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安定した超低電圧 MOSFET マルチスクリーン 急速充電

  • Stable Ultra Low Voltage MOSFET Multiscene For Fast Charging
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
電力消費量 低い電力の損失 SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。
効率性 高効率と信頼性 トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
抵抗 低いRDS （） 製品名 低電圧MOSFET
ハイライト

安定した低電圧MOSFET

,

低電圧MOSFET 多視

,

急速充電 超低電圧 モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低Rds ((ON) トレンチプロセストランジスタ

製品説明:

低電圧MOSFETは低電圧フィールド効果トランジスタです. それはモータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,シンクロン直線SGTプロセスは小さなRSPを提供し,シリーズと並列の構成の両方が自由に組み合わせられ,利用され,低電力損失があります.トレンチプロセスは高効率で信頼性の高い性能を持っていますこれは,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期直線で広く使用されています.

 

技術パラメータ:

製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
EAS 能力 高いEAS能力
電力消費量 低電力損失
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
抵抗力 低Rds ((ON)
SGTプロセスの適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
効率性 高効率 で 信頼 できる
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは,高度なSGTプロセスと溝プロセスで設計されており,高効率と信頼性,低電力損失を保証しています.5Gベースステーションこの製品は,広東で製造されています. この製品は,広東で製造されています.優れた品質と競争力のある価格防塵,防水,反静的管状の包装付きで, 紙箱に詰め込まれています.配達時間は2~30日 (総量によって異なります). 支払条件は100%T/T先行でEXWです.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧MOSFET製品に 最高品質のサービスとサポートを提供することに専念しています製品から最大限に活用するために必要な支援をします.

私たちは様々な技術サポートサービスを提供します.

  • 製品設置・セットアップ支援
  • オンライン製品ドキュメントとFAQ
  • 製品のトラブルシューティングと修理
  • メール,電話,オンライン チャット で 技術 的 な サポート

24時間間の緊急対応も可能です.問題解決の助けが必要か,インストールに関する質問があるか,経験豊富な技術者が助けてくれる.

私たちの低電圧 MOSFET 技術サポートとサービスについての詳細については,今日私達に連絡してください.

 

梱包と輸送:

梱包 と 輸送

低電圧 MOSFET は,ESD 安全な容器に包装され,慎重に輸送されるべきです.輸送中に製品が損傷しないようにすることが重要です.低電圧MOSFETは,返品の場合,簡単に識別するために適切にラベルを付けなければならない包装には,製品仕様や設置説明書などの必要な文書も含まれなければならない.

 

FAQ:

Q1:低電圧MOSFET製品のブランド名は何ですか?A1:低電圧MOSFET製品のブランド名は REASUNOSです.
Q2:低電圧MOSFET製品の原産地は?A2:低電圧MOSFET製品の原産地は CNの広東です.
Q3:低電圧MOSFETのコストは?A3:低電圧MOSFETの価格は,特定の製品に基づいて確認されます.
Q4:低電圧MOSFETはどのようなパッケージを使用していますか?A4:Low Voltage MOSFETは,防塵,防水,反静的管状の包装を使用し,紙箱に詰め込まれています.
Q5:低電圧MOSFETの配達時間は?A5:低電圧MOSFETの配達時間は,総量に応じて2~30日です.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET