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Transistor a super giunzione stabile industriale, Mosfet discreto di dissipazione del calore

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Margine di EMI Grande EMI Margin Applicazione Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime
Tipo N Vantaggi È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI
pacchetto Pacchetto ultra piccolo Capacità Capacità di giunzione ultrabassa
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potere Nome del prodotto Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET
Evidenziare

Transistor a super giunzione industriale

,

Transistor a super giunzione stabile

,

Dissipazione del calore Mosfet discreto
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Dispositivi discreti di potenza a super giunzione MOSFET/SJ MOSTET a resistenza interna ultra piccola

Descrizione del prodotto:

Il transistor a super giunzione di ossido metallico semiconduttore (sj mosfet) è un tipo di diodo avanzato a super giunzione che è progettato per offrire prestazioni e funzionalità migliori rispetto ai dispositivi convenzionali.Questo dispositivo ha una resistenza interna ultra piccola ed è ideale per applicazioni come LED Driver, circuito PFC, alimentazione di commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, e Nuova energia di potenza attrezzature.il che significa che può gestire frequenze di commutazione molto più elevate rispetto ad altri tipi di transistorInoltre, ha un grande margine EMI, il che significa che può efficacemente proteggere da EMI e correnti di sovratensione.che è più efficiente del processo di trincea e offre eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET/SJ MOSTET a super giunzione
Capacità Capacità di giunzione ultra-bassa
Resistenza interna Resistenza interna molto piccola
Vantaggi E' realizzato con il processo di epitaxia a più strati, ha eccellenti capacità anti-EMI e anti-surge rispetto al processo di trench.
Pacco Confezione ultrapiccola
Margine dell'IME Grandi margini di IME
Tipo N
Applicazione Guida LED, circuito PFC, alimentazione a commutazione, UPS di sistema di alimentazione continua, apparecchiature di alimentazione a nuova energia, ecc.
Tipo di dispositivo Dispositivi discreti di potenza
 

Applicazioni:

IlTransistor a super giunzione di ossido metallico semiconduttore (Si super giunzione MOSFET)Prodotto dalla rinomata azienda elettronica cineseMotiviè un dispositivo discreto di potenza ad alte prestazioni che è stato sviluppato per soddisfare la domanda di applicazioni di potenza moderne.È realizzato con materiali di alta qualità e è stato progettato secondo i più elevati standard di sicurezza e affidabilitàÈ prodotto a Guangdong, in Cina ed è disponibile ad un prezzo competitivo.

Il MOSFET a super giunzione di Si presenta unconfezioni tubulari impermeabili alla polvere, all'acqua e antistatiche, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartoni, e viene consegnato entro 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.Il prodotto è disponibile in unapacchetto ultra piccoloe ha un design di tipo N con unbassa resistenza interna.

Il Super Junction MOSFET può essere utilizzato in una varietà di applicazioni, come driver a LED, circuiti PFC, alimentatori di commutazione, UPS di sistemi di alimentazione continua e nuove apparecchiature di energia.Questo prodotto è ideale per coloro che cercano una soluzione di alimentazione affidabile ed efficiente per il loro dispositivo.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e assistenza al MOSFET Super Junction

Forniamo un supporto tecnico completo e un servizio per i nostri prodotti MOSFET Super Junction.Il nostro team di ingegneri esperti è specializzato nell'aiutare i clienti a trovare la soluzione giusta per le loro esigenzeI nostri servizi includono:

  • Assistenza alla progettazione e consulenza
  • Selezione e valutazione dei prodotti
  • Soluzione dei problemi e personalizzazione delle applicazioni
  • Revisione delle schede di dati
  • Supporto e formazione dei prodotti

Siamo impegnati a fornire ai nostri clienti la migliore esperienza possibile e il nostro team di assistenza clienti è disponibile per rispondere alle domande e fornire supporto.

 

Imballaggio e trasporto:

L'imballaggio e la spedizione del Super Junction MOSFET sono gestiti con la massima cura per garantire che il prodotto arrivi sicuro e in tempo.Tutti i prodotti sono controllati per il controllo della qualità prima dell'imballaggio e della spedizioneI materiali di imballaggio come la bombola, gli inserti di schiuma e altri materiali protettivi vengono utilizzati per garantire la sicurezza del prodotto durante il trasporto.Tutti i pacchetti sono spediti utilizzando vettori affidabili e i numeri di tracciamento sono forniti al cliente per un facile tracciamento.

 

FAQ:

D1: Cos'è il MOSFET a super giunzione?
A1: il MOSFET a super giunzione è un tipo di transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido metallico (MOSFET) con una struttura migliorata,che migliora le sue prestazioni e lo rende adatto per applicazioni ad alta potenza.
D2: Di che marca è il Super Junction MOSFET?
R2: Il Super Junction MOSFET è di marca REASUNOS.
D3: Dove viene fabbricato il MOSFET Super Junction?
R3: Il MOSFET Super Junction è prodotto a Guangdong, in Cina.
D4: Qual è la confezione del MOSFET di super giunzione?
A4: Il Super Junction MOSFET è confezionato in un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
Q5: Qual è il tempo di consegna del MOSFET Super Junction?
R5: Il tempo di consegna del MOSFET Super Junction è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
Etichette:

Transistor a super giunzione di ossido metallico

MOSFET a super giunzione del circuito PFC

MOSFET a super giunzione di alimentazione