Transistor de puissance à ultra haute tension 500V pour l'industrie
Lieu d'origine | Guangdong, NC |
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Nom de marque | REASUNOS |
Prix | Confirm price based on product |
Détails d'emballage | Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte |
Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |

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xApplication de transistor MOSFET de HT | Conducteur de LED, adaptateurs, alimentation d'énergie de changement industrielle, inverseurs etc. | Estimation de tension | Tension à haute tension/ultra-haute |
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Nom du produit | Transistor MOSFET à haute tension | Technologie | Transistor MOSFET |
Application du transistor MOSFET Ultra-HT | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie | Fuite | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
dissipation thermique | Grande dissipation thermique | Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. |
Mettre en évidence | Transistor de puissance haute tension à plusieurs scènes,Transistors de haute tension 500V,Transistors industriels à ultra-haute tension |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
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1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
MOSFET à ultra-haute tension avec une faible résistance à l'action Nouvelle technologie de dopage variable latérale
Description du produit:
Le MOSFET à haute tension est un nouveau type de transistor MOSFET de puissance à haute tension et ultra-haute tension basé sur la dernière technologie de dopage variable latérale.qui peut atteindre moins de 1μACe MOSFET à haute tension offre de nombreux avantages tels qu'un rendement élevé, une vitesse de commutation élevée et une faible résistance.Il est largement utilisé dans les compteurs intelligents, l'alimentation électrique des cabinets, l'alimentation électrique des commutateurs industriels et le système électrique, etc.
La technologie de dopage variable latérale unique assure que l'oxyde de porte du MOSFET Ultra-HV peut résister à une tension élevée et à une température élevée.La structure MOS de puissance spéciale fournit des performances de haute tension et ultra-haute tensionLe MOSFET à haute tension a un faible débit de fuite et d'excellentes caractéristiques à haute température, ce qui en fait un choix parfait pour les applications à haute température.
Le MOSFET haute tension est une solution idéale pour les applications nécessitant des performances de haute tension et ultra-haute tension.Il convient également aux applications nécessitant un faible débit de fuite et d'excellentes caractéristiques à haute températureAvec ses performances supérieures, le MOSFET haute tension est votre meilleur choix pour les applications électriques.
Paramètres techniques:
Technologie | MOSFET |
---|---|
Application du produit HV Mosfet | Conducteur LED, adaptateurs, alimentation par commutation industrielle, onduleurs, etc. |
Rating de la tension | Voltage élevé/ultra-haute |
Résistance | Faible résistance à l'alimentation |
Les avantages | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température. |
Application FRD HV MOSFET intégrée | Série de moteurs, onduleur, demi-pontes/circuits de pont complet, etc. |
Application du MOSFET à ultrasons | Les appareils électroménagers doivent être équipés d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, etc. |
Faillite | Une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA |
Le type | N |
Dissipation de la chaleur | Une grande dissipation de chaleur |
Applications:
Les MOSFET à haute tension Reasunos, hv mosfet et ultra-hv MOSFET sont le choix idéal pour les applications de série de moteurs, d'onduleur, de circuit à demi-pont/plein pont et plus encore.Avec sa faible résistance et sa nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température, ce produit est un excellent choix.
Ce produit est fabriqué à Guangdong, en Chine et est disponible à un prix compétitif, en fonction de la quantité de commande.et emballage tubulaire antistatiqueLe délai de livraison est généralement compris entre 2 et 30 jours, en fonction de la quantité totale et le paiement est exigé à l'avance via 100% T/T (EXW).La capacité d'approvisionnement de Reasunos est de 5KK/mois.
Assistance et services:
Assistance technique et services en matière de MOSFET haute tension
Nous fournissons un support technique et des services fiables pour les clients de MOSFET haute tension.Notre équipe de soutien technique est composée d'ingénieurs et de techniciens hautement qualifiés et compétents qui ont une vaste expérience dans le MOSFET haute tension.
Nous offrons un soutien technique complet et des services pour nos produits MOSFET haute tension.et aider les clients à optimiser la conception de leurs systèmesNous offrons également une formation sur place et un soutien technique aux clients qui ont besoin d'assistance pour leurs produits MOSFET haute tension.
Notre support technique et nos services sont disponibles 24 heures sur 24, 7 jours sur 7. Nous fournissons des réponses rapides et fiables aux demandes des clients,et notre équipe est toujours disponible pour répondre à toutes les questions ou préoccupations des clients peuvent avoir.
Nous proposons également des mises à jour régulières des logiciels et du micrologiciel pour nous assurer que nos produits MOSFET haute tension sont à jour et restent fiables.Nous fournissons également un soutien technique et des services pour nos clients ̇ les produits MOSFET à haute tension.
Nous nous efforçons de fournir à nos clients le meilleur support technique et les meilleurs services possibles pour leurs produits MOSFET haute tension.Notre équipe s'engage à fournir un excellent service à la clientèle et à assurer que nos clients aient une expérience positive avec nos produits..
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET haute tension
Les MOSFET à haute tension sont emballés et expédiés dans des matériaux statiques, protégés des chocs, des vibrations et des changements de température.Il est emballé dans un conteneur sécurisé ESD et expédié dans un conteneur sécuriséUne boîte rembourrée.
La boîte est étiquetée avec le nom du produit, le numéro de modèle et d'autres détails pertinents. Elle comprend également une liste d'emballage pour s'assurer que le client reçoit tous les articles commandés.La boîte est ensuite fermée et scellée avec du ruban adhésif pour que le produit arrive en toute sécurité..
FAQ:
Q1: Qu'est-ce que le MOSFET haute tension?
A1: Le MOSFET haute tension est un type de MOSFET (transistor à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique) qui peut gérer une haute tension, produit par Reasunos.
Q2: Où produit Reasunos le MOSFET haute tension?
R2: Reasunos produit du MOSFET haute tension dans le Guangdong, en Chine.
Q3: Combien cela coûte-t-il?
R3: Le prix du MOSFET haute tension dépend du produit; veuillez contacter Reasunos pour un prix de confirmation.
Q4: Comment est-il emballé?
A4: Le MOSFET haute tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quel est le délai de livraison?
R5: Le délai de livraison du MOSFET haute tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.