Все продукты
Контактное лицо : Anita Yin
Номер телефона : +86 13712219843
WhatsApp : +8613712219843

Промышленный стабильный суперсоединительный транзистор, теплорассеивающий дискретный Мосфет

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Допустимый предел EMI Большой допустимый предел EMI Применение Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Тип N Преимущества Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Пакет Ультра небольшой пакет Емкость Ультра-низкая емкость соединения
Тип прибора Приборы силы дискретные Наименование продукта Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Выделить

Промышленный суперсоединительный транзистор

,

Стабильный транзистор с суперсоединением

,

Дискретное рассеивание тепла Mosfet
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Оставьте сообщение
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

Ультрамаленькое внутреннее сопротивление суперсоединение MOSFET/SJ MOSTET Дискритетные устройства питания

Описание продукта:

Транзистор с полупроводниковым оксидом металла с суперсоединением (sj mosfet) представляет собой вид передового диода с суперсоединением, который предназначен для предоставления лучших характеристик и производительности, чем обычные устройства.Это устройство имеет Ультра Малое внутреннее сопротивление и идеально подходит для таких приложений, как светодиодный драйверУстройство также имеет ультра-низкую емкость соединения.что означает, что он может обрабатывать частоты переключения намного выше, чем другие типы транзисторовКроме того, он имеет большую маржу EMI, что означает, что он может эффективно защищать от EMI и перенапряжений.который более эффективен, чем процессы траншеи и предлагает отличные возможности противопо EMI и противопотока..

 

Технические параметры:

Наименование продукта Суперсоединение MOSFET/SJ MOSTET
Пропускная способность Ультранизкая пропускная способность соединения
Внутреннее сопротивление Ультраменьшее внутреннее сопротивление
Преимущества Он изготовлен многослойным эпитаксическим процессом.
Пакет Сверхмаленький пакет
Маржинальная сумма ЕНП Большая маржа EMI
Тип N
Применение Драйвер LED, схема PFC, переключающее питание, UPS системы непрерывного питания, новое энергетическое оборудование, и т.д.
Тип устройства Устройства с дискретным питанием
 

Применение:

ВТранзистор полупроводникового оксида металла с суперсоединением (Si super junction MOSFET)производится известной китайской электронной компаниейПричиныявляется высокопроизводительным дискретным устройством питания, которое было разработано для удовлетворения потребностей современных энергетических приложений.Он сделан из высококачественных материалов и спроектирован с соблюдением самых высоких стандартов безопасности и надежности.Он производится в Гуандун, Китай и доступен по конкурентной цене.

Си супер соединение MOSFET имеетпылестойкая, водостойкая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенный в картонную коробку в картонные коробки, и доставляется в течение 2-30 дней, в зависимости от общего количества.Продукт поставляется всверхмаленький пакети имеет конструкцию типа N снизкое внутреннее сопротивление.

Super Junction MOSFET может использоваться в различных приложениях, таких как светодиодные драйверы, схемы PFC, коммутационные источники питания, УПС систем непрерывного питания и оборудование для электроэнергии с новой энергией.Этот продукт идеально подходит для тех, кто ищет надежное и эффективное решение для своего устройства.

 

Поддержка и услуги:

Техническая поддержка и обслуживание MOSFET Super Junction

Мы предоставляем всеобъемлющую техническую поддержку и сервис для наших продуктов Super Junction MOSFET.Наша команда опытных инженеров специализируется на помощи клиентам найти правильное решение для их потребностейНаши услуги включают:

  • Помощь в проектировании и консультирование
  • Выбор и оценка продукта
  • Устранение неполадок приложения и настройка
  • Обзор таблицы данных
  • Поддержка и обучение продуктов

Мы стремимся предоставить нашим клиентам наилучший опыт, и наша команда обслуживания клиентов готова ответить на вопросы и предоставить поддержку.

 

Упаковка и перевозка:

Опаковка и доставка Super Junction MOSFET обрабатываются с максимальной осторожностью, чтобы гарантировать безопасность и своевременность доставки продукта.Все продукты проверяются для контроля качества перед упаковкой и отправкойДля обеспечения безопасности продукта во время его транспортировки используются упаковочные материалы, такие как пузырьковая оболочка, пенные вставки и другие защитные материалы.Все посылки отправляются с помощью надежных перевозчиков и номера отслеживания предоставляются клиенту для легкого отслеживания.

 

Часто задаваемые вопросы

Вопрос 1: Что такое суперсоединение MOSFET?
A1: Super Junction MOSFET представляет собой тип полупроводникового транзистора с полевым эффектом оксида металла (MOSFET) с улучшенной структурой,который улучшает его производительность и делает его подходящим для высокопроизводительных приложений.
Вопрос 2: Какой марки является Super Junction MOSFET?
Ответ 2: Мосфет с суперсоединением - это бренд REASUNOS.
Q3: Где производится MOSFET Super Junction?
Ответ 3: MOSFET Super Junction производится в Гуандун, Китай.
Вопрос 4: Какова упаковка MOSFET Super Junction?
A4: Super Junction MOSFET упакована в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Q5: Каково время доставки Super Junction MOSFET?
Ответ: Срок доставки MOSFET с суперсоединением составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
Бирки:

Транзистор с металлическим оксидом

PFC MOSFET с суперсоединением с цепью

Мосфет с суперсоединением питания