Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation

Place of Origin Guangdong, CN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Packaging Details Dustproof, waterproof, and anti-static tubular packaging, placed inside a cardboard box in cartons
Delivery Time 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Payment Terms 100% T/T in Advance(EXW)
Supply Ability 5KK/month

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Produktdetails
Efficiency High Efficiency And Reliable Trench process Application Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification.
Trench process Advantages Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. resistance Low Rds(ON)
Structure process Trench/SGT EAS capability High EAS Capability
SGT process Application Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. SGT process Advantages Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application.
Hervorheben

Hocheffizienter Motorfahrer

,

Niederspannungs-MOSFET-Motorantrieb

,

Motorfahrer der 5G-Basisstation

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Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Das Niederspannungs-MOSFET ist ein hochmodernes Halbleitergerät, das auf die anspruchsvollen Anforderungen moderner elektronischer Systeme zugeschnitten ist.Nutzung fortschrittlicher Trench- und SGT-Prozesse (Shielded Gate Transistor), bietet dieses Niederspannungs-FET eine Kombination aus Leistung und Effizienz, die schwer zu vergleichen ist.Seine außergewöhnlichen Eigenschaften machen ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich der Fahrer., 5G-Basisstationen, Energiespeicherlösungen, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung, drahtloses und schnelles Laden sowie Gleichspannungs-/Gleichspannungsumwandler.

Im Mittelpunkt des Niederspannungs-MOSFETs steht die Trench-Prozesstechnologie, die mehrere wesentliche Vorteile bietet.oder Entwässerungsquelle auf WiderstandDies ist besonders wichtig in Anwendungen, in denen Energieeffizienz von größter Bedeutung ist.Der mit dem Trench-Verfahren entwickelte Niederspannungstransistor ermöglicht sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen, die die Flexibilität bietet, frei kombiniert und entsprechend den spezifischen Anforderungen der Anwendung genutzt zu werden.

Das SGT Low Voltage MOSFET verbessert die Fähigkeiten des Geräts weiter und eignet sich besonders für Anwendungen wie Motorfahrer und 5G-Basisstationen.Der SGT-Prozess ist darauf zugeschnitten, die Fähigkeit des Niederspannungs-MOSFET zu verbessern, mit Leichtigkeit mit Hochfrequenzschaltungen umzugehen, so dass es eine ausgezeichnete Wahl für Energiespeichersysteme und synchrone Berichtigung in Stromversorgungen ist.Diese Technologie bietet eine robuste Leistung auch unter den strengen Anforderungen des Hochgeschwindigkeitsbetriebs und der Schaltung, die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit im Feld gewährleistet.

Widerstand ist ein kritischer Parameter bei der Leistung von MOSFETs, und das Niederspannungs-MOSFET zeichnet sich durch seine niedrigen Rds ((ON) aus.Dieser geringe Widerstand sorgt für einen minimalen Spannungsabfall über das MOSFET, wenn es eingeschaltet istDiese Funktion ist für Anwendungen wie drahtloses Laden und Schnellladesysteme unglaublich nützlich.bei denen die Aufrechterhaltung der Effizienz und der thermischen Bewirtschaftung unerlässlich ist.

Darüber hinaus beschränkt sich die Anwendung des Trench-Prozesses des Niederspannungs-MOSFETs nicht nur auf Ladelösungen.wenn eine präzise Kontrolle und Effizienz erforderlich sindGleichspannungs­/Gleichspannungsumrichter profitieren von der Fähigkeit des Niederspannungstransistors, bei hohen Frequenzen mit geringeren Verlusten zu schalten, wodurch das gesamte System effizienter und reaktionsschneller wird.Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigungsschaltungen, die in Strommanagement- und Umwandlungssystemen von entscheidender Bedeutung sind, nutzen auch die niedrigen Rds ((ON) des Niederspannungs-MOSFETs für eine verbesserte Leistung.

Zusammenfassend ist das Niederspannungs-MOSFET ein innovatives und vielseitiges Bauteil, das die Vorteile von Trench- und SGT-Prozesstechnologien vereint.mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W, macht es zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Designer und Ingenieure, ob es nun die 5G-Infrastruktur der nächsten Generation antreibt, Motoren in industriellen Umgebungen antreibt,oder Sicherstellung der Effizienz von Energiespeichern, ist das Niederspannungs-MOSFET die endgültige Wahl für diejenigen, die keine Kompromisse bei Leistung und Effizienz eingehen wollen.

Mit seinem breiten Anwendungsbereich und der Fähigkeit, die hohen Anforderungen verschiedener Hochleistungsumgebungen zu erfüllen, ist das Niederspannungs-MOSFET nicht nur ein Bauteil;Es ist ein Eckpfeiler der Innovation in der Niederspannungs-FET-KategorieEs ist nicht nur darauf ausgelegt, den aktuellen Bedürfnissen der Technologie gerecht zu werden, sondern auch, die Erwartungen an zukünftige Fortschritte zu antizipieren und zu übertreffen.Das Niederspannungs-MOSFET ist in der Tat ein Beweis für modernste Technik, die einen Wettbewerbsvorteil in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen bieten.


Eigenschaften:

  • Produktbezeichnung: Niederspannungs-MOSFET
  • Vorteile des Grabenprozesses:
    • Kleines RSP (Widerstandsbereichsprodukt)
    • Sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
  • SGT-Prozess Vorteile:
    • Durchbruch bei der Optimierung von FOM (Figur of Merit)
    • Weitere Anwendungen
  • Strukturprozess: Gräben/SGT
  • SGT Niederspannungs-MOSFET Anwendung:
    • Fahrer
    • 5G-Basisstation
    • Energiespeicherung
    • Hochfrequenzschalter
    • Synchrone Berichtigung
  • Schlüsselwörter:
    • SGT Niederspannungs-MOSFET
    • Niedrigspannung
    • Niederspannungsfeldwirkungstransistor

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch in der FOM-Optimierung, um mehr Anwendungen abzudecken
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust

Anwendungen:

Die Marke REASUNOS ist für die Herstellung hochwertiger Niederspannungs-MOSFETs bekannt und ihre Produkte werden in verschiedenen Anwendungen und Szenarien weit verbreitet.Diese MOSFETs sind wesentliche Komponenten der modernen Elektronik.Sie sind für Niederspannungsbetriebe konzipiert und eignen sich für Systeme, die ein effizientes Strommanagement und eine schnelle Schaltung erfordern.Der Preis dieser leistungsstarken Komponenten ist auf Anfrage erhältlich., um sicherzustellen, dass die Kunden die Kosten auf der Grundlage ihrer spezifischen Produktanforderungen bestätigen können.

Die REASUNOS MOSFETs werden sorgfältig mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in Kartons gelegt, um ihre Unversehrtheit bei Lieferung zu gewährleisten.Die Firma ist stolz auf ihre Lieferzeit.Die Zahlungsbedingungen sind kundenfreundlich, mit 100% T/T im Voraus (EXW), um den Transaktionsprozess zu vereinfachen.Mit einer robusten Lieferkapazität von 5KK pro Monat, kann REASUNOS sowohl für kleine als auch für große Betriebe geeignet sein.

Niedrigspannungs-Gate-MOSFETs von REASUNOS eignen sich besonders für Anwendungen wie Motor-Treiber, bei denen eine präzise Steuerung von größter Bedeutung ist.Diese Niederspannungs-MOSFETs sorgen für einen zuverlässigen Betrieb dank ihrer hohen Effizienz und zuverlässigen Leistung. Energiespeichersysteme profitieren von den Hochfrequenzschalterfunktionen, die einen schnellen Betrieb und geringere Energieverluste ermöglichen.Die synchrone Berichtigung in Stromversorgungseinheiten ist ein weiterer Bereich, in dem diese niedrigen VGS MOSFETs glänzen, die im Vergleich zu herkömmlichen Diodenrichtern eine höhere Effizienz bieten.

Die SGT-Prozessanwendung von REASUNOS MOSFETs erweitert ihre Eignung für Anwendungen, die eine robuste Leistungsanwendung erfordern, wie z. B. Motor-Treiber und Energiespeichersysteme.Wenn es um Anwendungen für Hochfrequenzschalter geht, treten die Trench-Prozessvorteile dieser MOSFETs ins Spiel, da sie kleinere RSPs aufweisen und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen für eine vielseitige Nutzung ermöglichen.Diese Niederspannungsfeldwirkungstransistoren halten ihre Zuverlässigkeit und Leistung unter stressigen Bedingungen.

Schließlich gewährleistet der Strukturprozess, bei dem sowohl die Trench- als auch die SGT-Methoden verwendet werden, dass REASUNOS MOSFETs die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit bieten, die moderne elektronische Anwendungen verlangen.Ob für UnterhaltungselektronikIn der Industrie, der Automation oder der Telekommunikationsinfrastruktur zeichnen sich die REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs durch ihre außergewöhnliche Leistungsfähigkeit und Anpassungsfähigkeit aus.


Unterstützung und Dienstleistungen:

Unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte sind so konzipiert, dass sie eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Anwendungen bieten.Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen anDiese Dienstleistungen umfassen detaillierte Produktdokumentation, Anwendungsnotizen und Designressourcen, um Ihnen bei der Integration unserer MOSFETs in Ihre Entwürfe zu helfen.

Technische Unterstützung ist für die Produktauswahl, Entwurfsprozesse, Simulationsmodelle und Thermomanagement-Erwägungen verfügbar.Wir bieten eine Vielzahl von Tools an, um die Leistung des Geräts unter verschiedenen Bedingungen vorherzusagen und Ihr Design zu optimierenUnser engagiertes Support-Team kennt sich mit den neuesten Technologien aus und ist bereit, Lösungen für Ihre spezifischen Bedürfnisse zu bieten.

Im Falle von Problemen oder Fragen unterstützen wir Sie bei der Fehlerbehebung, um Probleme effizient zu diagnostizieren und zu lösen.Unser Ziel ist es, eine minimale Ausfallzeit für Ihren Betrieb zu gewährleisten und Ihnen zu helfen, mit unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten die bestmögliche Leistung zu erzielen.

Darüber hinaus bemühen wir uns kontinuierlich, unsere Produkte und Dienstleistungen zu verbessern. Wir freuen uns über Feedback und Anfragen bezüglich der Funktionalität und Anwendung unserer Niederspannungs-MOSFETs.Unser Engagement für Qualität und Kundenzufriedenheit steht an erster Stelle., und wir sind hier, um Sie bei jedem Schritt vom Design bis zur Einführung zu unterstützen.


Verpackung und Versand:

Das Niederspannungs-MOSFET-Produkt ist sorgfältig in eine antistatische Verpackung verpackt, um den Schutz vor statischer Entladung zu gewährleisten.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

Bei Massenbestellungen werden mehrere Einheiten in einer größeren, robusten Kartonbox mit ausreichender Polsterung aufgestellt, um Schäden durch Stoß und Vibrationen zu vermeiden.Die Außenverpackung ist klar mit den erforderlichen Handhabungsanweisungen und der Empfindlichkeit des Inhalts versehen, um eine sichere Handhabung während des gesamten Versandvorgangs zu gewährleisten..

Die Produkte werden mit einer Nachverfolgungsnummer über einen zuverlässigen Kurierdienst versandt, um den Kunden die Möglichkeit zu geben, den Fortschritt ihres Pakets auf der Lieferadresse zu überwachen.Geschätzte Lieferzeiten werden zum Zeitpunkt der Versendung angegeben, und Kunden werden ermutigt, ihre Bestellung bei der Ankunft zu überprüfen, um sicherzustellen, dass sie während des Versands nicht gefährdet wurde.