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LEDドライバ スーパージャンクション MOSFET 抗急上昇 抗EMI 内部抵抗
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
|---|---|
| キャパシタンス: | 超低い接続点キャパシタンス |
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
耐久性産業用スーパージャンクション モス,多機能モスフェット ディスクレート
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
PFC回路スーパー・ジャンクション MOSFET 実用Multiscene N型
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| 装置タイプ: | 力の分離した装置 |
アンチ・サーージ・MOSFET スーパー・ジャンクション Nチャネル 耐久性多用途
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
|---|---|
| EMIの差益: | 大きいEMIの差益 |
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
産業用安定型超接続トランジスタ 熱分散型モスフェット
| EMIの差益: | 大きいEMIの差益 |
|---|---|
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
| タイプ: | N |
電源 スーパージャンクション MOSFET 表面マウント 多機能
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| 製品名: | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
安定したスーパー・ジャンクション・フェット・マルチ・レイヤ 新エネルギー発電設備
| タイプ: | N |
|---|---|
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
| 内部抵抗: | 超小さい内部抵抗 |
多目的スーパージャンクション MOSFET N型 600V LEDドライバー用
| 利点: | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
|---|---|
| パッケージ: | 超小型パッケージ |
| 適用する: | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |