está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega del MOSFET de súper unión?
R5: El tiempo de entrega del MOSFET de súper unión es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Transistores de súper unión de óxido metálico

MOSFET de súper unión del circuito PFC

MOSFET de súper unión de suministro de energía