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Transistor à super jonction industriel stable, dissipation de chaleur discrète Mosfet

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Marge d'IEM Grande EMI Margin Application du projet Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati
Le type N Avantages Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti
le paquet Paquet ultra petit Capacité Capacité de jonction très réduite
Type de dispositif Dispositifs discrets de puissance Nom du produit Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET
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Transistors industriels à super jonction

,

Transistor à super jonction stable

,

Dissipation de chaleur Mosfet discrète
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Dispositifs discrets de puissance à super jonction MOSFET/SJ MOSTET à résistance interne ultra petite

Description du produit:

Le transistor semi-conducteur à superjonction d'oxyde métallique (sj mosfet) est un type de diode à superjonction avancée conçue pour offrir de meilleures performances et fonctionnalités que les appareils conventionnels.Cet appareil a une résistance interne ultra petite et est idéal pour des applications telles que le pilote LEDL'appareil est également doté d'une capacité de jonction ultra-faible.ce qui signifie qu'il peut gérer des fréquences de commutation beaucoup plus élevées que les autres types de transistorsEn outre, il a une grande marge EMI, ce qui signifie qu'il peut protéger efficacement contre les courants EMI et les surtensions.qui est plus efficace que le processus de tranchée et offre d'excellentes capacités anti-EMI et anti-surge.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit Le MOSFET/SJ MOSTET à super jonction est utilisé.
Capacité Capacité de jonction ultra-faible
Résistance interne Résistance interne extrêmement faible
Les avantages Il est fabriqué par un procédé d'épitaxie multicouche.
Le paquet Paquet ultra petit
Marge de l'IME Marge d'IME élevée
Le type N
Application du projet Le conducteur LED, le circuit PFC, l'alimentation électrique par commutation, le système UPS d'alimentation électrique continue, l'équipement électrique à énergie nouvelle, etc.
Type de dispositif Dispositifs discrets en puissance
 

Applications:

LeTransistors semi-conducteurs à super jonction d'oxyde métallique (MOSFET à super jonction de Si)produit par la célèbre société chinoise d'électroniqueLes raisonsest un dispositif discret de puissance haute performance qui a été développé pour répondre à la demande des applications d'énergie modernes.Il est fait de matériaux de haute qualité et a été conçu selon les normes les plus élevées de sécurité et de fiabilitéIl est fabriqué à Guangdong, en Chine et est disponible à un prix compétitif.

Le MOSFET à super jonction Si est doté d'unemballages tubulaires résistants à la poussière, à l'eau et antistatiquesLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW) et il a une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois.Le produit est livré enemballage ultra petitet a une conception de type N avec unfaible résistance interne.

Le Super Junction MOSFET peut être utilisé dans une variété d'applications, telles que les pilotes LED, les circuits PFC, les alimentations électriques de commutation, les UPS des systèmes d'alimentation en continu et les équipements de nouvelle énergie..Ce produit est idéal pour ceux qui recherchent une solution d'alimentation fiable et efficace pour leur appareil.

 

Assistance et services:

Support technique et service du MOSFET à super jonction

Nous fournissons un support technique complet et un service pour nos produits MOSFET à super jonction.Notre équipe d'ingénieurs expérimentés est spécialisée pour aider les clients à trouver la bonne solution pour leurs besoinsNos services incluent:

  • Assistance à la conception et conseil
  • Sélection et évaluation des produits
  • Dépannage et personnalisation d'applications
  • Examen de la fiche de données
  • Assistance et formation en matière de produits

Nous nous engageons à offrir à nos clients la meilleure expérience possible, et notre équipe de service à la clientèle est disponible pour répondre aux questions et fournir un soutien.

 

Emballage et expédition

L'emballage et l'expédition de Super Junction MOSFET sont traités avec le plus grand soin pour que votre produit arrive en toute sécurité et à temps.Tous les produits sont inspectés pour le contrôle de la qualité avant l'emballage et l'expéditionLes matériaux d'emballage tels que le papier de mousse, les inserts en mousse et d'autres matériaux de protection sont utilisés pour assurer la sécurité du produit pendant le transport.Tous les colis sont expédiés par des transporteurs fiables et les numéros de suivi sont fournis au client pour faciliter le suivi.

 

FAQ:

Q1: Qu'est-ce que le MOSFET à super jonction?
A1: le MOSFET à super jonction est un type de transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) avec une structure améliorée,qui améliore ses performances et le rend adapté aux applications à haute puissance.
Q2: Quelle est la marque du MOSFET Super Junction?
R2: Le Super Junction MOSFET est de la marque REASUNOS.
Q3: Où est fabriqué le MOSFET à super jonction?
R3: Le MOSFET à super jonction est fabriqué à Guangdong, en Chine.
Q4: Quel est l'emballage du MOSFET à super jonction?
A4: Le Super Junction MOSFET est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quel est le délai de livraison du MOSFET à super jonction?
R5: Le délai de livraison du MOSFET à super jonction est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Étiquettes:

Transistors à super jonction d'oxyde métallique

MOSFET à super jonction de circuit PFC

MOSFET à super jonction d'alimentation électrique