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MOSFET de baixa tensão industrial multifuncional para estação base 5G
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Motorista Baixa Portão Voltagem Mosfet, Multiscene Baixo Vgs N Canal Mosfet
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
|---|---|
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
MOSFET de baixa tensão de canal P Durável para carregamento sem fio
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
|---|---|
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
Carregamento rápido Baixa potência Feto estável Multifuntcional Baixo limiar
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
|---|---|
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
Armazenamento de energia MOSFET de baixa tensão Prático N Canal Alta Capacidade EAS
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
|---|---|
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
FET de baixa tensão multifuncional, Mosfet de baixo consumo durável N Channel
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
|---|---|
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
MOSFET de baixa tensão multifunção de alta eficiência para conversor
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
Transistores Mosfet de baixa potência práticos 20V 60V para carregamento sem fio
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
|---|---|
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
MOSFET P de baixa tensão para armazenamento de energia
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
|---|---|
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
SGT Potência industrial de baixa tensão Mosfet, Mosfet estável Tensão de limiar de porta baixa
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
|---|---|
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |