Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess

Beschreibung des Produkts:

Das Niederspannungs-MOSFET ist ein hochmodernes Halbleitergerät, das auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen zugeschnitten ist.Dieses Produkt wurde mit einem ausgeklügelten Trench/SGT (Shielded Gate Trench) Strukturprozess entwickelt, die die Vorteile der Grabentechnologie und der SGT-Innovation miteinander verbindet.Leistung von höchster Qualität, die schwer zu erreichen ist.

Eine der herausragenden Eigenschaften des Trench Low Voltage MOSFET ist seine kleinere RSP (Rdson*Area), die ein direktes Ergebnis des Trench-Prozesses ist.Die Grabentechnologie ermöglicht ein kompakteres Zelldesign, was nicht nur den Einschaltwiderstand reduziert, sondern auch den gesamten Fußabdruck des MOSFET minimiert.Dies führt zu einem Gerät, das eine hohe Stromdichte liefern kann, während ein niedriges Wärmeprofil beibehalten wird, wodurch es für Raumbeschränkte Anwendungen, bei denen das thermische Management von entscheidender Bedeutung ist, ideal ist.

Darüber hinaus bieten diese Geräte eine beispiellose Flexibilität; sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.Diese Vielseitigkeit sorgt dafür, dass das Trench Low Voltage MOSFET an eine Vielzahl von Schaltkreisentwürfen angepasst werden kann, die es Ingenieuren ermöglicht, ihre Strommanagementsysteme je nach Leistung, Größe oder Kosten je nach spezifischen Bedürfnissen zu optimieren.

Ein weiterer wesentlicher Vorteil dieses Produkts ist der SGT-Prozess, der eine bahnbrechende Optimierung der FOM (Figure of Merit) ermöglicht.Der FOM ist ein kritischer Parameter, der die Effizienz des MOSFET durch Berücksichtigung sowohl des Widerstands als auch der Torladung misstDurch die Optimierung dieses Parameters liefert das Niederspannungs-MOSFET eine außergewöhnliche Effizienz, die es für ein breites Spektrum von Anwendungen geeignet macht.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W.

Der SGT-Prozess verbessert auch die EAS-Fähigkeit des MOSFET (Energy Avalanche and Single Pulse) erheblich.Hohe EAS-Fähigkeit bedeutet, dass das Gerät ohne Ausfall hochenergetischen Impulsen standhält, was besonders für Anwendungen wichtig ist, die anfällig für vorübergehende Bedingungen sind oder Robustheit gegen unerwartete Spannungsspitzen erfordern.Diese Robustheit verlängert die Lebensdauer des MOSFET und die allgemeine Zuverlässigkeit des Systems, das in der.

Was den Stromverbrauch angeht, so zeichnet sich das Niederspannungs-MOSFET durch seine geringe Leistungsverlustcharakteristik aus.wenn sich Effizienz direkt in Kosteneinsparungen und geringere Umweltauswirkungen übersetztDurch die Minimierung der als Wärme abgewandelten Energie tragen diese MOSFETs nicht nur zu einem umweltfreundlicheren Betrieb bei, sondern reduzieren auch die Notwendigkeit aufwändigerer Kühllösungen, wodurch Raum und Ressourcen weiter eingespart werden.

Die MOSFET-Funktion mit niedrigem VGS ist ein weiteres Highlight dieser Produktlinie. Eine niedrige Tor-Quellen-Schwellenspannung (Vgs) stellt sicher, dass das MOSFET bei niedrigeren Spannungen effektiv arbeiten kann,die für batteriebetriebene Geräte und andere Anwendungen, bei denen die Stromversorgung begrenzt ist, entscheidend istDie Fähigkeit, bei niedrigen Spannungen effizient zu schalten, trägt auch zur Verringerung der Schaltverluste bei und trägt zur allgemeinen Energieeffizienz des Systems bei.

Die Integration der Trench- und SGT-Prozesse in das Niederspannungs-MOSFET ermöglicht eine außergewöhnliche Kombination aus geringem Widerstand, hoher Schaltgeschwindigkeit und Robustheit.Dies macht es zu einer ausgezeichneten Wahl für Konstrukteure, die die Leistung und Zuverlässigkeit ihrer Strommanagementsysteme verbessern möchten.. mit der Fähigkeit, sowohl hohe Ströme als auch Energieimpulse zu bewältigen und gleichzeitig einen geringen Stromverbrauch und einen effizienten Betrieb bei niedrigen Torspannungen zu gewährleisten,Das Niederspannungs-MOSFET ist eine vielseitige Komponente, die mehr Anwendungen abdeckt als je zuvor.

Eigenschaften:

• Produktbezeichnung: Niederspannungs-MOSFET
• Anwendungsbereich des Trenchprozesses:
  • Drahtloses Laden
  • Schnell aufladen
  • Fahrer
  • Gleichspannungskonverter
  • Hochfrequenzschalter
  • Synchrone Berichtigung
• Effizienz: Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
• Strukturprozess: Gräben/SGT
• Vorteile des SGT-Verfahrens:
  • Durchbruch bei der FOM-Optimierung
  • Weitere Anwendungen
• Niedrigspannungs-MOSFET: Optimiert für Niedrigspannungsanwendungen
• MOSFET mit niedrigem Vgs: Geeignet für Schaltkreise mit niedrigen Anforderungen an die Spannung der Torquelle
• Niederspannungs-MOSFET: Ideal für energieeffiziente Konstruktionen

Technische Parameter:

Anwendungen:

Das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein leistungsstarkes Halbleitergerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen entwickelt wurde.Es ist ideal für Szenarien geeignet, in denen ein effizientes Strommanagement entscheidend ist.Diese Niederspannungs-FET ist aufgrund ihrer bemerkenswerten EAS-Fähigkeit, die in den anspruchsvollsten Situationen Zuverlässigkeit und Haltbarkeit gewährleistet, in der Industrie ein Grundnahrungsmittel.Die Marke REASUNOS steht für Qualität und Leistung.

Mit einem Fokus auf geringen Stromverlust ist das Niederspannungs-MOSFET eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen wie drahtloses Laden, das eine nahtlose und effiziente Energieübertragung bietet.Die niedrige VGS-Schwelle sorgt für eine optimale Leistung bei schnellen LadeanwendungenIn Motorantriebssystemen ist das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET maßgeblich für die präzise Steuerung und Steuerung der Leistung,ein reibungsloses und wirksames Motorbetrieb.

Das Gerät eignet sich auch hervorragend für Gleichspannung/Gleichspannungskonverter, bei denen die Fähigkeit zur Handhabung von Hochfrequenzschaltungen von entscheidender Bedeutung ist.Dies führt zu einer besseren Effizienz und einer längeren Lebensdauer von StromsystemenFür Anwendungen mit synchroner Berichtigung zeichnet sich das REASUNOS MOSFET durch Minimierung des Leistungsverlustes und Maximierung der Umwandlungseffizienz aus.Es ist eine wichtige Komponente bei der Entwicklung energieeinsparender Stromversorgungen..

Jedes Niederspannungs-MOSFET ist sorgfältig in staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackungen verpackt, um den maximalen Schutz während des Transports zu gewährleisten.Anschließend werden sie in eine Kartonbox gelegt und für zusätzliche Sicherheit in Kartons gesichert.. Mit einer Lieferkapazität von 5KK pro Monat kann REASUNOS die Anforderungen sowohl kleiner als auch größerer Projekte erfüllen.

Was die Beschaffung anbelangt, so unterhält die Marke REASUNOS transparente und einfache Zahlungsbedingungen mit einem T/T-Vorschuss von 100% (EXW), wodurch ein sicherer und effizienter Transaktionsprozess gewährleistet wird.Kunden werden aufgefordert, den Preis auf der Grundlage der spezifischen Produktkonfiguration zu bestätigen, die sie benötigen.Diese Aufmerksamkeit auf Details und Anpassungsmöglichkeiten macht REASUNOS zur bevorzugten Wahl für Ingenieure und Käufer, die eine zuverlässige Niederspannungs-FET-Lösung für ihre elektronischen Konstruktionen suchen.

Unterstützung und Dienstleistungen:

Our Low Voltage MOSFET products are supported by a comprehensive technical support and services package designed to provide our customers with the resources they need to successfully implement our components in their applicationsUnsere Unterstützung umfasst detaillierte Produktdokumentation, Anwendungsnotizen und Design-Tools, die bei der Auswahl von Geräten und bei der Optimierung von Anwendungen helfen.

Technischer Support ist über eine umfangreiche Bibliothek von Online-Ressourcen verfügbar, einschließlich FAQs, Fehlerbehebungsleitfäden und Empfehlungen für bewährte Verfahren.Wir bieten Simulationsmodelle und Software an, um die Leistung des Geräts vorherzusagen und das Schaltkreisdesign zu erleichtern.

Wir verpflichten uns, qualitativ hochwertige Dienstleistungen zu erbringen, um die erfolgreiche Integration unserer Niederspannungs-MOSFET-Produkte in Ihre Projekte zu gewährleisten.Bitte beachten Sie, dass wir uns bemühen, umfassende Unterstützung zu leisten, sind in dieser Erklärung nicht enthalten und müssen separat eingeholt werden.

Verpackung und Versand:

Das Niederspannungs-MOSFET-Produkt wird sicher in antistatisches Material verpackt, um eine sichere Lieferung und Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) zu gewährleisten.Jedes MOSFET wird einzeln in eine Schutzhülle eingeschlossen, und mehrere Einheiten werden gemeinsam in einer robusten, gepolsterten Box untergebracht, die standardmäßigen Versandbedingungen standhält.

Auf der Außenseite der Verpackung ist die Art des Produkts, die Handhabungsanweisungen und alle notwendigen Warnungen deutlich anzugeben.Die Box wird mit manipulationssicherem Klebeband versiegelt, um eine zusätzliche Sicherheitsschicht zu bietenFür internationale Sendungen werden alle erforderlichen Zolldokumente in einem sichtbaren und wettersicheren Gehäuse an der Außenseite des Pakets befestigt.

Vor dem Versand wird jede Verpackung einer letzten Prüfung unterzogen, um sicherzustellen, dass das Produkt unseren Qualitätsstandards entspricht und die Verpackung sicher ist.Das Paket wird dann über unseren vertrauenswürdigen Logistikdienstleister versendet., und dem Kunden eine Nachverfolgungsnummer zur Verfügung gestellt wird, um die Echtzeitüberwachung der Sendung bis zu ihrem Bestimmungsort zu ermöglichen.