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MOSFET de canal P de baixa potência de 20 V estável, Transistor prático de baixa tensão de alta corrente

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
eficiência Alta eficiência e confiável Consumo de energia Perda de baixa potência
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre processo de estrutura Trincheira/SGT
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Destacar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

,

20V de baixa potência P canal Mosfet

,

Transistores práticos de baixa tensão e alta corrente
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Descrição do produto:

Introdução do MOSFET de baixa tensão da SGT, uma otimização FOM inovadora que abrange mais aplicações.Este mosfet de baixa tensão de porta oferece baixa perda de energia e baixa tensão de limiar que permite que ele seja usado em vários motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona, carregamento sem fio, carregamento rápido, aplicações de conversão DC/DC.Este MOSFET de Baixa Tensão SGT garante que o consumo de energia permaneça baixoEste produto é a escolha perfeita para um desempenho óptimo nestas aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Atributo Descrição
Processo de estrutura Tranche/SGT
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Consumo de energia Baixa perda de potência
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Resistência Baixa Rds ((ON)
MOSFET de baixa tensão de limiar MOSFET de baixa tensão de limiar
Transistores de baixa tensão Transistores de baixa tensão
MOSFET de baixa tensão MOSFET de baixa tensão
 

Aplicações:

O Transistor de Efeito de Campo de Baixa Tensão da REASUNOS (MOSFET de Baixa Tensão) é a solução perfeita para uma ampla gama de aplicações, desde motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência,rectificação síncrona e mais. Originário de Guangdong, China, o MOSFET de Baixa Tensão é oferecido a um preço que pode ser confirmado com base no produto.e embalagens tubulares antiestáticasO prazo de entrega é geralmente de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total. Os termos de pagamento são 100% T / T adiantado (EXW), e uma capacidade de fornecimento de 5KK / mês.O MOSFET de baixa tensão apresenta um processo Trench/SGT que oferece uma otimização FOM inovadoraO sistema tem também uma elevada capacidade EAS e uma elevada eficiência e fiabilidade.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviços de MOSFET de baixa tensão

Estamos dedicados a fornecer o mais alto suporte técnico e serviços de qualidade para nossos produtos MOSFET de baixa tensão.A nossa equipa de engenheiros e técnicos experientes está disponível para responder às suas perguntas e ajudar a encontrar as melhores soluções para as suas aplicações.

Oferecemos uma vasta gama de serviços, incluindo:

  • Documentação completa do produto
  • Apoio técnico em linha
  • Formação técnica no local
  • Projeto e desenvolvimento de aplicações de produtos
  • Serviços de reparação e solução de problemas

Nosso objetivo é fornecer-lhe o melhor suporte possível para os seus produtos MOSFET de baixa tensão.

 

Embalagem e transporte:

Os MOSFETs de baixa tensão são enviados em embalagens livres de estática para garantir sua qualidade e desempenho.A embalagem deve incluir sacos antiestáticos ou outros materiais antiestáticos para evitar que qualquer eletricidade estática danifique os MOSFETsAlém disso, a embalagem deve ser concebida de modo a proteger as peças da umidade e de qualquer outro dano ambiental.Todas as embalagens devem ser claramente rotuladas e incluir instruções detalhadas sobre como armazenar e manipular adequadamente os MOSFETs.

 

Perguntas frequentes:

  • P:Qual é a marca do MOSFET de Baixa Tensão?
    A:A marca do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.
  • P:Qual é o local de origem do MOSFET de baixa tensão?
    A:O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, CN.
  • P:Quanto custa o MOSFET de baixa tensão?
    A:O preço do MOSFET de baixa tensão é confirmado com base no produto.
  • P:Que tipo de embalagem é utilizada para o MOSFET de baixa tensão?
    A:O MOSFET de baixa tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
  • P:Quanto tempo demora a entrega do MOSFET de Baixa Tensão?
    A:O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
  • P:Quais são os termos de pagamento disponíveis para o MOSFET de baixa tensão?
    A:Os termos de pagamento para o MOSFET de baixa tensão são 100% T/T antecipadamente (EXW).
  • P:Quantos MOSFET de baixa tensão podem ser fornecidos mensalmente?
    A:A capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão é de 5KK/mês.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base