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産業用耐久性低VGSモスフェット 小型RSP低電圧スイッチトランジスタ

  • Industrial Durable Low Vgs Mosfet , Small RSP Low Voltage Switching Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
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供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 電力消費量 低い電力の損失
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 構造プロセス トレンチ/SGT
SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 抵抗 低いRDS （）
効率性 高効率と信頼性 トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
ハイライト

工業用低VGSモスフェット

,

耐久性低いVGSモスフェット

,

小型RSP低電圧スイッチングトランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低電源損失 トレンチプロセスのMOSFET 高EAS能力と小RSP

製品説明:

低電圧MOSFETは,様々な用途で効率と信頼性を向上させるように設計されています.トレンチ低電圧MOSFETは低電圧のフィールド効果トランジスタ (FET) で,低しきい電圧と高効率低消費電力を備えており,ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバ,DC/DCコンバーター,高周波スイッチこの低電圧MOSFETは,モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチに適しています.,この低電圧MOSFETは,様々な用途で効率の向上,信頼性の高いパフォーマンス,低電力損失を提供します.

 

技術パラメータ:

資産 記述
製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
低値電圧 MOSFET
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化,より多くのアプリケーションをカバーする
EAS能力 高いEAS能力
SGTプロセスの適用 モータードライバ,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
効率性 高効率 で 信頼 できる
低電圧電源MOSFET 低電力損失
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期矯正
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSP,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせられ,利用できます
低電圧MOSFETドライバー 低Rds ((ON)
 

応用:

REASUNOS 低電圧MOSFET

REASUNOS低電圧MOSFETは,中国の広東で,低電圧と低電力損失を特徴とする高性能製品です.低Rds ((ON) 抵抗によって特徴付けられ,幅広いアプリケーションに理想的です5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線などREASUNOS低電圧MOSFETは,自由に組み合わせて利用できる連続および並列構成の両方を提供しています.

REASUNOS低電圧MOSFETは,自動車,航空宇宙,工業,消費者電子機器を含む様々な産業に理想的な選択です.価格も競争力があり 製品要件に基づいて 議論することができます製品は,防塵,防水,抗静的管状の包装で梱包され,その後,紙箱に詰め込まれます.供給能力は5KK/月で,配達時間は2-30日間で,総量によって異なります支払条件は100%T/T (EXW) による.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

私たちは低電圧MOSFET製品に 技術的なサポートとサービスを提供しています低電圧MOSFET製品の技術と操作に精通している経験豊富な専門家で構成されています.

低電圧MOSFET製品から最大限に活用するために,幅広いサービスを提供しています. 私たちのサービスにはトラブルシューティング,インストール,保守,製品に関するトレーニング低電圧MOSFET製品の性能を最適化するための技術的な助言と支援も提供しています.

私たちは,技術的サポートとサービスで最高の顧客体験を提供するために努力しています.私たちはすべての顧客の問い合わせに迅速かつ非常に正確に対応するために努力しています.顧客サービスチームは24時間24時間対応し,ご質問に答えます..

顧客に卓越した技術サポートとサービスを提供することに専念しています最新の製品アップデートとソフトウェアリリースを提供することにコミットしています低電圧 MOSFET 製品に対する最高の技術サポートとサービスであなたに引き続きサービスを提供することを楽しみにしています.

 

梱包と輸送:

低電圧 MOSFET の 梱包 と 輸送
  • 製品が安全に 防静電袋や防静電箱に詰められます
  • パッケージは,紙箱や紙箱に入れます.
  • パッケージは移動を防ぐために泡で固定されています.
  • 航空貨物や海運で輸送する.
 

FAQ:

Q:低電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A:低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q: 製品はどこで製造されていますか?
A: 低電圧MOSFETは中国の広東で製造されています
Q: 商品の価格は?
A: 商品の価格は製品自体に基づいています.詳細については,ご連絡ください.
Q: 商品のパッケージは?
A: この製品は,防塵,防水,防静的管状の包装で,紙箱に詰め込まれています.
Q: 配達時間はどのくらいですか?
A: 配達時間は2~30日です. 総量によって異なります.
Q: どんな支払い条件を 受け入れますか?
A:私たちは100%T/Tを事前 (EXW) に受け入れる.
Q: 供給能力は?
A: 私たちは月5KKを供給することができます.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET