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MOSFET de baja tensión multifunción de alta eficiencia para el convertidor

  • Multi Function Low Voltage MOSFET High Efficiency For Converter
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Proceso de estructura Trinchera/SGT
eficiencia Alta eficiencia y confiable Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

MOSFET de baja tensión multifunción

,

MOSFET de baja tensión de alta eficiencia

,

Conversor de bajo Vth Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de bajo voltaje con optimización de FOM innovadora y ventajas de proceso SGT confiables

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de MOSFET de voltaje de umbral bajo que está diseñado con un VGS bajo y un voltaje de puerta bajo.que lo hacen adecuado tanto para la serie como para la configuración paralelaAdemás, tiene una baja pérdida de energía, alta eficiencia y un rendimiento confiable. Puede aplicarse ampliamente en carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC, interruptor de alta frecuencia,Rectificación síncrona y otros dispositivos electrónicos.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Tensión de umbral bajo MOSFET de voltaje de umbral bajo
Tensión de entrada baja MOSFET de baja tensión de puerta
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Consumo de energía Baja pérdida de potencia
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Proceso de zanja Ventajas Las RSP más pequeñas, tanto en serie como en configuración paralela, pueden combinarse y utilizarse libremente.
Proceso de zanja Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Proceso SGT Ventajas Optimización de FOM de avance, que cubre más aplicaciones.
Proceso SGT Aplicación Conducción del motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Alta capacidad de EAS
 

Aplicaciones:

REASUNOS, un proveedor líder de MOSFET de bajo voltaje de Guangdong, China, presenta su último MOSFET de bajo voltaje SGT y Transistor de bajo voltaje, con el fet de voltaje más bajo del mercado.Los clientes pueden confirmar el precio basado en el producto. El producto viene con embalaje tubular a prueba de polvo, impermeable y antistático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW), y la capacidad de suministro mensual es de 5KK. Tiene una baja resistencia Rds ((ON) y una optimización FOM innovadora, que cubre más aplicaciones, como controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía,interruptor de alta frecuenciaAdemás, el proceso de trinchera ofrece un RSP más pequeño y las configuraciones en serie y paralelas se pueden combinar y utilizar libremente para la carga inalámbrica.carga rápida, conductor del motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.

 

Apoyo y servicios:

Ofrecemos soporte técnico y servicios para productos MOSFET de bajo voltaje. Nuestro equipo de ingenieros y técnicos calificados brinda una gama de servicios, que incluyen:

  • Diseño y creación de prototipos
  • Pruebas y solución de problemas
  • Ensamblaje e integración
  • Servicios de mantenimiento y reparación

También proporcionamos una amplia gama de recursos y herramientas para ayudarle a aprovechar al máximo nuestros productos MOSFET de bajo voltaje, incluyendo:

  • Especificaciones detalladas del producto
  • Guías y tutoriales técnicos
  • Actualizaciones de firmware y software
  • Preguntas frecuentes y consejos para solucionar problemas

Para obtener más información sobre nuestro soporte técnico y servicios de MOSFET de baja tensión, por favor,Póngase en contacto.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

Los MOSFET de bajo voltaje deben empaquetarse en una bolsa antistatica.Deben colocarse en una caja de cartón con un material amortiguador, como una envoltura de burbujas llenas de aire, para garantizar que los productos no se dañen durante el transporte.El envase debe estar sellado con cinta adhesiva y etiquetado con el nombre y dirección del producto.

Los MOSFET de bajo voltaje deben enviarse con un portador de buena reputación y rastrearse.La empresa naviera debe ser notificada del valor de los productos que se envían y debe contratarse un seguro adecuado para el valor total del envío..

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre de marca de este MOSFET de Bajo Voltado?
R1: La marca de este MOSFET de Bajo Voltado es REASUNOS.
P2: ¿De dónde viene este MOSFET de bajo voltaje?
R2: Este MOSFET de Bajo Voltado proviene de Guangdong, China.
P3: ¿Cuál es el precio de este MOSFET de bajo voltaje?
A3: El precio de este MOSFET de bajo voltaje es el precio de confirmación basado en el producto.
P4: ¿En qué tipo de embalaje viene este MOSFET de bajo voltaje?
A4: Este MOSFET de bajo voltaje viene en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuánto tiempo se tarda en entregar este MOSFET de bajo voltaje?
R5: Se tarda de 2 a 30 días en entregar este MOSFET de bajo voltaje (dependiendo de la cantidad total).
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base