MOSFET de baixa tensão multifunção de alta eficiência para conversor

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Nome do produto MOSFET de baixa tensão processo de estrutura Trincheira/SGT
eficiência Alta eficiência e confiável Consumo de energia Perda de baixa potência
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MOSFET de baixa tensão multifunção

,

MOSFET de baixa tensão de alta eficiência

,

Conversor de baixo Vth Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão com otimização FOM inovadora e vantagens confiáveis do processo SGT

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de MOSFET de baixa tensão de limiar que é projetado com uma baixa VGS e baixa tensão de gate.que o tornam adequado para configuração em série e paralelaAlém disso, possui baixa perda de energia, alta eficiência e desempenho confiável. Pode ser amplamente aplicado em carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC / DC, interruptor de alta frequência,Rectificação síncrona e outros dispositivos eletrónicos.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Descrição
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Voltagem de limiar baixo MOSFET de baixa tensão limite
Voltagem baixa da porta MOSFET de baixa tensão de porta
Resistência Baixa Rds ((ON)
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Consumo de energia Baixa perda de potência
Processo de estrutura Tranche/SGT
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fios, carregamento rápido, motor de comando, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Processo SGT Vantagens Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Processo SGT Application Motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
 

Aplicações:

A REASUNOS, um dos principais fornecedores de MOSFET de baixa voltagem de Guangdong, China, apresenta seu mais recente MOSFET de baixa voltagem SGT e transistor de baixa voltagem, com a mais baixa voltagem no mercado.Os clientes podem confirmar o preço com base no produto. O produto vem com embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antistática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW), e a capacidade de abastecimento mensal é de 5KK. Ele tem uma baixa resistência Rds ((ON) e otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações, como motorista, estação base 5G, armazenamento de energia,Comutador de alta frequênciaAlém disso, o processo de trincheira oferece RSP menor e ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas para carregamento sem fio,carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

 

Apoio e Serviços:

Oferecemos suporte técnico e serviços para produtos MOSFET de baixa tensão.

  • Projeto e prototipagem
  • Teste e solução de problemas
  • Montagem e integração
  • Serviços de manutenção e reparação

Também fornecemos uma gama abrangente de recursos e ferramentas para ajudá-lo a aproveitar ao máximo nossos produtos MOSFET de baixa tensão, incluindo:

  • Especificações pormenorizadas do produto
  • Guia e tutoriais técnicos
  • Atualizações de firmware e software
  • FAQs e dicas de solução de problemas

Para mais informações sobre o nosso MOSFET de baixa tensão suporte técnico e serviços, por favorContacte-nos.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

Os MOSFET de baixa tensão devem ser embalados num saco antiestático.Devem ser colocadas numa caixa de papelão com um material de amortecimento, como borracha de bolhas cheia de ar, para garantir que os produtos não sejam danificados durante o transporte.A embalagem deve ser selada com fita adesiva e etiquetada com o nome e o endereço do produto.

Os MOSFETs de baixa tensão devem ser enviados com uma transportadora respeitável e rastreados.A empresa de transporte marítimo deve ser notificada do valor dos produtos que estão a ser enviados e deve ser efectuada uma cobertura de seguro adequada para o valor total da remessa..

 

Perguntas frequentes:

P1: Qual é o nome comercial deste MOSFET de Baixa Tensão?
R1: A marca deste MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.
P2: De onde vem este MOSFET de Baixa Tensão?
R2: Este MOSFET de Baixa Tensão vem de Guangdong, China.
P3: Qual é o preço deste MOSFET de baixa tensão?
A3: O preço deste MOSFET de baixa tensão é o preço confirmado com base no produto.
P4: Em que tipo de embalagem vem este MOSFET de Baixa Tensão?
A4: Este MOSFET de Baixa Tensão vem em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
P5: Quanto tempo leva para entregar este MOSFET de Baixa Tensão?
R5: Demora 2-30 dias para entregar este MOSFET de baixa tensão (dependendo da quantidade total).