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Schlüsselwörter [ base station low voltage mosfet ] Spiel 40 produits.
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
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EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
60V 150V Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhafte Multifunktion
Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
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Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Industrielle langlebige Niedrigspannungs-VGS-Mosfet, kleine RSP-Niedrigspannungs-Schalttransistoren
SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
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Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Praktische Low Power Mosfet Transistoren 20V 60V für drahtlose Ladevorrichtung
Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
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SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
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Power consumption: | Low Power Loss |
Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
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Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Dauerhafte Schütze Niederspannung Leistung MOSFET, SGT Ultra Niederspannung Schwellen MOSFET
SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
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Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Schnelle Aufladung Niedrige Leistung Fet Stabile multifunktionale niedrige Schwelle
Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
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Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
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resistance: | Low Rds(ON) |
SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Hohe EAS-Kapazität Niedrige Rds ((ON) Trench-Prozess MOSFET Synchrone Berichtigung
Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
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Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |