Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
Place of Origin | Guangdong, CN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Packaging Details | Dustproof, waterproof, and anti-static tubular packaging, placed inside a cardboard box in cartons |
Delivery Time | 2-30 days (Depends on Total Quantity) |
Payment Terms | 100% T/T in Advance(EXW) |
Supply Ability | 5KK/month |

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xStructure process | Trench/SGT | SGT process Advantages | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
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Product name | Low Voltage MOSFET | Efficiency | High Efficiency And Reliable |
Power consumption | Low Power Loss | SGT process Application | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Trench process Advantages | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. | EAS capability | High EAS Capability |
Hervorheben | Tiefspannungs-MOSFET,Hocheffizientes Niederspannungs-MOSFET,5G-Basisstation MOSFET |
Beschreibung des Produkts:
Das Niederspannungs-MOSFET ist ein hochmodernes Halbleitergerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen entwickelt wurde, die hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und geringen Stromverbrauch erfordern.die für Metalloxid-Halbleitertranzistor mit Feldwirkung steht, ist eine Art Transistor, der zur Verstärkung oder zum Umschalten elektronischer Signale verwendet wird.Dies macht es zu einem idealen Bauteil für moderne elektronische Geräte, bei denen die Energieeffizienz von größter Bedeutung ist..
Im Zentrum der hohen Effizienz des Niederspannungs-MOSFETs liegt sein niedriger Rds ((ON), was für Drain-Source On-Resistance steht.Dieser entscheidende Parameter bestimmt, wie viel Energie als Wärme verloren geht, wenn das MOSFET Strom leitet. Je niedriger der Rds ((ON), desto weniger Energie wird verschwendet, was dafür sorgt, dass das Gerät kühl arbeitet und Energie spart.Dies ist besonders für Anwendungen von Vorteil, bei denen ein geringer thermischer Fußabdruck unerlässlich ist.
Diese Niederspannungstransistoren sind mit dem modernsten SGT-Verfahren (Strained Gate Technology) entwickelt worden, das eine bahnbrechende Optimierung der FOM (Figure of Merit) bietet.FOM ist ein kritisches Maß für die Leistung eines MOSFET, das Rds ((ON) und Gate Charge (Qg) berücksichtigtDer SGT-Prozess verbessert die FOM durch Optimierung dieser Parameter und ermöglicht eine effizientere und reaktionsschneller funktionierendeDas wiederum macht diese Transistoren geeignet für mehr Anwendungen.Egal, ob für das Strommanagement in tragbaren Geräten, die Motorsteuerung in der industriellen Automatisierung oder in Stromversorgungen, diese MOSFETs liefern außergewöhnliche Leistung.
Der Stromverbrauch ist ein kritischer Aspekt jeder elektronischen Komponente, und das Niederspannungs-MOSFET zeichnet sich in diesem Bereich durch seine geringen Leistungsverlustmerkmale aus.Durch Minimierung der Spannungsabfälle über den Bauteil und Sicherstellung, dass die Leistung effektiv genutzt wird, tragen diese MOSFETs zur allgemeinen Energieeffizienz der Systeme bei, in die sie integriert sind.Dies macht sie zu einem unverzichtbaren Bestandteil von energiesensitiven Konstruktionen, bei denen die Lebensdauer der Batterie und die Energieeinsparung von größter Bedeutung sind.
Das Niederspannungs-MOSFET verfügt zudem über eine geringe Torspannung, die bei Niederspannungsanwendungen einen erheblichen Vorteil darstellt.Dies führt zu einem reduzierten Stromverbrauch für die AntriebsschaltungDiese Eigenschaft ist besonders wichtig in der tragbaren Elektronik, wo die Verlängerung der Akkulaufzeit entscheidend ist.,Da es den Bedarf an komplexen Ebeneverschiebungsschaltungen, die oft für die Schnittstelle mit höherspannungsfähigen Komponenten erforderlich sind, reduziert.
Darüber hinaus unterstreicht das MOSFET mit niedrigem VGS, das sich auf die Gate-Source-Spannung bezieht, die Fähigkeit des Geräts, effektiv mit minimalen Spannungsniveaus zwischen dem Gate- und den Quellterminals zu arbeiten.Dies stellt sicher, dass das MOSFET bei niedrigeren Spannungen angetrieben werden kann, die Kompatibilität mit Niederspannungs-Logikkreisen und Mikrocontrollern weiter verbessert.für den Hochfrequenzbetrieb ohne höhere Stromverbrauchsstrafe.
Zusammenfassend ist das Niederspannungs-MOSFET ein hocheffizientes, zuverlässiges und energiesparendes Halbleitergerät, das sich durch seine geringen Rds ((ON), fortschrittliche SGT-Prozessvorteile,und geeignet für eine Vielzahl von AnwendungenMit seiner geringen Torspannung und seinen geringen Vgs-Eigenschaften stellt er einen bedeutenden Fortschritt auf dem Gebiet der Leistungselektronik dar.Anbieter von vielseitigen und energieeffizienten Komponenten für die elektronische Anlage der nächsten GenerationDas Niederspannungs-MOSFET wird für Industriezweige, die ihre Leistung verbessern und gleichzeitig den Stromverbrauch reduzieren und die Wärmeabgabe in ihren elektronischen Geräten kontrollieren möchten, ein Game-Changer sein.
Eigenschaften:
- Produktbezeichnung: Niederspannungs-MOSFET
- Vorteile des SGT-Verfahrens:
- Durchbruch bei der Optimierung von FOM (Figur of Merit)
- Mehr Anwendungen
- EAS-Kapazität: Hohe EAS-Kapazität (Energie-Avalanche und -Schaltung)
- Strukturprozess: Gräben/SGT
- Stromverbrauch: geringer Stromverlust
- Vorteile des Trenchprozesses:
- Kleinere RSP (Widerstand x Flächenprodukt)
- Sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
- Schlüsselwörter:
- Niederspannungstransistor
- Niedrigspannungs-MOSFET
- MOSFET für Schützengraben
Technische Parameter:
Parameter | Einzelheiten |
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Produktbezeichnung | Niederspannungs-MOSFET |
Strukturprozess | Graben/SGT |
Effizienz | Hochwirksam und zuverlässig |
Stromverbrauch | Niedriger Stromverlust |
Widerstand | Niedrige Rds ((ON) |
EAS-Fähigkeit | Hohe EAS-Fähigkeit |
Vorteile des Grabenprozesses | Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden |
Anwendung des Gräbenprozesses | Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung |
Vorteile des SGT-Verfahrens | Durchbruch in der FOM-Optimierung, um mehr Anwendungen abzudecken |
Anwendung des SGT-Verfahrens | Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung |
Anwendungen:
Das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein hocheffizientes Halbleitergerät, das sorgfältig entwickelt wurde, um bei niedrigen Torspannungen zu arbeiten, was es zu einem idealen Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen macht.Ursprunglich aus dem technologischen Zentrum von Guangdong, CN, ist dieses niedrige VGS-MOSFET so konzipiert, dass es den anspruchsvollen Anforderungen moderner elektronischer Schaltungen entspricht, bei denen geringer Widerstand und hohe Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.
Das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET gewährleistet mit seiner geringen Rds ((ON) -Eigenschaft einen minimalen Energieverlust und verbessert die Gesamteffizienz des Systems.die für batteriebetriebene Geräte und energieempfindliche Systeme kritisch istZu den bahnbrechenden Vorteilen des SGT-Prozesses dieses Niederspannungs-MOSFET gehören die optimierte Verdienstzahl (Figure of Merit, FOM), die ihre Anwendung auf anspruchsvollere Szenarien erweitert.wie z. B. Stromverwaltung in tragbaren Elektronik, Gleichspannungskonverter und Motorsteuerungen.
Darüber hinaus bieten die Vorteile des Trench-Prozesses diesem MOSFET eine kleinere RSP, die sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen ermöglicht.Diese Flexibilität ermöglicht es den Konstrukteuren, die REASUNOS MOSFETs in verschiedenen Schaltkreistopologien frei zu kombinieren und zu nutzen, um die bestmögliche Leistung zu erzielenDie Anpassungsfähigkeit dieses MOSFET mit niedrigem VGS macht es für ein breites Spektrum von Produkten geeignet, angefangen von Unterhaltungselektronik bis hin zu Industrieautomationssystemen.
Wenn es um die Verpackung geht, stellt REASUNOS sicher, dass das Niederspannungs-MOSFET dank staub-, wasserdichtem und antistatischem Rohrverpackungen in unberührtem Zustand geliefert wird.Jedes MOSFET wird sorgfältig in eine Kartonscheibe gelegtDie Lieferzeit ist effizient und beträgt je nach Bestellmenge zwischen 2 und 30 Tagen.mit einer Lieferkapazität von 5KK/Monat, was das Engagement der Marke widerspiegelt, den großen Nachfragen schnell gerecht zu werden.
REASUNOS hat klare Kaufbedingungen festgelegt, einschließlich einer 100%igen T/T-Vorzahlung (EXW), um eine transparente Transaktion zu gewährleisten.Kunden, die an dem Erwerb des Niederspannungs-MOSFET interessiert sind, sind eingeladen, den Preis auf der Grundlage der Produktspezifikationen und der Mengeanforderungen zu bestätigen.Mit REASUNOS erhalten Kunden ein Produkt, das hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und die Vielseitigkeit vereint, die für modernste elektronische Anwendungen erforderlich sind, die ein geringes VGS-MOSFET benötigen.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte sind so konzipiert, dass sie hohe Leistung und Zuverlässigkeit bieten.Wir bieten eine umfassende Palette an technischen Dienstleistungen an.Unser technischer Support umfasst detaillierte Produktdokumentation, Anwendungsnotizen und Design-Tools, die bei der Auswahl von Geräten und der Systemintegration helfen.Wir bieten Hilfe bei der Fehlerbehebung an und können Ihnen Anleitungen zu Best Practices für die Verwendung und Handhabung von Geräten zur Maximierung von Leistung und Langlebigkeit gebenFür komplexe Probleme oder Designprobleme steht unser Expertenteam zur Verfügung, um Ihnen eine eingehende technische Beratung zu geben.aber wir stellen sicher, dass unsere Online-Ressourcen umfangreich und aktuell sind, um Ihren Bedürfnissen effektiv gerecht zu werden.
Verpackung und Versand:
Das Niederspannungs-MOSFET-Produkt ist sorgfältig in antistatisches Material verpackt, um einen sicheren Transport und Handhabung zu gewährleisten.Jedes MOSFET ist einzeln in eine Schutzhülle umhüllt, um elektrische Schäden zu verhindern, und wird dann in eine robuste, eine maßgeschneiderte Kartonbox, die zusätzliche Isolierung und Stoßdämpfung bietet.Die Außenverpackung ist klar mit den notwendigen Warnhinweisen für die Handhabung und die elektrostatische Empfindlichkeit gekennzeichnet, um die Einhaltung der Schifffahrtsvorschriften zu gewährleisten und die Handler über die erforderliche Sorgfalt zu informieren..
Vor dem Versand wird das Paket einer letzten Überprüfung unterzogen, um zu überprüfen, ob es sicher versiegelt und ordnungsgemäß mit der Bestimmungsadresse, den Nachverfolgungsinformationen,und alle einschlägigen ZollanmeldungenDas Paket wird dann unserem zuverlässigen Lieferpartner anvertraut, der einen beschleunigten Service anbietet, um sicherzustellen, dass Ihr Niederspannungs-MOSFET-Produkt zeitnah und in pristinem Zustand ankommt.