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Schlüsselwörter [ base station low voltage mosfet ] Spiel 41 produits.
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Kleine RSP Niederspannungs-MOSFET-Mehrszene N-Kanal Niedrigschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
SGT Stabil Low Gate Threshold Spannung Mosfet für Gleichstrom-Gleichstromwandler
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Motorfahrer Niedrigspannung Mosfet, Multiscene Niedrig Vgs N Kanal Mosfet
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
SGT Industrielle Niederspannungsleistung Mosfet, Stabiler Mosfet Niedrigspannung Torschwelle
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |