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モータードライバー 低電圧FET 安定 高周波スイッチ

  • Motor Driver Low Voltage Fet Stable For High Frequency Switch
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
効率性 高効率と信頼性 EAS機能 高い EAS 機能
抵抗 低いRDS （） トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
電力消費量 低い電力の損失 製品名 低電圧MOSFET
トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。
ハイライト

モータードライバー 低電圧FET

,

低電圧FET 安定

,

スイッチ 低電源FET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

高周波スイッチアプリケーションのための低Rds (ON) MOSFET

製品説明:

低電圧MOSFETは 革命的な製品で ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ優れた低ゲート電圧と低Rds ((ON) を有し,低電力損失と高いEAS能力を可能にします.また,突破的なFOM最適化を採用し,トレンチプロセスとSGTプロセスを使用してより多くのアプリケーションをカバー.

 

技術パラメータ:

製品名 パラメータ
低電圧MOSFET SGTプロセスの利点:突破的なFOM最適化,より多くのアプリケーションをカバーする.
低電圧MOSFET 効率: 高 効率 で 信頼 できる
低電圧MOSFET トレンチプロセスの適用:無線充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期矯正
低電圧MOSFET トレンチプロセスの利点: RSP が小さく,連続と並列の両方の構成が自由に組み合わせられ,利用できます.
低電圧MOSFET 抵抗: Rds (オン) 低
低電圧MOSFET 構造処理: トレンチ/SGT
低電圧MOSFET EAS能力:高いEAS能力
低電圧MOSFET 電力消費: 低電力損失
低電圧MOSFET SGT プロセスの適用:モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期修正
 

応用:

REASUNOS 低電圧MOSFET

REASUNOS低電圧MOSFETは,中国の広東州産のユニークで強力な装置です.低ゲート電圧,低電力損失,高いEAS能力により,さまざまな用途に適しています.また,Trench/SGT構造プロセスがあります.ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期矯正に適しています.商品の価格は,製品に基づいて決定されます.. 防塵,防水,抗静的管状の包装で梱包され,紙箱に詰め込まれています. 配送時間は総量に応じて2-30日です.支払条件は100%T/T 提前供給能力は月5KKまで

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

私たちは低電圧MOSFET製品のための包括的な技術サポートとサービスを提供しています.経験豊富なエンジニアのチームは,すべての質問に答え,製品選択に援助を提供するために利用可能です設計とトラブルシューティング

技術支援

低電圧MOSFET製品に関する技術的な質問に答えることができます. 私たちは製品選択,設計アドバイス,申請支援障害解決サポート

製品選択支援

低電圧 MOSFET を 選択 する こと が でき ます.当社の エンジニア は 部品 の 選択,設計 考察,性能 要求 に つい て 指導 を 与え ます.

設計ガイドライン

設計 支援 を 提供 し て ご利用 者 に 最適 な 設計 を 作成 する こと が でき ます.当社の エンジニア は,回路 の 設計,部品 の 選択,レイアウト に 関する 助言 を 提供 でき ます.

トラブルシューティングサポート

低電圧 MOSFET に問題がある場合は,当社のエンジニアがトラブルシューティングサポートを提供できます.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

低電圧MOSFETは,静電放電による損傷を防ぐために,反静電袋に包装する必要があります.袋は,輸送中に衝撃や衝撃を防ぐために,保護パッシングを備えた頑丈な紙箱に配置する必要があります.箱には,製品名,受信者の住所,配送住所が明確に記載されている必要があります.

 

FAQ:

  • Q: REASUNOS低電圧モスフェットとは何か?
  • REASUNOS低電圧MOSFETは,低電圧で動作する金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) 部品です.
  • Q:REASUNOS低電圧MOSFETはどこで製造されていますか?
  • A:REASUNOS低電圧MOSFETは中国の広東で製造されています
  • Q:REASUNOS低電圧MOSFETの価格は?
  • A: REASUNOS 低電圧 MOSFET の価格は製品によって異なります.詳細についてはご連絡ください.
  • Q: REASUNOS低電圧MOSFETはどのようにパッケージ化されていますか?
  • A: REASUNOS 低電圧 MOSFET は 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 梱包され,紙箱の中に 詰め込まれています.
  • Q: REASUNOS低電圧MOSFETの配送時間はどのくらいですか?
  • A: REASUNOS低電圧MOSFETの配達期間は,総量に応じて 2~30 日です.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET