एलईडी ड्राइवर के लिए बहुउद्देश्यीय उच्च वोल्टेज MOSFET गर्मी विसर्जन

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET ताप लोपन महान ताप अपव्यय
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि
प्रतिरोध कम प्रतिरोध लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज
प्रमुखता देना

बहुउद्देश्यीय उच्च वोल्टेज मोस्फेट

,

उच्च वोल्टेज MOSFET गर्मी फैलाव

,

एलईडी ड्राइवर उच्च वोल्टेज Fet

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का परिचय एक एम्बेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी है जिसमें कम प्रतिरोध और उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज रेटिंग है। एमओएसएफईटी तकनीक के साथ डिजाइन किया गया है,यह अति उच्च वोल्टेज MOSFET उच्च वोल्टेज या अति उच्च वोल्टेज शक्ति की आवश्यकता है कि अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही हैइसका कम प्रतिरोध उच्च दक्षता और कम बिजली हानि प्रदान करता है। यह प्रकार एन एमओएसएफईटी किसी भी उच्च वोल्टेज या अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज अनुप्रयोग के लिए सही विकल्प है।उच्च वोल्टेज MOSFET किसी भी अनुप्रयोग के लिए एकदम सही विकल्प है कि अल्ट्रा-hv MOSFET शक्ति की आवश्यकता है.

 

तकनीकी मापदंडः

विशेषता विवरण
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
प्रकार एन
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
एचवी मोस्फेट आवेदन एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
 

अनुप्रयोग:

उच्च वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर

REASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प है। इसका रिसाव कम है और 1μA से कम तक पहुंच सकता है,और महान गर्मी अपव्यय इसके विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करता हैयह एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि पर लागू किया जा सकता है। इसका प्रकार एन है।

REASUNOS के उत्पाद की प्रतिस्पर्धी कीमत है, और धूलरोधी, जलरोधी, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ आता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन हैभुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी हैं। आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी उत्पादों के लिए व्यापक तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।हमारी ग्राहक सेवा टीम आपके प्रश्नों का उत्तर देने और सलाह और सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है.

हम कई प्रकार की सेवाएं प्रदान करते हैं, जिनमें निम्नलिखित शामिल हैंः

  • तकनीकी सलाह और समस्या निवारण
  • उत्पाद चयन और डिजाइन सहायता
  • दोषपूर्ण भागों की मरम्मत और प्रतिस्थापन
  • सॉफ्टवेयर और फर्मवेयर अद्यतन
  • प्रशिक्षण और शैक्षिक सामग्री

हम उत्कृष्ट ग्राहक सेवा प्रदान करने का प्रयास करते हैं और यह सुनिश्चित करते हैं कि हमारे ग्राहकों को हमारे उत्पादों के साथ सर्वोत्तम संभव अनुभव हो। यदि आपके कोई प्रश्न हैं या सहायता की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

 

पैकेजिंग और शिपिंग

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी सील इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सुरक्षित ट्यूबों में आपूर्ति की जाती है, जो सतह माउंट अनुप्रयोगों के लिए आदर्श हैं। ट्यूबों को नमी, धूल, आर्द्रता से उत्पाद की रक्षा के लिए डिज़ाइन किया गया है,ट्यूबों पर उत्पाद पहचान और प्रमाणन की जानकारी के साथ लेबल भी लगाया जा सकता है।

उत्पाद को परिवहन के दौरान किसी भी क्षति को रोकने के लिए कठोर पैकेजिंग में भेज दिया जाता है। पैकेज में एक नमी बाधा बैग भी शामिल है, जो उत्पाद को सूखा और नमी से मुक्त रखता है।सभी शिपिंग सामग्री यह सुनिश्चित करने के लिए डिज़ाइन की गई है कि उत्पाद को शुद्ध स्थिति में वितरित किया जाए.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

 

प्रश्न और उत्तर

प्रश्न 1: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
A1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2: उत्पाद कहाँ बनाया जाता है?
A2: हाई वोल्टेज MOSFET चीन के गुआंग्डोंग में बनाया जाता है।

Q3: उच्च वोल्टेज MOSFET की लागत कितनी है?
A3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर आधारित है। अधिक जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।

Q4: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए किस प्रकार की पैकेजिंग का उपयोग किया जाता है?
A4: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए नेतृत्व समय क्या है?
A5: हाई वोल्टेज MOSFET का लीड टाइम 2-30 दिन है (कुल मात्रा के आधार पर) ।

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