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Chargement rapide Faible puissance Fet Stable Multifonctionnel Bas seuil

  • Fast Charging Low Power Fet Stable Multifunctional Low Threshold
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Nom du produit MOSFET basse tension
Capacité EAS Capacité EAS élevée Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Processus de structuration Tranchée/SGT
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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Chargement rapide à faible puissance

,

Faible puissance et stable

,

Mosfet à seuil bas multifonctionnel
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Faible perte de puissance SGT MOSFET basse tension

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor largement utilisé dans les applications de contrôle de puissance.les configurations en série et en parallèle peuvent être combinées et utilisées librementIl est principalement utilisé dans le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence et la rectification synchrone.Les MOSFET basse tension sont connus pour leur faible perte de puissance et leur efficacité élevéeEn outre, l'optimisation FOM révolutionnaire du processus SGT couvre plus d'applications.qui est aussi un avantage de ces appareils.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Le processus de la tranchée Procédure SGT
Processus de la structure Une tranchée GTS
Capacité du SEA Capacité EAS élevée Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés. Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Nom du produit MOSFET à basse tension MOSFET à basse tension
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone. Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Résistance Rds bas ((ON) Rds bas ((ON)
Efficacité Très efficace et fiable Très efficace et fiable
Consommation d'électricité Faible perte de puissance Faible perte de puissance
 

Applications:

MOSFET basse tension: haut rendement et faible perte de puissance

Le MOSFET basse tension REASUNOS offre une efficacité élevée et une faible perte de puissance. Il est produit à Guangdong, en Chine, et le prix est confirmé en fonction du produit.et emballage tubulaire antistatiqueLe délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale. Le délai de paiement est de 100% T/T à l'avance (EXW). La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois.Le MOSFET basse tension a une optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications, permettant son utilisation pour la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote de moteur, le convertisseur CC/DC, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.Il possède également une grande capacité EAS..

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

À, nous fournissons un soutien technique et des services pour nos produits MOSFET basse tension.

Appui technique

Notre équipe de support technique est disponible pour vous aider avec des questions ou des problèmes concernant nos produits MOSFET basse tension.Vous pouvez nous contacter par téléphone., par e-mail ou sur notre site Web pour obtenir une assistance technique.

Maintenance et réparation

Si vous avez besoin de réparations ou de service pour vos produits MOSFET basse tension, nos techniciens sont disponibles pour vous aider.Vous pouvez nous contacter pour discuter de la meilleure option pour vos besoins..

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension

Pour l'expédition des MOSFET basse tension, les produits doivent être dans un sac antistatique avec une quantité suffisante de matériau d'amortissement pour les protéger des chocs.Les produits doivent également être emballés dans une boîte qui les protège de l'humidité et de tout autre danger pour l'environnement.La boîte doit être clairement étiquetée avec le nom du produit et l'adresse du destinataire.

Les MOSFET basse tension doivent être emballés conformément aux règlements et aux directives du transporteur et doivent être expédiés par un moyen de transport fiable et sécurisé.Tous les documents d'expédition doivent être remplis avec précision et intégralité.

 

FAQ:

Questions et réponses
Q1:Quel est le nom de marque de ce MOSFET basse tension?

R1:Le nom de marque de ce MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2:D'où provient ce produit MOSFET basse tension?

R2: Ce produit MOSFET basse tension est originaire du Guangdong, en Chine.

Q3:Combien coûte ce produit MOSFET basse tension?

R3:Le coût de ce produit MOSFET basse tension doit être confirmé en fonction du produit.

Q4: Dans quel emballage se trouve ce produit MOSFET basse tension?

A4:Ce produit MOSFET basse tension est livré dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5:Combien de temps faut-il pour livrer ce produit MOSFET basse tension?

R5:Le délai de livraison de ce produit MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base