Alle producten
Contactpersoon : Anita Yin
Telefoonnummer : +86 13712219843
Whatsapp : 8613712219843

Industriële stabiele super junction transistor, warmte-dissipatie discrete Mosfet

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Plaats van herkomst Guangdong, CN
Merknaam REASUNOS
Prijs Confirm price based on product
Verpakking Details Stof-, water- en antistatische buisvormige verpakkingen, geplaatst in een kartonnen doos
Levertijd 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid)
Betalingscondities 100% T/T vooraf (EXW)
Levering vermogen 5KK/maand

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
EMI marge Grote EMI Margin Toepassing HOOFDbestuurder, PFC-Kring, Schakelende Voeding, UPS van Ononderbroken Voedingsysteem, New Energy-Ma
Type N Voordelen Het wordt gemaakt door Multi-layer Epitaxy Proces. Vergeleken met Geulproces, heeft het Uitstekende
Pakket Ultra Klein Pakket Capacitieve weerstand Ultra-low Verbindingscapacitieve weerstand
Apparatentype Machts Afzonderlijke Apparaten Naam van het product Super Verbinding MOSFET/SJ MOSTET
Markeren

Industriële transistors met superkoppeling

,

Transistor met een stabiele superkoppeling

,

Warmteafvoer Discrete Mosfet
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Laat een bericht achter
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Productomschrijving

Ultrakleine interne weerstand Super Junction MOSFET/SJ MOSTET Power Discrete Devices

Productbeschrijving:

Super Junction Metal Oxide Semiconductor Transistor (sj mosfet) is een type geavanceerde Superjunction diode die is ontworpen om betere prestaties en functies te bieden dan conventionele apparaten.Dit apparaat heeft een Ultra Small Internal Resistance en is ideaal voor toepassingen zoals LED DriverHet apparaat heeft ook een ultra-lage verbindingscapaciteit.wat betekent dat het kan omgaan met veel hogere schakelfrequenties dan andere typen transistors.Het heeft bovendien een grote EMI-marge, wat betekent dat het effectief kan beschermen tegen EMI en overspanningsstromen.die efficiënter is dan het Trench-proces en uitstekende anti-EMI- en anti-surge-mogelijkheden biedt.

 

Technische parameters:

Productnaam Super Junction MOSFET/SJ MOSTET
Capaciteit Ultra-lage verbindingscapaciteit
Interne weerstand Ultrakleine interne weerstand
Voordelen Vergeleken met het loopgraafproces heeft het uitstekende anti-EMI en anti-surge capaciteiten.
Pakket Ultra klein pakket
EMI-marge Grote EMI-marge
Type N
Toepassing LED-driver, PFC-circuit, schakeling van stroomvoorziening, UPS van continu stroomvoorziening, nieuwe energie-energieapparatuur, enz.
Typ van apparaat Stromdiscrete apparaten
 

Toepassingen:

DeMetalen oxide halfgeleidertransistors met superkoppeling (Si-superkoppeling MOSFET)geproduceerd door het bekende Chinese elektronische bedrijfREDENis een high-performance power discrete apparaat dat is ontwikkeld om te voldoen aan de vraag van moderne energie toepassingen.Het is gemaakt van hoogwaardige materialen en is ontworpen met de hoogste normen van veiligheid en betrouwbaarheidHet wordt geproduceerd in Guangdong, China en is verkrijgbaar tegen een concurrerende prijs.

De Si-supercombinatie MOSFET heeft eenstofdichte, waterdichte en antistatische buisvormige verpakkingenDe betalingsvoorwaarden zijn 100% T/T in Advance (EXW) en het heeft een aanbod van 5KK/maand.Het product wordt geleverd inultra klein pakketen heeft een type N-ontwerp met eenlage interne weerstand.

De Super Junction MOSFET kan worden gebruikt in een verscheidenheid aan toepassingen, zoals LED-drivers, PFC-circuits, schakeling van stroomvoorzieningen, UPS's van continue stroomvoorzieningssystemen en nieuwe energie-energieapparatuur.Dit product is ideaal voor degenen die op zoek zijn naar een betrouwbare en efficiënte energieoplossing voor hun apparaat.

 

Ondersteuning en diensten:

Super Junction MOSFET Technische ondersteuning en service

We bieden uitgebreide technische ondersteuning en service voor onze Super Junction MOSFET producten.Ons team van ervaren ingenieurs is gespecialiseerd in het helpen van klanten bij het vinden van de juiste oplossing voor hun behoeftenTot onze diensten behoren:

  • Ontwerphulp en advies
  • Selectie en evaluatie van het product
  • Probleemoplossing en aanpassing van applicaties
  • Herziening van de gegevenslijst
  • Productondersteuning en opleiding

We streven ernaar onze klanten de best mogelijke ervaring te bieden en onze klantenservice is beschikbaar om vragen te beantwoorden en ondersteuning te bieden.

 

Verpakking en verzending:

Super Junction MOSFET verpakking en verzending wordt met de grootste zorg behandeld om ervoor te zorgen dat uw product veilig en op tijd aankomt.Alle producten worden vóór verpakking en verzending gecontroleerd voor kwaliteitscontroleVerpakkingsmaterialen zoals bubbelwrap, schuiminzet en andere beschermende materialen worden gebruikt om ervoor te zorgen dat het product veilig is tijdens het vervoer.Alle pakketten worden verzonden met behulp van betrouwbare vervoerders en tracking nummers worden verstrekt aan de klant voor een gemakkelijke tracking.

 

Vragen:

V1: Wat is een Super Junction MOSFET?
A1: Super Junction MOSFET is een soort metaal-oxide-halfgeleiderveldtransistor (MOSFET) met een verbeterde structuur.die de prestaties verbetert en geschikt maakt voor toepassingen met een hoog vermogen.
V2: Welk merk is de Super Junction MOSFET?
A2: De Super Junction MOSFET is van het merk REASUNOS.
V3: Waar wordt het Super Junction MOSFET geproduceerd?
A3: De Super Junction MOSFET wordt geproduceerd in Guangdong, China.
V4: Wat is de verpakking van het Super Junction MOSFET?
A4: Het Super Junction MOSFET is verpakt in stofdichte, waterdichte en antistatische buisvormige verpakkingen, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen.
V5: Wat is de levertijd van de Super Junction MOSFET?
A5: De levertijd van de Super Junction MOSFET is 2-30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheid.
Markeringen:

Transistor met metaloxide-superverbinding

PFC-circuitsuper-junction MOSFET

MOSFET voor stroomvoorziening