Hohe Effizienz Niedrigstromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench / SGT-Prozess

Place of Origin Guangdong, CN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Packaging Details Dustproof, waterproof, and anti-static tubular packaging, placed inside a cardboard box in cartons
Delivery Time 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Payment Terms 100% T/T in Advance(EXW)
Supply Ability 5KK/month

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Produktdetails
Power consumption Low Power Loss Efficiency High Efficiency And Reliable
Trench process Advantages Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. resistance Low Rds(ON)
Structure process Trench/SGT SGT process Advantages Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Product name Low Voltage MOSFET EAS capability High EAS Capability
Hervorheben

MOSFET für die Niederspannung im Graben

,

Hocheffizientes Niederspannungs-MOSFET

,

Niedrigstromverlust Niedrigspannung MOSFET

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Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

DieNiederspannungs-MOSFETist ein fortgeschrittener Strommanagement-Halbleiter, der speziell für Anwendungen mit hoher Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung bei Niederspannungsbetrieben entwickelt wurde.Dieses Produkt ist ein Grundnahrungsmittel in der Leistungselektronikindustrie, wo es für eine Vielzahl von Anwendungen von Motorfahrern bis hin zu den neuesten 5G-Basisstationen, Energiespeichersystemen, Hochfrequenzschaltern und synchronen Berichtigungsschaltungen geeignet ist.

DieNiederspannungs-MOSFETist mit einem hochmodernenStrukturprozess: Gräben/SGT(Shielded Gate Trench) -Technologie, die ihre Leistung in kritischen Aspekten verbessert.bei denen sichergestellt wird, dass die Vorrichtung die hohen Schaltfrequenzen und Leistungsdichten problemlos bewältigen kannDarüber hinaus macht der SGT-Prozess dieses MOSFET zu einer ausgezeichneten Wahl für 5G-Basisstationen, die aufgrund der hohen Datenraten, die sie verarbeiten, eine hohe Energieeffizienz und ein überlegenes thermisches Management verlangen.Auch Energiespeichersysteme profitieren vom SGT-Prozess, da sie kompaktere und effizientere Konstruktionen ermöglicht,Während Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigungsschaltkreise von der Fähigkeit des Prozesses profitieren, Verluste zu minimieren und Reaktionszeiten zu verbessern.

Einer der wichtigsten Merkmale derNiederspannungs-MOSFETist esniedrige Rds ((ON)Diese Eigenschaft ist entscheidend, weil sie die Leistungsauslösung des Geräts direkt beeinflusst,mit einem niedrigeren Rds ((ON), was zu einer geringeren Wärmeerzeugung und einem höheren Wirkungsgrad führtDiese Eigenschaft ist besonders wichtig in energieempfindlichen Anwendungen, bei denen jede Milliwatt Energieeinsparung entscheidend sein kann.

Die Anwendung des Trenchprozesses ist ein weiterer wichtiger Aspekt derNiederspannungs-MOSFETDieses Verfahren wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich drahtloser Ladesysteme und schneller Ladesysteme, die von der Fähigkeit des MOSFET profitieren, hohe Ströme mit minimalen Verlusten zu bewältigen.Auch Motorantriebe und Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter profitieren von der überlegenen Schaltleistung des Trenchprozesses, was für die Aufrechterhaltung der Effizienz und Leistung von entscheidender Bedeutung ist. High-frequency switches and synchronous rectification circuits further utilize the Trench process to achieve the fast switching speeds and low on-state resistances required for modern electronic systems.

Bei bestimmten Arten von Niederspannungs-MOSFETs umfasst dieses ProduktMOSFET mit niedriger TorspannungOptionen, die so konzipiert sind, dass sie bei niedrigeren Torantriebsspannungen wirksam arbeiten.Diese Fähigkeit ist besonders für batteriebetriebene Anwendungen und Geräte von Vorteil, die mit begrenztem Strombudget arbeitenDurch die geringere Anschaltspannung sparen diese MOSFETs Energie und verlängern die Akkulaufzeit von tragbaren Geräten.

Außerdem wird dieNiederspannungs-MOSFETPortfolio umfasstMOSFET mit niedriger SchwellenspannungDies ist ein erheblicher Vorteil in Schaltkreisen, die eine präzise Steuerung der Schaltschwellen erfordern.Diese Eigenschaft ist für Anwendungen, die an den Grenzen ihrer Stromversorgungsmöglichkeiten arbeiten, unerlässlich, oder wenn es notwendig ist, eine hohe Kontrolle des Stromflusses aufrechtzuerhalten.

Zusammenfassend kann gesagt werden, daßNiederspannungs-MOSFETstellt einen Sprung in die Leistungshalbleitertechnologie dar, indem die neuesten Trench- und SGT-Prozesse kombiniert werden, um ein Produkt anzubieten, das den anspruchsvollen Anforderungen zeitgenössischer Anwendungen entspricht.Es ist niedrig Rds ((ON), verbunden mit seiner Fähigkeit, bei niedrigen Tor- und Schwellenspannungen zu arbeiten, macht es zu einem unverzichtbaren Bauteil in einer Vielzahl von elektronischen Systemen.Ob für die Stromversorgung der nächsten Generation von 5G-Netzwerken, effiziente Motoren antreiben, Energie in Speichersystemen verwalten oder schnelles und drahtloses Laden ermöglichen, ist das Niederspannungs-MOSFET so konzipiert, dass es eine beispiellose Leistung und Effizienz bietet.


Eigenschaften:

  • Produktbezeichnung: Niederspannungs-MOSFET
  • Niederspannungs-MOSFET für verschiedene Anwendungen
  • Anwendung des SGT-Verfahrens:
    • Fahrer
    • 5G-Basisstation
    • Energiespeicherung
    • Hochfrequenzschalter
    • Synchrone Berichtigung
  • EAS-Kapazität: hohe EAS-Kapazität für robuste Leistung
  • Anwendungsbereich des Trenchprozesses:
    • Drahtloses Laden
    • Schnell aufladen
    • Fahrer
    • Gleichspannungskonverter
    • Hochfrequenzschalter
    • Synchrone Berichtigung
  • Strukturprozess: Kombination von Trench/SGT für eine optimale Effizienz
  • Niederspannungsfeldwirkungstransistor für energieempfindliche Anwendungen
  • Niederspannungs-MOSFET mit Lösungen für die Stromverwaltung mit hoher Dichte

Technische Parameter:

Parameter Spezifikation
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch in der FOM-Optimierung, um mehr Anwendungen abzudecken
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig

Anwendungen:

Das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein fortschrittliches Halbleitergerät, das sorgfältig für ein breites Spektrum von Produktanwendungen entwickelt wurde, bei denen ein effizientes Strommanagement entscheidend ist.Herkunft Guangdong, CN, sind diese MOSFETs ein Zeugnis von hochwertigen Herstellungsprozessen und sorgfältiger Liebe zum Detail.Der Preis dieser Niederspannungsfeldwirkungstransistoren ist wettbewerbsfähig und kann anhand der vom Kunden gewählten spezifischen Produktvariante bestätigt werdenJede Einheit ist durch staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen geschützt, die die Unversehrtheit des Produktes gewährleisten.der dann in eine robuste Kartonbox gelegt wird, bevor er für einen zusätzlichen Schutz während des Transports in Kartons verpackt wird.

REASUNOS legt Wert auf schnelle Lieferung mit einer Lieferzeit von 2 bis 30 Tagen, je nach Bestellmenge.Erfüllung der Anforderungen an kleine und große MengenDie Transaktionen sind nahtlos und sicher mit einer Zahlungsfrist von 100% T/T im Voraus (EXW), was jedem Kunden Ruhe in der Seele garantiert.Die hohe EAS-Fähigkeit dieser MOSFETs stellt sicher, dass sie gegen unerwartete Spitzen an Spannung standhalten, während das Attribut des geringen Leistungsverlustes bedeutet, dass Geräte, die diese Komponenten verwenden, energieeffizient sind.

Mit einem Strukturprozess, der Trench/SGT umfasst, weisen REASUNOS MOSFETs eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung auf, was sie für eine Vielzahl von Anwendungen ideal macht.Die Anwendung des SGT-Verfahrens erstreckt sich auch auf Kraftfahrer, 5G-Basisstationen, Energiespeichersysteme, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Diese niedrigen Schwellenspannung Mosfets sind so konzipiert, dass sie auch bei reduzierten Torspannungen effektiv arbeiten, was eine größere Flexibilität bei der Schaltkreisgestaltung und Energieeinsparmöglichkeiten ermöglicht.

Leistungselektronikentwickler können die Vorteile von MOSFETs mit niedriger Torspannung von REASUNOS nutzen, um energieeffiziente Unterhaltungselektronik, Automobilkomponenten und industrielle Maschinen zu entwickeln.Ob es sich um komplizierte Computergeräte oder um robuste Industrieanlagen handelt, REASUNOS MOSFETs mit ihren Niederspannungsfeldwirkungseigenschaften sorgen dafür, dass jede Anwendung sicher, effizient und zuverlässig angetrieben wird.


Unterstützung und Dienstleistungen:

Die Niederspannungs-MOSFET-Produktlinie wird durch eine umfassende Palette von technischen Dienstleistungen unterstützt, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.Unser Team ist bestrebt, Ihnen fachkundige Hilfe und Ressourcen zur Verfügung zu stellen, um Ihnen zu helfen, unsere MOSFETs effektiv in Ihre Entwürfe zu integrieren.Diese Dienstleistungen umfassen detaillierte Produktdatenblätter, Anwendungsnotizen, Entwurfswerkzeuge und Simulationsmodelle, um Ihren Entwicklungsprozess zu erleichtern.

Wir bieten eine umfangreiche Bibliothek technischer Dokumentation an, die Ihnen hilft, die Eigenschaften und Spezifikationen unserer Niederspannungs-MOSFETs zu verstehen.Unsere Anwendungsanweisungen geben Anleitung, wie diese Komponenten in verschiedenen Schaltkreisen und Anwendungen verwendet werden, um sicherzustellen, dass Sie ihre Fähigkeiten optimal nutzen können.

Für Designunterstützung können Sie auf unsere Suite von Designwerkzeugen und Simulationsmodellen zugreifen, um das Verhalten unserer MOSFETs in Ihren spezifischen Anwendungen vorherzusagen.Diese vorausschauende Fähigkeit ermöglicht effizientere Konstruktionszyklen und ein höheres Maß an Zuverlässigkeit für die Endergebnisse.

Zusätzlich zu diesen Ressourcen steht Ihnen unser technisches Support-Team zur Verfügung, um alle Fragen zu unseren Produkten zu beantworten.oder Fehlerbehebung, sind unsere Experten hier, um Ihnen zu helfen, Erfolg mit unseren Niederspannungs-MOSFETs zu erzielen.


Verpackung und Versand:

Das Niederspannungs-MOSFET-Produkt ist sorgfältig verpackt, um seine Integrität und Qualität während des Transports zu gewährleisten.Jedes MOSFET ist einzeln in eine antistatische Verpackung eingeschlossen, um vor elektrostatischen Entladungen zu schützen, die die Leistung des Geräts beeinträchtigen könntenDer antistatische Beutel wird dann in eine gepolsterte Box gelegt, die speziell auf die Abmessungen des MOSFETs zugeschnitten ist und zusätzlichen Schutz vor physikalischen Schocks und Vibrationen bietet.

Die MOSFET-Einheiten werden weiter in größere, langlebige Kartons für den Schüttguthandel eingerichtet, die mit schwerem Klebeband versiegelt und klar mit dem Produktnamen versehen sind.Spezifikationen, Menge und Handhabungsanweisungen, um eine einfache Identifizierung und eine ordnungsgemäße Handhabung während des Versands zu erleichtern.

Um die Sicherheit des Produktes während des Transports zu gewährleisten, werden die Außenkartons auf Paletten geladen und sicher geschrumpft.Die auf Paletten befestigten Produkte werden anschließend über vertrauenswürdige Kurierdienste mit vollständig versicherter Abdeckung versandt, um vor möglichen Schäden oder Verlusten zu schützenDie Nachverfolgungsinformationen werden dem Kunden zur Verfügung gestellt, um den Fortschritt der Sendung zu überwachen, bis die endgültige Lieferung sicher abgeschlossen ist.