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Schlüsselwörter [ base station low voltage mosfet ] Spiel 40 produits.
Industrielles Niederspannungs-MOSFET für 5G-Basisstationen
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Multiscene 20V Mosfet Niedrigspannung, 5G Basisstation Niedrigleistungstransistor
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Hohe Effizienz Niedrigstromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench / SGT-Prozess
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
P-Kanal Niederspannungs-MOSFET
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Schnellladende Niederspannungs-MOSFET N-Kanal Mehrzweck für Motorfahrer
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
HF-Schalter Niederspannungs-MOSFET praktisch für die synchrone Berichtigung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
SGT Niedrigspannungs-MOSFET 30V 40V
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess
| resistance: | Low Rds(ON) |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |