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Schlüsselwörter [ base station low voltage mosfet ] Spiel 40 produits.
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
MOSFET mit hoher Effizienz für Konverter
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
MOSFET mit hoher EAS-Kapazität für drahtlose Ladung
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
Multipurpose Niederspannungs-MOSFET hohe Effizienz für Motorfahrer
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Multiscene Niederspannungs-MOSFET-P-Kanal für die Energiespeicherung
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |